寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導體材料也稱為第三代半導體材料。

寬禁帶半導體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣闊的應用前景。

寬禁帶半導體材料的表征，以載流子濃度及載流子遷移率為主，此外， 電阻率測試也很重要。

寬禁帶半導體材料測試難點在于

■寬禁半導體帶材料的帶隙較大，擊穿電場較高。需要上千伏高壓進行測試。

■寬禁帶半導體材料是高流器件的制備材料，需要用到幾十安培的高流進行測試。

■四線法及霍爾效應測試均是加流測壓的過程，需要設備能輸出電流并且測試電壓。

■電阻率及電子遷移率通常范圍較大，需要電流電壓范圍都很大的設備。

■電流源和電壓表精度要高，保證測試的準確性。

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林彩霞

泰克資深現場應用工程師

主要負責華東區域的技術支持工作。多年以來一直在從事測試測量相關工作，積累了豐富的測試經驗。目前主攻方向包括低電平信號測試、射頻/射頻元器件測試以及寬帶信號產生與分析、信號完整性測試、自動化測試系統等。

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