英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度,還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
該新品尤其適用于即將普及的48V板網(wǎng)應(yīng)用,如電動(dòng)汽車的直流-直流轉(zhuǎn)換器、48V電機(jī)控制(如EPS系統(tǒng))以及48V電池開關(guān)等。此外,它也滿足電動(dòng)兩輪車、三輪車等高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性的需求。
OptiMOS? 7 80 V的推出,展現(xiàn)了英飛凌科技在半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新能力,以及對(duì)汽車等高要求應(yīng)用市場(chǎng)的深度理解。
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
2317瀏覽量
140182 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
8247瀏覽量
218456
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應(yīng)用

汽車48V、AI數(shù)據(jù)中心驅(qū)動(dòng),英飛凌OptiMOS 7系列器件解析

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

PSMN1R9-80SSE N溝道80V、1.9 mOhm MOSFET規(guī)格書

PSMN1RO-80CSE N溝道、80V、0.95 mOhm、MOSFET規(guī)格書

新品 | 采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板

英飛凌發(fā)布新型模塊化半橋功率板
英飛凌推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合
英飛凌推出CoolMO S7T和S7TA SJ MOSFET
英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列

?英飛凌600 V CoolMOS? 8 新一代硅基MOSFET技術(shù)助力電力電子行業(yè)變革

英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列, 適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用

英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET

新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率

評(píng)論