半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產基礎設施。同時，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產能將會增加。此項投資是在該工廠成立100周年之際，與漢堡經濟部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。

為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，Nexperia將從2024年6月開始在德國研發和生產SiC、GaN和Si三種技術。這一舉措充分展現了Nexperia對電氣化和數字化領域關鍵技術的有力支持。SiC和GaN半導體使數據中心等高功率應用能夠以出色的效率運行，同時也是可再生能源應用和電動汽車的核心構件。這些寬禁帶技術具有巨大的潛力，對實現脫碳目標越來越重要。

Nexperia德國首席運營官兼常務董事Achim Kempe表示：

這項投資鞏固了我們作為節能半導體領先供應商的地位，使我們能夠更負責任地利用可用電能。未來，我們的漢堡晶圓廠將覆蓋全系列的寬禁帶半導體，同時仍是最大的小信號二極管和晶體管工廠。我們將繼續堅定執行我們的戰略，為標準應用和高耗能應用生產高質量、具有成本效益的半導體，同時應對我們這一代人面臨的最大挑戰之一：滿足日益增長的能源需求，同時減少對環境的影響。

第一條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產線已于2024年6月投入使用。下一個里程碑將是建立現代化、經濟高效的200毫米SiC MOSFET和低壓GaN HEMT生產線。這些生產線將在未來兩年內在漢堡工廠完成。同時，該項投資還將幫助進一步實現漢堡工廠現有基礎設施的自動化，并通過逐步轉向使用200毫米晶圓來擴大硅的產能。隨著潔凈室區域的擴大，新的研發實驗室正在建設中，以確保未來從研究到生產的無縫過渡。

除了推動技術進步外，Nexperia預計該舉措還能夠刺激當地經濟發展。這些投資對保障和創造就業機會以及增強歐盟半導體自給自足的能力做出了重要貢獻。Nexperia與大學和研究機構密切合作，互相分享專業知識并推動高素質的員工培訓。Nexperia依賴于漢堡和整個歐洲的強大研發生態系統開發合作與協作，例如在納米電子研究中心IMEC的工業聯盟計劃(IIAP)中，特別是在氮化鎵技術領域，發揮著至關重要的作用。這些以及其他合作確保了Nexperia產品實現持續創新并在技術上具有出色表現。

Nexperia德國首席財務官兼常務董事Stefan Tilger表示：

計劃中的投資使我們能夠在漢堡開展寬禁帶芯片的設計和生產。然而，SiC和GaN對于Nexperia來說絕不是新領域。自2019年起，我們的產品組合中就包括GaN FET，而在2023年，我們還與三菱電機合作，擴展了產品范圍，加入了SiC二極管和SiC MOSFET。Nexperia是少數幾家能夠提供全線半導體技術產品系列的供應商之一，包括Si、SiC和涵蓋了E-mode和D-mode的GaN。這意味著，我們為客戶提供了一站式服務，能夠滿足他們所有的半導體需求。

此項投資是Nexperia在漢堡洛克施泰特工廠百年歷史中的又一個重要里程碑。自1924年Valvo Radior?hrenfabrik成立以來，該工廠不斷發展，如今為全球約四分之一的小信號二極管和晶體管需求提供支持。自2017年從NXP分拆以來，Nexperia在漢堡工廠投入了大量資金，員工人數從950人增加到1,600人左右，并將技術基礎設施升級到了最先進的水平。這些持續的投入突顯了公司致力于保持行業領先地位并為全球客戶提供創新解決方案的決心。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia（安世半導體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎半導體器件開發和生產的領跑者，Nexperia（安世半導體）的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費等多個應用領域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia為全球客戶提供服務，每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業基準，獲得廣泛認可。Nexperia擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。