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Nexperia斥資2億美元加速漢堡工廠寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-07-15 17:02 ? 次閱讀

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造Nexperia今日宣布將投入高達(dá)2億美元(折合約1.84億歐元)的資金,以顯著擴(kuò)大其位于德國漢堡工廠的寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體研究、開發(fā)及生產(chǎn)能力。

此次投資的核心聚焦于下一代高性能、高功率密度的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)。這兩種材料以其卓越的導(dǎo)電性、熱穩(wěn)定性和高頻特性,正逐漸成為能源存儲、電力轉(zhuǎn)換以及電動汽車等前沿領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵元件。Nexperia計(jì)劃利用這些資金,加速SiC和GaN技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程,為市場帶來更加高效、可靠且成本效益顯著的解決方案。

具體而言,Nexperia漢堡工廠將增設(shè)先進(jìn)的生產(chǎn)線和研發(fā)設(shè)施,專注于SiC和GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與制造。這些產(chǎn)品不僅將大幅提升能源轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗,還將在電動汽車的電機(jī)控制電池管理系統(tǒng)及快速充電技術(shù)中發(fā)揮關(guān)鍵作用,推動電動汽車行業(yè)向更高效、更可持續(xù)的方向發(fā)展。

此外,為了進(jìn)一步增強(qiáng)其半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的綜合實(shí)力,Nexperia還計(jì)劃將部分資金用于擴(kuò)大其硅(Si)晶圓制造能力。這一舉措旨在提升公司在傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件如二極管晶體管的生產(chǎn)能力,這些組件在現(xiàn)代電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色,從智能電網(wǎng)消費(fèi)電子,無處不在。

Nexperia的首席執(zhí)行官在聲明中表示:“我們堅(jiān)信寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)將是推動未來能源革命和交通電氣化的關(guān)鍵力量。此次對漢堡工廠的重大投資,不僅體現(xiàn)了我們對這一領(lǐng)域的堅(jiān)定承諾,也彰顯了我們在全球半導(dǎo)體市場中的領(lǐng)先地位。我們期待通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴(kuò)張,為全球客戶創(chuàng)造更多價(jià)值,共同推動行業(yè)進(jìn)步。”

隨著Nexperia漢堡工廠寬帶隙半導(dǎo)體項(xiàng)目的推進(jìn),全球半導(dǎo)體行業(yè)正迎來一場前所未有的技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級,為構(gòu)建更加綠色、智能的未來世界奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

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