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數(shù)據(jù)手冊#TPS732-Q1系列 具有反向電流保護(hù)功能的汽車類 250mA、高精度、低壓差穩(wěn)壓器

科技綠洲 ? 2025-03-11 09:12 ? 次閱讀

TPS732-Q1 低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器采用 san NMOS 拓?fù)洌撏負(fù)溆呻妷焊S器配置中的 NMOS 傳輸瞬變組成。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用低 ESR 的輸出電容器時很穩(wěn)定,甚至允許在沒有電容器的情況下工作。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還提供高反向阻塞 (低反向電流) 和接地引腳電流,在所有輸出電流值上幾乎恒定。
*附件:TPS732-Q1 汽車級、無電容、NMOS、250mA、具有反向電流保護(hù)功能的低壓差穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表.pdf

TPS732-Q1 采用先進(jìn)的 BiCMOS 工藝,可在提供低壓差和低接地引腳電流的同時產(chǎn)生高精度。未使能時,電流消耗低于 1μA,專為便攜式應(yīng)用而設(shè)計。極低的輸出噪聲 (30μVRMS 和 0.1μF CNR) 專為為 VCO 供電而設(shè)計。該器件受到熱關(guān)斷和折返電流限制的保護(hù)。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用:
    • 溫度等級 0:–40°C 至 150°C,TA
    • 設(shè)備 HBM 分類 2 級
    • 器件 CDM 分類等級 C4B
    • 設(shè)備 MM 分類級別 M2
  • 在沒有輸出電容器或任何值或類型的電容器的情況下保持穩(wěn)定
  • 輸入電壓范圍:1.7V 至 5.5V
  • 超低壓差電壓:250mA 時為 40mV(典型值)
  • 出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng) — 帶或不帶可選輸出電容器
  • NMOS 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提供低反向漏電流
  • 低噪聲:30μVRMS 典型值 (10kHz 至 100kHz)
  • 初始精度:0.5%
  • 1% 總精度(線路、負(fù)載和溫度)
  • 關(guān)斷模式下的最大 IQ 小于 1μA
  • 熱關(guān)斷和指定的最小和最大電流限制保護(hù)
  • 提供多種輸出電壓版本:
    • 1.2V、1.5V、1.6V、1.8V、2.5V、3V、3.3V 和 5V 的固定輸出
    • 1.2V 至 5.5V 的可調(diào)輸出
    • 提供自定義輸出

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?型號?:TPS732-Q1
  • ?應(yīng)用?:汽車級,適用于便攜式及電池供電設(shè)備、開關(guān)電源的后級調(diào)節(jié)、噪聲敏感電路(如VCOs)、DSPs、FPGAs、ASICs及微處理器的負(fù)載點調(diào)節(jié)。
  • ?特性?:
    • 無電容設(shè)計,穩(wěn)定工作無需輸出電容。
    • 輸入電壓范圍:1.7V至5.5V。
    • 輸出電流:最大250mA。
    • 超低壓差電壓:典型值40mV @ 250mA。
    • 低噪聲:30μV RMS(10kHz至100kHz)。
    • 初始精度:0.5%,整體精度(線路、負(fù)載和溫度):1%。
    • 反向電流保護(hù)功能。
    • 熱關(guān)斷及電流限制保護(hù)。

2. 封裝信息

  • ?封裝類型?:
    • DBV(SOT-23, 5引腳)
    • DCQ(SOT-223, 6引腳)
    • DRB(VSON, 8引腳)
  • ?封裝尺寸?:
    • DBV:2.9mm × 2.8mm
    • DCQ:6.5mm × 7.06mm
    • DRB:3mm × 3mm

3. 引腳配置與功能

  • ?引腳功能?:
    • ?IN?:未調(diào)節(jié)輸入電源
    • ?GND?:地。
    • ?EN?:使能引腳,高電平開啟穩(wěn)壓器,低電平進(jìn)入關(guān)斷模式。
    • ?NR/FB?(可調(diào)版本):噪聲抑制/反饋引腳,用于設(shè)置輸出電壓。
    • ?OUT?:穩(wěn)壓器輸出。

4. 電氣特性

  • ?輸出電壓范圍?:固定版本包括1.2V、1.5V、1.6V、1.8V、2.5V、3V、3.3V、5V;可調(diào)版本從1.2V至5.5V。
  • ?壓差電壓?:典型值40mV @ 250mA,最大值150mV。
  • ?反向泄漏電流?:固定版本最大10μA。
  • ?關(guān)機(jī)電流?:最大1μA。
  • ?噪聲電壓?:10Hz至100kHz帶寬內(nèi),典型值為27μV RMS至8.5μV RMS(取決于輸出電壓和C_NR電容值)。

5. 熱特性

  • ?熱關(guān)斷溫度?:約160°C(上升),約140°C(下降)。
  • ?熱阻?(示例):
    • DBV封裝:RθJA = 180°C/W
    • DRB封裝:RθJA = 47.8°C/W

6. 功能描述

  • ?內(nèi)部電流限制?:提供過流保護(hù),輸出短路時采用折返特性減少電流。
  • ?關(guān)斷模式?:使能引腳低于0.5V時,穩(wěn)壓器關(guān)斷,地引腳電流降至約10nA。
  • ?瞬態(tài)響應(yīng)?:無需輸出電容即可穩(wěn)定工作,添加電容可改善負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。
  • ?反向電流保護(hù)?:NMOS通路提供固有的反向電流阻斷能力。

7. 應(yīng)用電路

  • ?典型應(yīng)用電路?:提供固定電壓和可調(diào)電壓版本的典型應(yīng)用電路圖。
  • ?設(shè)計指南?:包括輸入/輸出電容要求、噪聲抑制、布局指導(dǎo)等。

8. 文檔與支持

  • ?文檔更新通知?:可通過TI官網(wǎng)注冊接收文檔更新通知。
  • ?支持資源?:提供TI E2E?支持論壇鏈接,獲取快速驗證的答案和設(shè)計幫助。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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