寬禁帶半導體材料具有熱導率高、擊穿電場高等特點，在高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體器件等方面具有廣泛的應用前景
2011-04-19 09:23:56
993 半導體供應商意法半導體，簡稱ST宣布，全球首款未使用任何接觸式探針完成裸片全部測試的半導體晶圓研制成功。
2011-12-31 09:45:371546 地，2020 年業界普遍認為 5G 會實現大規模商用，熱點技術與應用推動下，國內半導體材料需求有望進一步增長。寬禁帶半導體材料測試1 典型應用一. 功率雙極性晶體管BJT 特性表征2 典型應用二. 功率
2020-05-09 15:22:12
半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件，當直流電通過兩種不同半導體材料串聯成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現制冷的目的。它是一種產生負熱阻的制冷技術，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導體制冷片的工作原理是什么？半導體制冷片有哪些優缺點？
2021-02-24 09:24:02
電阻率是決定半導體材料電學特性的重要參數，為了表征工藝質量以及材料的摻雜情況，需要測試材料的電阻率。半導體材料電阻率測試方法有很多種，其中四探針法具有設備簡單、操作方便、測量精度高以及對樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
半導體芯片焊接方法芯片焊接(粘貼)方法及機理 芯片的焊接是指半導體芯片與載體（封裝殼體或基片）形成牢固的、傳導性或絕緣性連接的方法。焊接層除了為器件提供機械連接
2010-02-26 08:57:57
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
的IV/CV測量 適用于各種器件類型可靠性測量?！ 】赏ㄟ^GPIB連接，實現半自動探針臺與矩陣開關、IV/CV測試儀器的動態交互控制，從而實現手動或自動片上測試。 技術指標 支持儀器列表
2020-07-01 09:59:09
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導體？
2021-06-08 07:09:36
是最流行的半導體，這是由于其在地球上的大量供應。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結果，它是根據需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或
2021-07-23 08:11:27
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。那么具體什么是寬禁帶技術呢？
2019-07-31 07:42:54
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
如何實現基于STM32的半導體制冷片(TEC)溫度控制系統設計？
2021-12-23 06:07:59
本文基于Agilent ADS仿真軟件設計實現一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細說明設計步驟并對放大器進行了測試，結果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內實現功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
請問怎么優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計？
2021-06-17 06:45:48
德州儀器 （TI） 宣佈推出最新裸片 （bare die） 半導體封裝選項。TI 裸片計畫使客戶不僅能訂購最少10片數量的元件滿足最初塬型設計需要，而且還能訂購更大數量的完整晶片托盤 （wa
2012-03-28 09:18:535662 12月11日，中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟（以下簡稱“寬禁帶聯盟”）團體標準評審會在北京市大興區天榮街9號世農大廈3層會議室順利召開。此次評審會包含《碳化硅單晶》等四項團體標準送審稿審定及《碳化硅混合模塊產品檢測方法》等四項團體標準草案討論兩部分內容。
2017-12-13 09:05:514262 氮化物寬禁帶半導體在微波功率器件和電力電子器件方面已經展現出巨大的應用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結晶質量差和電學性能低，是限制
2018-07-26 09:09:00960 
近日，廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創新中心”在松山湖成立，該創新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導，易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業內知名企業共同出資發起設立。
2018-06-11 01:46:0010777 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導體項目在蘇州市吳江區舉行開工儀式。據悉，該項目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺，填補我國高端半導體器件的產業空白。
2018-06-25 16:54:0011639 寬禁帶功率半導體的研發與應用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉化能力、優良的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢，成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領域發展的重點新材料。
2018-08-06 11:55:008310 第三代寬禁帶半導體材料被廣泛應用在各個領域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導體材料的發展瓶頸，被業界一直看好。
2018-10-10 16:57:4037731 近日，2018中國寬禁帶功率半導體及應用產業發展峰會在濟南召開。會上，國家主管部門領導與技術專家、金融投資機構、知名企業負責人等共同研討寬禁帶功率半導體產業工藝和產業鏈建設，為技術協同以及產業、資本的對接提供了良好的交流互動平臺。
2018-12-10 14:24:253566 現代電子技術偏愛高壓，轉向寬禁帶半導體的高壓系統，是因為：首先，高壓意味著低電流，這也意味著系統所用的銅總量會減少，結果會直接影響到系統成本的降低；其次，寬禁帶技術(通過高壓實現)的阻性損耗
2018-12-13 16:58:305507 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統尺寸。典型的寬禁帶半導體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094497 5月16日上午，濟南寬禁帶半導體產業小鎮起步區項目開工活動在濟南槐蔭經濟開發區舉行。寬禁帶半導體產業小鎮位于濟南槐蔭經濟開發區的，緊鄰西客站片區和濟南國際醫學中心，是濟南實施北跨發展和新舊動能轉換
2019-05-17 17:18:523971 據了解，Norstel將被完全整合到意法半導體的全球研發和制造業務中，繼續發展150mm碳化硅裸片和外延片生產業務研發200mm晶圓以及更廣泛的寬禁帶材料。
2019-12-03 15:39:146633 半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態系統，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現其應用性能，縮短昂貴的測試
2020-05-28 09:58:591637 
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅動IC設計開發，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產業鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551025 寬禁帶材料實現了較當前硅基技術的飛躍。它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。 安森美半導體
2020-10-10 10:35:223708 
基于新興GaN和SiC寬禁帶技術的新型半導體產品，有望實現更快的開關速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強功能。
2020-10-23 11:03:261046 第三代寬禁帶半導體器件 GaN 和 SiC 的出現，推動著功率電子行業發生顛覆式變革。新型開關器件既能實現低開關損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉換，且支持超快速開關切換頻率，帶來的測試挑戰也成了
2020-10-30 03:52:11677 Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰，共同促進寬禁帶半導體行業的發展。
2020-12-21 15:48:571002 碳化硅（SiC）是第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術和器件制造水平最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應用場合下極為理想的半導體材料。文章結合美國國防
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被認識得越來越清晰。實現低導通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場，也就是選擇寬禁帶的半導體材料。
2021-03-01 16:12:0024 的角度來看，這將具有現實意義。寬禁帶（WBG）半導體技術的出現將有望在實現新的電機能效和外形尺寸基準方面發揮重要作用。
2021-05-01 09:56:002346 理工大學等純研究機構。 幾年來，這些單位的規劃總投資已經超過300億元，總產能超過180萬片/年。專家預計，2022年，此類產品成本逐步下降之后，國內產品有望實現部分國產替代。 寬禁帶（WBG）半導體包括碳化硅還有氮化鎵（GaN），其啟蒙階段的“頂流
2021-06-08 15:29:091685 材料性質的研究是當代材料科學的重要一環，源表SMU 在當代材料科學研究中，起到舉足輕重的作用，吉時利源表SMU在許多學科工程師和科學家中享有盛譽，以其優異的性能為當代材料科學研究提供多種測試方案，今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應用方案。
2021-08-20 11:17:47518 作為2021年技術熱詞，寬禁帶總會在各大技術熱文中被提起，我們在以往的文章中也笑稱，寬禁帶半導體是電動汽車的“寵兒”，但也有些朋友會問我們，寬禁帶半導體為什么總是要和汽車一起提起呢？ 說到這里，我們
2021-08-26 15:20:282636 泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰略合作聯盟，雙方將深度整合資源，優勢互補，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產業鏈的產品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰。
2021-11-08 17:20:313986 
大會同期舉辦了面向寬禁帶半導體領域的“寬禁帶半導體助力碳中和發展峰會”。峰會以“創新技術應用，推動后摩爾時代發展”為主題，邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、蘇州晶湛半導體
2021-12-23 14:06:342369 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。
2022-02-21 16:47:15953 對于寬禁帶半導體行業目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導體行業主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態形式、設備控制都不一樣，要想做好這個行業的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點。
2022-07-05 12:44:533522 在高端應用領域，碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛，被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:161371 金秋10月，Bodo's寬禁帶半導體論壇驚艷亮相深圳ESSHOW 2021年，特斯拉創紀錄出貨量助碳化硅達到了10億美元市場規模；比亞迪“漢”和現代Ioniq-5也都因搭載高性能碳化硅模塊受益于快速
2022-07-29 15:49:29921 
寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。
2022-08-02 17:22:121207 對電子設備的需求激增正在推動半導體行業多個領域的增長。制造商通過使用非傳統產品和應用程序添加差異化服務來尋求競爭優勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙 （WBG） 半導體，由于一系列應用程序供應商的興趣激增，它經歷了更新。
2022-08-05 14:39:171800 追求更高效的電子產品以功率器件為中心，而半導體材料則處于研發活動的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導體材料。然而，今天，硅正在將其在功率器件中的主導地位讓給兩種更高
2022-08-08 10:16:491316 
。目前，從市場領域來看，寬禁帶半導體材料已于快充、新能源汽車、光伏、風電、高鐵等多領域實現應用。其中，氮化鎵主要面向PD電源類居多，而碳化硅主要應用于新能源汽車領域。 但從使用情況來看，相比于其他材料，寬禁帶半導體
2022-10-28 11:04:341088 
碳化硅（SiC）是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃，而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化硅半導體器件。
2022-11-29 09:10:391333 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業、工程師積極報名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421190 
寬禁帶半導體，指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:032845 寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應電子躍遷導帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:588995 半導體，通常指硅基的半導體材料，這類材料可以通過摻雜產生富電子及富空穴的區域（自行修讀半導體物理），而在外部電場的影響下，能使材料表現出導通電流和非導通電流的狀態，從而實現邏輯功能或0/1控制。
2023-02-02 15:22:593199 
第三代寬禁帶半導體材料廣泛應用于各個領域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導體材料的發展瓶頸，受到了業界的青睞。
2023-02-23 17:59:482962 
作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導體，它們通常都具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:2912 ）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-05-05 17:46:2210664 
晶圓測試的方式主要是通過測試機和探針臺的聯動，在測試過程中，測試機臺并不能直接對待測晶圓進行量測，而是透過探針卡（Probe Card）中的探針（Probe）與晶圓上的焊墊（Pad）或凸塊（Bump）接觸而構成電性接觸。
2023-05-08 10:36:021756 
?。ㄔ斍檎埓粒簣竺鹼工業寬禁帶半導體開發者論壇）快掃描下方二維碼報名活動，并獲取詳細論壇議程吧?。ㄕ搲癁橛⑽难葜v）新品通用分立功率半導體測試評估平臺型號為EVAL_
2022-04-01 10:32:16956 
第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:464760 
光隔離探頭主要用于開關電源、逆變器、充電樁、變頻器、電機驅動等由功率半導體組成的高壓高頻電路的測試，尤其是寬禁帶半導體器件包括氮化鎵、碳化硅器件組成的半/全橋電路的測試。
2023-06-27 17:32:331342 
為代表的寬禁帶功率半導體在光伏風能發電、儲能、大數據、5G通信、新能源汽車等領域或將迎來前所未有的黃金發展期。如何促進寬禁帶半導體在集成電路領域的融合創新？如何提
2023-06-30 10:08:30888 
標準的示波器分析 1 GHz 帶寬，便于分析快速切換的信號 帶有內置軟件的任意函數發生器（適用于雙脈沖測試波形） 可實現共模噪聲抑制和精確測量的高邊和低邊探頭 自動雙脈沖測試 5 系列 B MSO 上的寬禁帶雙脈沖測試應用程序（可選WBG-DPT）提供精確的雙脈沖測量，
2023-07-07 18:08:36791 
寬禁帶半導體光電探測技術在科學、工業和醫療領域中發揮著重要作用，提供了高效的光電轉換和探測功能，推動了許多現代科技應用的發展。
2023-09-20 17:52:091691 
點擊藍字?關注我們 寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應用前景。根據市場調研機構的數據，寬
2023-10-08 19:15:02573 碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產業鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:061093 
半導體材料。 寬禁帶半導體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣闊的應用前景。 寬
2023-11-03 12:10:021021 
? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? 在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。 在整個
2023-12-07 10:45:02621 在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬
2023-12-16 08:30:34873 
近日，全球寬禁帶領域的領軍企業意法半導體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會，受到電力和能源領域專業嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:34735 2024年3月29日，2024上海全球投資促進會在臨港新片區召開，其中包括寬禁帶半導體產業鏈投資機遇分論壇。
2024-03-29 16:35:24813 臨港新片區管委會和萬業企業（600641.SH）下屬的凱世通等知名企業聯合宣布成立“汽車-寬禁帶半導體產業鏈聯盟”，其中，凱世通總經理陳克祿博士作為關鍵裝備企業的代表榮耀見證了這一重要時刻。
2024-04-03 09:23:10612 會上，臨港新片區管委會聯動萬業企業（600641.SH）旗下凱世通等多家行業翹楚，協同成立“汽車—寬禁帶半導體產業鏈聯盟”。聯盟成立儀式上，凱世通總經理陳克祿博士代表關鍵裝備企業發聲。
2024-04-03 15:50:56661 探針卡是晶圓功能驗證測試的關鍵工具，通常是由探針、電子元件、線材與印刷電路板（PCB）組成的一種測試接口，主要對裸die進行測試。探針卡上的探針與芯片上的焊點或者凸起直接接觸，導出芯片信號，再配
2024-05-11 08:27:30995 
功率電子學在現代科技領域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動交通領域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認識并保證寬禁帶（WBG）半導體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:31921 半導體已成為綠色能源產業發展的重要推動力，幫助實現更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。英飛凌提供廣泛的寬禁帶產品系列和組合，包括硅材料、碳化硅和
2024-06-18 08:14:18446 在全球半導體市場日新月異的今天，荷蘭半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日邁出了重大的一步。這家以技術創新和產品質量著稱的公司宣布，計劃投資高達2億美元（約合1.84億歐元），用于研發下一代寬禁帶半導體產品，并在其位于漢堡的工廠建立生產基礎設施。
2024-06-28 11:12:34767 下一代寬禁帶半導體（WBG）的研發和生產，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進一步鞏固其作為全球節能半導體領導者的地位。
2024-06-28 16:56:38905 在全球半導體產業日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導體）再次展現了其前瞻性的戰略布局。近日，該公司宣布將投資高達2億美元，用于在德國漢堡工廠開發下一代寬禁帶半導體產品，并擴大其晶圓廠的產能。
2024-06-29 10:03:26718 英飛凌致力于通過其創新的寬禁帶（WBG）半導體技術推進可持續能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創新產品，偕同英飛凌智能家居方案，以及電動交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:31614 功率半導體和寬禁半導體是兩種不同類型的半導體材料，它們在電子器件中的應用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區別： 材料類型：功率半導體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:12696 寬禁帶半導體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導體材料。這類材料具有許多獨特的物理和化學性質，使其在許多高科技領域具有廣泛的應用。 在現代電子學和光電子學中，半導體材料扮演著至關重要
2024-07-31 09:09:061598 寬禁帶半導體作為第三代半導體功率器件，在電源處理器中充當了越來越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優勢，成為各種電源或電源模塊的首選。而其中功率半導體上下管雙脈沖測試，成為動態參數測試的最經典評估項目。
2024-08-06 17:30:50944 
探針卡（Probe Card）是半導體測試領域不可或缺的關鍵工具，主要用于晶圓級的電學性能檢測。在半導體制造流程中，為了確保每個芯片的質量與性能達標，在封裝之前必須對晶圓上的每個裸片進行詳細的電學
2024-11-25 10:27:29473 
? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優勢，且它們在電力電子系統和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導體
2024-12-05 09:37:10772 
是德科技（NYSE: KEYS ）開發了一種光隔離差分探頭系列，專門用于提高寬禁帶 GaN 和 SiC 半導體等快速開關器件的效率和性能測試。新的電壓探頭將在 2025 年應用電力電子會議（APEC）上展示，是德科技的展位號為 829，同時展示的還有是德科技的 MXR B 和 HD3 系列示波器。
2025-03-11 17:15:53381
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