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為什么采用多晶硅作為柵極材料

中科院半導體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2025-02-08 11:22 ? 次閱讀

本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料

柵極材料的變化

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如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 柵極的作用 柵極的主要作用是控制晶體管中的溝道的電流。柵極電壓的變化使得晶體管在導通和關閉狀態之間切換。 多晶硅柵的優勢 1. 多晶硅耐高溫。在源漏離子注入后,需要高溫退火。而鋁柵的熔點在六百多攝氏度。而高溫退火過程中,多晶硅柵能夠保持較好的穩定性,不易受到影響。 2. 可以作為離子注入的遮蔽層,實現多晶硅柵與源漏的自對準,這樣就不會出現柵極和源漏套刻不對齊的問題。

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3.可以通過摻雜來提高閾值電壓。多晶硅柵通過控制其摻雜物的種類和濃度,能夠調節工作函數,從而精確控制閾值電壓。

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原文標題:為什么采用多晶硅作為柵極材料?

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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