納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產品NPC060N120A,其RDSon值低至60mΩ,展現了出色的導電性能。這款產品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,滿足車規與工規不同等級的需求。
納芯微的碳化硅MOSFET系列在性能上表現卓越,不僅具有穩定的RDSon溫度特性,而且在門極驅動電壓上擁有更寬的覆蓋度,確保了高可靠性。這一特性使得NPC060N120A系列特別適用于電動汽車的OBC/DCDC、熱管理系統,以及光伏、儲能系統(ESS)和不間斷電源(UPS)等關鍵領域。納芯微的此次推出,無疑將進一步推動這些領域的技術進步與性能提升。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
150文章
8341瀏覽量
218882 -
SiC
+關注
關注
31文章
3171瀏覽量
64543 -
納芯微
+關注
關注
2文章
306瀏覽量
15014
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
聞泰科技推出車規級1200V SiC MOSFET
,聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET,為電動汽車行業注入強勁新動能。
納微半導體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET
納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準,以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。納微最新一代650V與
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia(安世半導體)正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
瞻芯電子推出車規級1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產品,助力高效大功率應用
為了滿足高效、大功率變換系統應用需要,瞻芯電子開發了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產品,其中TO247-2封裝器件產品IV2D12060T2Z滿足車規級可靠性標準

瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)

納芯微發布低功耗高精度Δ-Σ型ADC
近日,納芯微推出了兩款多通道、低功耗、高精度的Δ-Σ型ADC產品——NSAD124x和NSAD114x系列。這兩款產品專為滿足工業級高精度測
納芯微推出全新CSP封裝MOSFET產品
近日,納芯微正式推出了CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12023A系列產品。這款新品以其優異的短路過流能力與雪崩過壓能力
2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊
1200V三相全橋碳化硅功率模塊,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V,工作頻率可達30kHz,輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優勢,性價比超國外產品,適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動、光伏風能發電等領域

1200V GaN又有新玩家入場,已進入量產
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)最近,又有國內GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術。7月26日,宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發生產的藍寶石基GaN功率器件工作電壓達到1200V,已進入
本土IDM廠商SiC MOSFET新進展,將應用于車載電驅
1200V SiC MOSFET又有了新進展。 ? 本土IDM 廠商量產第三代SiC MOSFET 工藝平臺 ? 最近瞻
瞻芯電子SiC MOSFET技術新突破,車規級產品正式量產
在半導體技術的浪潮中,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)以其卓越的研發實力和不懈的創新精神,再次書寫了行業的新篇章。近日,瞻芯電子基于第三代工藝平臺開發的1200V 13
瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規級可靠性測試認證
近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品(IV3Q1

評論