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2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

h1654155960.2120 ? 來源:h1654155960.2120 ? 作者:h1654155960.2120 ? 2024-09-18 17:18 ? 次閱讀

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產品優勢及應用

該模塊采用創新封裝和三相全橋設計,內置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V,工作頻率可達30kHz,輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優勢,性價比超國外產品,適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動、光伏風能發電等領域。

1 應用領域:

電動汽車,氫能源汽車,高速電機驅動,光伏風能逆變,電網濾波。

2 產品特點:

三項全橋設計

內置 1200V SiC MOSFET,

內置熱敏電阻

模塊雜散電感 2.5nH

超低開關損耗

工作電源電壓大于 900V

工作節溫 175°C

Pin-Fin 底板直接水冷散熱

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模塊電路及結構圖

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模塊及驅動板實物圖

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