概述
ADRF5515是一款雙通道、集成RF、前端、多芯片模塊，設計用于時分雙工(TDD)應用。該設備的工作頻率為3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515采用雙通道配置，具有級聯、兩級、LNA和大功率硅SPDT開關。

在高增益模式下，級聯兩級LNA和開關提供1.0 dB的低噪聲系數和33 dB的高增益（頻率為3.6 GHz）以及32 dBm（典型值）的輸出3階交調點(OIP3)。在低增益模式下，兩級LNA的一級處于旁路狀態，在36 mA的較低電流下提供16 dB的增益。在關斷模式下，LNA都會關閉且器件功耗為12 mA。

在發射操作中，當RF輸入連接到端電極引腳（TERM-CHA或TERM-CHB）時，該開關提供0.45 dB的低插入損耗，并在整個生命周期內處理43 dBm的長期演進(LTE)平均功率（9 dB峰值/平均值比(PAR)）。

ADRF5515的引腳與ADRF5545A 10 W版本兼容，后者在2.4 GHz至4.2 GHz的頻率范圍內工作。

ADRF5515在RF端口上不需要任何匹配元件，該端口可內部匹配至50 Ω。ANT和TERM端口也在內部交流耦合。因此，只有接收端口需要外部隔直電容。

該器件采用符合RoHS標準的緊湊型6 mm ×6 mm 40引腳LFCSP封裝。
數據表：*附件：ADRF5515雙通道，3.3GHz至4.0GHz，20W接收器前端技術手冊.pdf

應用

• 無線基礎設施
• TDD大規模多路輸入和多路輸出和有源天線系統
• 基于TDD的通信系統
  特性
• 集成式雙通道 RF 前端
  • 2 級 LNA 和高功率硅 SPDT 開關
  • 片內偏置和匹配
  • 單電源供電
• 增益
  • 高增益模式：3.6 GHz 時為 33 dB（典型值）
  • 低增益模式：3.6 GHz 時為 16 dB（典型值）
• 低噪聲指數
  • 高增益模式：3.6 GHz 時為 1.0 dB（典型值）
  • 低增益模式：3.6 GHz 時為 1.0 dB（典型值）
• 高隔離
  • RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
  • TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）
• 低插入損耗：3.6 GHz 時為 0.45 dB（典型值）
• TCASE = 105°C 時具有高功率處理能力
  • 整個生命周期
    • LTE 平均功率 (9 dB PAR)：43 dBm
  • 高 OIP3（高增益模式）：32 dBm（典型值）
  • 關斷模式和低增益模式（針對 LNA）
  • 低電源電流
    • 高增益模式：5 V 時為 86 mA（典型值）
    • 低增益模式：5 V 時為 36 mA（典型值）
    • 關斷模式：5 V 時為 12 mA（典型值）
  • 正邏輯控制
  • 6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝
  • 與 ADRF5545A 10 W 版本引腳兼容

框圖

引腳配置

接口示意圖