概述
ADRF5144 是一款利用硅工藝制造的反射式單刀雙擲 (SPDT) 開關。

ADRF5144 的工作頻率范圍為 1 GHz 至 20 GHz，具有優于 0.8 dB 的典型插入損耗和 52 dB 的典型隔離。對于插入損耗路徑，此套件具有 40 dBm 平均功率和 44 dBm 峰值功率 (RF) 的射頻 (RF) 輸入功率處理能力。

ADRF5144 在 +3.3 V 的正電源上消耗 130 μA 的低電流，在 ?3.3 V 的負電源上消耗 510 μA 的低電流。該套件采用兼容互補金屬氧化物半導體 (CMOS)/低壓晶體管到晶體管邏輯 (LVTTL) 的控件。ADRF5144 無需額外的驅動電路，這使其成為基于 GaN 和 PIN 二極管的開關的理想替代方案。

當負電源電壓 (Vss ) 接地時，ADRF5144 還可以使用施加的單一正電源電壓 (VDD ) 運行。在這種工作條件下，當降低開關特性、線性度和功率處理性能時，仍可保持小信號性能。

ADRF5144 采用符合 RoHS 標準的 20 引腳 3.0 mm × 3.0 mm 岸面柵格陣列 (LGA) 封裝，并可在 ?40°C 至 +85°C 的溫度范圍內工作。

數據表：*附件：ADRF5144 1GHz至20GHz 10W平均值硅SPDT反射開關技術手冊.pdf

應用

• 軍用射頻、雷達和電子對抗措施 (ECM)
• Satcom
• 測試儀器儀表
• GaN 和 PIN 二極管更換
  特性
• 帶寬頻率范圍：1 GHz 至 20 GHz
• 低插入損耗：?20 GHz 時為 0.8 dB
• 高隔離：?20 GHz 時為 52 dB
• 高輸入線性度：
  • 0.1 dB 功率壓縮 (P0.1dB)：44 dBm
  • 3 階交調點 (IP3)：>70 dBm
  • 2 階交調點 (IP2)：120 dBm
• TCASE = 85°C 時具有高功率處理能力：
  • 插入損耗路徑：
    • 平均值：40 dBm
    • 脈沖（>100 ns 脈沖寬度，15% 占空比）：43 dBm
• 峰值（≤100 ns 峰值時間，5% 占空比）：44 dBm
• 熱切換：37 dBm
• 0.1 dB RF 建立時間，PIN <37 dBm：750 ns
• 無低頻雜散信號
• 正向控制接口：與 CMOS/LVTTL 兼容
• 20 引腳、3.0 mm × 3.0 mm LGA 封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5144有兩個電源引腳(VDD和VSS)和一個控制引腳(CTRL)。圖15顯示了電源和控制引腳的外部元件和連接。VDD引腳和VSS引腳通過100 pF和10 nF多層陶瓷電容去耦，而控制引腳通過100 pF多層陶瓷電容去耦。器件引腳排列允許去耦電容靠近器件放置。偏置和工作不需要其它外部元件，但當RF線路偏置電壓不在0 V時，RF引腳上的DC隔直電容除外，詳情參見“引腳配置和功能描述”部分。

圖17顯示了器件的RF走線、電源和控制信號的布線。接地層通過盡可能多的填充通孔連接，以實現最佳RF和散熱性能。器件的主要散熱路徑是底部，因此PCB下方需要一個散熱器，以確保最大散熱，并降低高功率應用中PCB的溫升。

圖18顯示了參考疊層上從器件RF引腳到50歐姆CPWG的推薦布局。PCB焊盤與器件焊盤的比例為1:1。接地焊盤繪制為阻焊層定義，信號焊盤繪制為焊盤定義。來自PCB焊盤的RF走線以與封裝邊緣相同的寬度延伸，并以45°角逐漸變細至RF走線。pastemask還被設計成在沒有任何孔徑縮小的情況下匹配襯墊。糊狀物被分成多個槳狀開口。