概述
ADRF5142 是一款利用硅工藝制造的反射式單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)。

ADRF5142 的工作頻率范圍為 8 GHz 至 11 GHz，具有優(yōu)于 1.2 dB 的典型插入損耗和 40 dB 的典型隔離。對于插入損耗路徑，此套件具有 41 dBm 平均功率和 46 dBm 峰值功率 (RF) 的射頻 (RF) 輸入功率處理能力。

ADRF5142 在 +3.3 V 的正電源上消耗 130 μA 的低電流，在 -3.3 V 的負電源上消耗 500 μA 的低電流。該套件采用兼容互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)/低壓晶體管到晶體管邏輯 (LVTTL) 的控件。ADRF5142 無需額外的驅(qū)動電路，這使其成為基于 GaN 和 PIN 二極管的開關(guān)的理想替代方案。

ADRF5142 采用符合 RoHS 標準的 20 引腳 3.0 mm x 3.0 mm 岸面柵格陣列 (LGA) 封裝，并可在 ?40°C 至 +85°C 的溫度范圍內(nèi)工作。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5142 8GHz至11GHz高功率40W峰值硅SPDT反射開關(guān)技術(shù)手冊.pdf

特性

• 頻率范圍：8 GHz 至 11 GHz
• 低插入損耗：1.2 dB（典型值）
• 高隔離：40 dB（典型值）
  • 高輸入線性度
  • 0.1 dB 功率壓縮 (P0.1dB)：46 dBm
  • 3 階交調(diào)點 (IP3)：70 dBm
• TCASE = 85°C 時具有高功率處理能力：
  • 插入損耗路徑
    • 平均值：41 dBm
    • 脈沖（>100 ns 脈沖寬度，15% 占空比）：44 dBm
    • 峰值（≤100 ns 峰值時間，5% 占空比）：46 dBm
  • RFC 處熱切換（引腳 3）：41 dBm
• 快速切換時間：60 ns
• 0.1dB RF 建立時間：65 ns
• 無低頻雜散信號
• 正向控制接口：與 CMOS/LVTTL 兼容
• 20 引腳、3.0 mm × 3.0 mm LGA 封裝
• 與 ADRF5141 和 ADRF5144 引腳兼容

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5142有兩個電源引腳(VDD和VSS)和一個控制引腳(CTRL)。圖13顯示了電源和控制引腳的外部元件和連接。VDD引腳通過100 pF和100 nF多層陶瓷電容去耦。V 'SS和控制引腳通過100 pF多層陶瓷電容去耦。器件引腳排列允許去耦電容靠近器件放置。偏置和工作不需要其它外部元件，但當RF線路偏置電壓不同于0v時，RF引腳上的DC阻塞電容除外，詳情參見“引腳配置和功能描述”部分。

圖15顯示了器件的RF走線、電源和控制信號的布線。接地層通過允許的過孔與盡可能多的場相連，以實現(xiàn)最佳RF和散熱性能。器件的主要散熱路徑是底部，因此PCB下方需要一個散熱器，以確保最大散熱，并降低高功率應(yīng)用中PCB的溫升。

圖16顯示了參考疊層上從器件RFpins到50ωCPWG的推薦布局。PCB焊盤與器件焊盤的比例為1:1。接地焊盤按照焊接掩模定義繪制。信號焊盤被繪制為焊盤定義。PCB焊盤的RF走線以相同的寬度延伸至封裝邊緣，并以45°角逐漸變細至RF走線。糊狀掩模也設(shè)計成在不減小孔徑的情況下與襯墊相匹配。糊狀物被分成多個用于攪拌的開口。