概述

ADRF5519是一款雙通道集成式RF前端多芯片模塊，專為工作頻率為2.3 GHz至2.8 GHz的時分雙工 (TDD) 應用而設計。ADRF5519采用雙通道配置，包含級聯兩級低噪聲放大器 (LNA) 和高功率硅單刀雙擲 (SPDT) 開關。

在高增益模式下，級聯兩級LNA和開關提供1.0 dB的低噪聲指數(NF)和35 dB的高增益（頻率為2.6 GHz）以及32 dBm（典型值）的輸出3階交調點(OIP3)。在低增益模式下，兩級LNA的一級處于旁路狀態，在36 mA的較低電流下提供14 dB的增益。在關斷模式下，LNA都會關閉且器件功耗為12 mA。

在傳輸操作中，RF輸入連接到終端引腳（ANT-CHA或ANT-CHB分別連接到TERM-CHA或TERM-CHB）。該開關提供0.5 dB的低插入損耗，并在整個生命周期內處理43 dBm的長期演進 (LTE) 平均功率（9 dB峰值/平均值比 (PAR)）。

該器件采用符合RoHS標準的緊湊型6 mm × 6 mm 40引腳LFCSP封裝。
數據表：*附件：ADRF5519雙通道，2.3GHz至2.8GHz，20W接收器前端技術手冊.pdf

應用

• 無線基礎設施
• TDD大規模多路輸入和多路輸出以及有源天線系統
• 基于TDD的通信系統
  特性
• • 集成式雙通道 RF 前端
  • 2 級 LNA 和高功率硅 SPDT 交換芯片
  • 片內偏置和匹配
  • 單電源供電
• TCASE = 105°C 時具有高功率處理能力
• LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整個生命周期：43 dBm
• 增益
• 高增益模式：2.6 GHz 時為 35 dB（典型值）
• 低增益模式：2.6 GHz 時為 14 dB（典型值）
• 低噪聲指數
• 高增益模式：2.6 GHz 時為 1.0 dB（典型值）
• 低增益模式：2.6 GHz 時為 1.0 dB（典型值）
• 高隔離
  • RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
  • TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）
• 低插入損耗：2.6 GHz 時為 0.5 dB（典型值）
• 高 OIP3：32 dBm（典型值）
• 關斷模式和低增益模式
• 低電源電流
• 高增益模式：5 V 時為 110 mA（典型值）
• 低增益模式：5 V 時為 36 mA（典型值）
• 關斷模式：5 V 時為 12 mA（典型值）
• 正邏輯控制
• 6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝
• 引腳與 [ADRF5545A]和 [ADRF5549]10 W 版本兼容

框圖

引腳配置

ADRF5519可用于1.9 GHz的應用，調諧范圍為1.7 GHz至2.1 GHz，額定功率比表1降低3 dB。表9顯示了ADRF5519-EVAi 7在1.9 GHz下的典型特性。
表8列出了所需的匹配元件。默認情況下，ADRF5519-EVALZ組裝發貨時沒有任何匹配元件。ADRF5519-EVALZ可以利用一個串聯RF走線和一個并聯電容針對1.9 GHz應用進行調諧，如表8所示。

接收模式和發射模式下的仿真調諧性能如圖27和圖28所示。