概述
ADRF5162 是一種反射式單刀雙擲 （SPDT） 開關采用硅工藝制造。

該ADRF5162的工作頻率范圍為 0.4 GHz 至 8 GHz，典型插入頻率 損耗為 0.6 dB，典型隔離為 45 dB。該設備具有 射頻 （RF） 輸入功率處理能力為 45.5 dBm 插入損耗路徑的平均功率和 50 dBm 峰值功率。

該ADRF5162在正電源上消耗 130 μA 的低電流 的電壓為 +3.3 V，負電源為 ?3.3 V，為 500 μA。設備 采用互補金屬氧化物半導體 （CMOS）/低壓 晶體管到晶體管邏輯 （LVTTL） 兼容控件。 ADRF5162不需要額外的驅動電路，這使得 它是基于 GaN 和 PIN 二極管的開關的理想替代品。

ADRF5162 采用 24 引腳、4.0 mm × 4.0 mm 封裝，符合 RoHS 標準 引線框架芯片級封裝 （LFCSP） 封裝和 CAN 工作溫度范圍為 ?40°C 至 +105°C。
數據表：*附件：DRF5162使用高功率、100W峰值、硅SPDT、反射式開關，0.4GHz至8GHz技術手冊.pdf

應用

• 軍用無線電、雷達和電子對抗措施
• 蜂窩基礎設施
• 測試和儀器
• 更換 GaN 和 PIN 二極管
  特性
• 頻率范圍：0.4 GHz 至 8 GHz
• 低插入損耗：4 GHz 時為 0.6 dB（典型值）
• 高隔離度：45 dB（典型值，4 GHz 時）
• 高輸入線性度
  • 0.1 dB 功率壓縮 （P0.1dB）：49 dBm
  • 三階交調截點 （IP3）：>76 dBm
• TCASE = 85°C 時的高功率處理能力：
  • 插入損耗路徑
    • 平均：45.5 dBm
    • 脈沖（>100 ns 脈沖寬度，15% 占空比）：48.5 dBm
    • 峰值（≤100 ns 峰值持續時間，5% 占空比）：50 dBm
  • RFC 熱切換：43 dBm
• 0.1 dB RF 建立時間（PIN ≤ 43 dBm）：1.2 μs
• 無低頻雜散
• 正控制接口：CMOS/LVTTL 兼容
• 24引腳、4.0 mm × 4.0 mm LFCSP封裝

引腳配置

接口示意圖

RF端口內部匹配50ω，引腳排列設計用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波導(CPWG)。圖15顯示了采用10密耳厚Rogers RO4350電介質材料的RF基板的referencedCPWG RF走線設計。對于2.8密耳的精加工銅厚度，建議使用寬度為18密耳、間隙為13密耳的RF走線。

圖17顯示了參考疊層上從器件RF引腳到50ωCPWG的推薦布局。PCB焊盤與器件焊盤的比例為1:1。接地焊盤繪制為阻焊層定義，信號焊盤繪制為焊盤定義。從PCB焊盤引出的RF走線以相同的寬度延伸，并延伸至RF走線。糊掩模也被設計成在沒有任何孔徑減小的情況下匹配襯墊。糊狀物被分成多個用于攪拌的開口。