能源是經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ)和動(dòng)力源泉。近些年，“雙碳”戰(zhàn)略引領(lǐng)能源轉(zhuǎn)型革命，發(fā)展綠色低碳新質(zhì)生產(chǎn)力既是解決全球環(huán)境問(wèn)題的重要保障，更是國(guó)家經(jīng)濟(jì)與民生福祉的必然要求。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）全稱(chēng)是“絕緣柵雙極型晶體管”，在新能源大功率電力電子設(shè)備中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，兼具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

在相關(guān)政策的帶動(dòng)下，我國(guó)特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動(dòng)機(jī)車(chē)/動(dòng)車(chē)組、城市軌道交通等領(lǐng)域得到了飛速發(fā)展，光伏及風(fēng)能發(fā)電、新能源汽車(chē)、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心等新的應(yīng)用也日益成熟，此類(lèi)應(yīng)用對(duì)IGBT產(chǎn)品具有旺盛的需求，并在產(chǎn)品性能、技術(shù)參數(shù)、可靠性等方面提出了較高要求。

芯導(dǎo)科技現(xiàn)已推出，采用第7代工藝技術(shù)的IGBT產(chǎn)品系列，具有如下優(yōu)勢(shì)：

采用精細(xì)溝槽結(jié)構(gòu)，窄pitch和發(fā)射極載流子存儲(chǔ)IGBT技術(shù)

國(guó)內(nèi)最先進(jìn)12吋IGBT晶圓加工工藝，具有良好的參數(shù)一致性

低導(dǎo)通壓降，正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用

高短路耐量

低開(kāi)關(guān)損耗

650V/1200V 小電流產(chǎn)品系列采用TO-247/TO-247PLUS單管封裝形式，適用工業(yè)控制、電動(dòng)汽車(chē)PTC等領(lǐng)域應(yīng)用：

芯導(dǎo)科技SiC SBD混封IGBT產(chǎn)品系列，具有開(kāi)關(guān)頻率快、反向恢復(fù)損耗極低的特點(diǎn)，應(yīng)用于光伏和不間斷電源領(lǐng)域。

1200V 100A以上大電流產(chǎn)品系列，主要采用Econodual3/62mm等模塊封裝形式，適用于儲(chǔ)能等領(lǐng)域：