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      新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產品擴展

      英飛凌工業半導體 ? 2024-06-26 08:14 ? 次閱讀

      新品

      采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產品擴展

      0c358e38-3351-11ef-a655-92fbcf53809c.png0c5e1006-3351-11ef-a655-92fbcf53809c.png

      1200V的62mm CoolSiC MOSFET半橋模塊現已上市。由于采用了M1H芯片技術，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動電壓窗口方面性能得到了改善。現可提供2.9mΩ 1200V新規格，帶或不帶熱界面材料(TIM)。

      相關產品：

      FF3MR12KM1H 2.9mΩ，

      1200V 62mm半橋模塊

      FF3MR12KM1HP 2.9mΩ，

      1200V 62mm半橋模塊 預涂TIM

      產品特點

      集成體二極管，優化了熱阻

      卓越的柵極氧化層可靠性

      抗宇宙射線能力強

      應用價值

      按照應用苛刻條件優化

      更低的電壓過沖

      導通損耗最小

      高速開關，損耗極低

      對稱模塊設計實現對稱的上下橋臂開關行為

      標準模塊封裝技術確保可靠性

      62毫米高產量生產線的生產

      競爭優勢

      通過碳化硅擴展成熟的62毫米封裝的產品，以滿足快速開關要求和低損耗的應用。

      電流密度最高，防潮性能強

      應用領域

      儲能系統

      電動汽車充電

      光伏逆變器

      UPS

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