該技術(shù)將對數(shù)據(jù)中心、可再生能源和消費電子等行業(yè)產(chǎn)生深遠影響。

在日新月異的電力電子行業(yè)，對更高效、更強大、更緊湊元器件的需求持續(xù)存在。對于新一代硅基MOSFET，英飛凌進行了巨大的研發(fā)投入，以重新定義系統(tǒng)集成標準，使其在廣泛的電力電子應用中能夠?qū)崿F(xiàn)更高功率密度和效率。

在英飛凌，CoolMOS 8的推出意味著這些投入已經(jīng)取得了成效。它是一項先進的MOSFET技術(shù)，集成快速體二極管，能夠讓設(shè)計人員和工程師前所未有地獲益。該技術(shù)是對英飛凌現(xiàn)有寬禁帶半導體技術(shù)的有力補充，將對數(shù)據(jù)中心、可再生能源和消費電子等行業(yè)產(chǎn)生深遠影響。

在了解關(guān)鍵特性和益處之前，我們先來看看CoolMOS 8的起源。CoolMOS 8是英飛凌新一代硅基MOSFET技術(shù)，旨在取代現(xiàn)有的高/低功率開關(guān)電源（SMPS）的CoolMOS 7產(chǎn)品系列。它是CoolGaN和CoolSiC寬禁帶半導體技術(shù)的有力補充。該產(chǎn)品組合將使設(shè)計人員能夠滿足不同類型的電力電子應用需求。CoolMOS 8主要面向消費和工業(yè)終端市場；這意味著，該系列并未包含適用于汽車應用的器件。汽車應用的設(shè)計人員可以繼續(xù)使用現(xiàn)有的車規(guī)級CoolMOS 7器件。

CoolMOS 8的創(chuàng)新之處在于，該系列所有器件中都集成了快速體二極管，使得設(shè)計人員能將該系列產(chǎn)品用于目標應用中的所有主要拓撲。600 V CoolMOS 8產(chǎn)品系列具有完善的產(chǎn)品組合，英飛凌最先將供應直插封裝、表面貼裝和頂部冷卻（TSC）器件。CoolMOS 8 MOSFET還比同類競品具有更高的電流處理能力，且擁有最小的導通電阻（RDS(on)）與面積乘積。

但這對設(shè)計人員和工程師意味著什么呢？CoolMOS 8在最終面向消費和工業(yè)市場推出后，將大大簡化英飛凌客戶的產(chǎn)品選型；因為相比已有的CoolMOS 7產(chǎn)品系列，它的產(chǎn)品數(shù)量減少了50%以上。在CoolMOS 7產(chǎn)品系列下，擁有快速體二極管的器件通過在產(chǎn)品名稱中包含“FD”來進行區(qū)分。CoolMOS 8系列下的所有產(chǎn)品都擁有快速體二極管（無論導通電阻（RDS(on)）值為何），這意味著它無需再遵循之前的命名規(guī)則。

當前供應的600 V CoolMOS 8產(chǎn)品組合（2024年）

CoolMOS 8 的關(guān)鍵特性

上面我們回顧了一些產(chǎn)品開發(fā)背景和原理，現(xiàn)在我們來看看CoolMOS 8的一些關(guān)鍵特性。這包括用于諧振拓撲的最佳快速體二極管性能，先進芯片焊接技術(shù)，以及創(chuàng)新的頂部冷卻（TSC）封裝技術(shù)。

相比CoolMOS 7系列同類器件，CoolMOS 8技術(shù)的關(guān)斷損耗（Eoss）降低10%，輸出電容（Coss）降低50%。CoolMOS 8器件相比CoolMOS 7還將熱阻降低至少14%，大大改進了熱性能。能夠?qū)崿F(xiàn)這一改進，是因為使用了英飛凌專有的互連技術(shù)（.XT），該技術(shù)提高了將硅芯片連接至引線框架時的熱導率。這些性能優(yōu)勢使得CoolMOS 8比CoolMOS 7 具有更高效率。

（3.3 kW）LLC級與（2.5 kW）PFC級之間的相對效率比較

CoolMOS 8 MOSFET采用的創(chuàng)新ThinTOLL 8 × 8封裝，相比ThinPAK 8 × 8封裝具有更優(yōu)的性能，有助于保持引腳兼容性。ThinTOLL 8 × 8封裝占板面積小，有助于實現(xiàn)高功率密度；且充分利用了英飛凌先進的互連技術(shù)，提高了熱性能。ThinTOLL封裝盡管尺寸小巧，但在電路板溫度循環(huán)試驗中的故障率與采用TOLL封裝的器件非常接近，且二者具有幾乎相同的性能因數(shù)。

新ThinTOLL 8 × 8封裝與ThinPAK 8 × 8封裝的尺寸比較

封裝的升級不僅有助于實現(xiàn)大批量組裝和改進電路板設(shè)計，還通過幫助實現(xiàn)高引腳數(shù)器件的全自動處理，使得在成本高昂的組裝工廠進行光學焊接檢測更容易。憑借在最近七年里累計交付的超過67億顆器件中，僅有過5次現(xiàn)場故障，CoolMOS 8無疑鞏固了英飛凌在可靠性方面的卓越聲譽。

對系統(tǒng)集成的益處

CoolMOS 8對系統(tǒng)集成的益處，可通過英飛凌利用該系列器件進行的參考設(shè)計來證明。例如，一臺3.3 kW高頻率和超緊湊整流器可達到97.5%的效率，以及95 W/in3的功率密度，尺寸為1U時也是如此。能達到如此高的工作效率和功率密度，是因為在設(shè)計中聯(lián)合使用了CoolMOS 8、CoolSiC及CoolGaN 技術(shù)；它采用了創(chuàng)新的集成式平面磁性結(jié)構(gòu)，并對圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）級和半橋GaN LLC DC/DC功率變換級進行完全數(shù)字化控制。

單獨提供的2.7 kW配套評估板展示了利用無橋圖騰柱PFC和LLC DC/DC功率變換級構(gòu)建的高效率（>96%）電源裝置（PSU）。這一高功率密度的設(shè)計聯(lián)合使用了650 V CoolSiC和600 V CoolMOS 8開關(guān)技術(shù)。該PSU可利用XMC1404控制器（控制PFC級）和XMC4200控制器（控制LLC級）進行數(shù)字化控制，使得可以控制和調(diào)整PFC開關(guān)頻率，以進一步減小電感器尺寸，和/或降低功耗。試驗表明，該PSU在高負載條件下的效率提高了0.1%，使其相比利用CoolMOS 7 MOSFET構(gòu)建的類似設(shè)計，擁有更低功耗和更好的散熱性能。

當前供應的評估板（2.7-kW PSU和3.3-kW HD/HF SMPS）

主要應用

CoolMOS 8器件是工業(yè)和消費市場中不同SMPS應用的理想選擇。但它們?nèi)匀挥绕溥m用于數(shù)據(jù)中心和可再生能源等重要終端市場。在數(shù)據(jù)中心應用領(lǐng)域，CoolMOS 8通過實現(xiàn)利用硅器件可能達到的、盡可能最高的系統(tǒng)級功率密度，來幫助設(shè)計人員達成能源效率和總擁有成本目標。在可再生能源應用領(lǐng)域，采用頂部冷卻（TSC）封裝的CoolMOS 8器件，可幫助減小系統(tǒng)尺寸和降低解決方案成本。

面向目標應用的DDPAK和QDPAK封裝產(chǎn)品

由于600 V CoolMOS 8還擁有極低的導通電阻（RDS(on)）值（7 mΩ），因此在日益壯大的固態(tài)繼電器應用（S4）市場，它適合作為替代CoolSiC 的、更具性價比的技術(shù)。相比機械繼電器，固態(tài)繼電器擁有更快開關(guān)速度，不產(chǎn)生觸點拱起或彈跳，因而能夠延長系統(tǒng)壽命。它們還具有良好的抗沖擊、抗振動能力，以及低噪聲。

另外，通過將CoolMOS 8與CoolSiC 器件結(jié)合使用，設(shè)計人員還可優(yōu)化系統(tǒng)級性價比。對于2型壁掛式充電盒、輕型電動交通工具、無線充電器、電動叉車、電動自行車和專業(yè)工具充電，CoolMOS 8還可幫助實現(xiàn)更具成本競爭力的設(shè)計。在更寬泛的消費類應用領(lǐng)域，CoolMOS 8可讓終端產(chǎn)品更容易滿足靜電放電要求，并助力實現(xiàn)更靈活的系統(tǒng)設(shè)計。與此同時，頂部冷卻（TSC）封裝還有助于進一步降低組裝成本，并提高功率密度。

與先進MOSFET設(shè)計有關(guān)的

下一步計劃

我們不久就會推出用于驅(qū)動CoolMOS 8 MOSFET的新一代柵極驅(qū)動器，使其能夠在開關(guān)應用中實現(xiàn)最優(yōu)的RDS(on)性能。這些EiceDRIVER柵極驅(qū)動器將具有單極驅(qū)動能力，以及封裝共模瞬變抗擾度（@600 V），能夠幫助簡化系統(tǒng)認證與合規(guī)。由于厚度減小，CoolMOS 8器件非常適合使用QDPAK TSC封裝，甚至可被置于散熱片的下面。英飛凌還計劃在未來幾年內(nèi)推出采用多種不同封裝的CoolMOS 8 MOSFET。

600 V CoolMOS 8新一代硅基MOSFET技術(shù)的推出，推動電力電子領(lǐng)域取得了一次重大進展。集成快速體二極管、先進芯片焊接技術(shù)以及創(chuàng)新封裝技術(shù)等重要配置，凸顯出英飛凌致力于提供先進解決方案以滿足設(shè)計人員和工程師的更高需求的堅定決心。通過極低的現(xiàn)場故障率可以證明，這項技術(shù)還具有良好的熱性能及可靠性。

隨著CoolMOS 8器件逐漸出現(xiàn)在不同的SMPS應用中，尤其是數(shù)據(jù)中心和可再生能源等應用領(lǐng)域，它們將幫助實現(xiàn)更節(jié)能、更緊湊和更具性價比的設(shè)計。未來，通過充分發(fā)揮CoolMOS 8 MOSFET與即將推出的新一代柵極驅(qū)動器之間的協(xié)同作用，英飛凌將采取一體化方法來推進MOSFET的設(shè)計和應用。這一旅程將幫助鞏固英飛凌的半導體技術(shù)領(lǐng)先地位，并為未來的發(fā)展奠定堅實基礎(chǔ)。