女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

凱世通交付首臺面向CIS的大束流離子注入機

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-30 09:34 ? 次閱讀

近日,上海凱世通半導體股份有限公司迎來重要里程碑——首次成功交付用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器(CIS)的大型離子注入機給全新客戶。

據(jù)了解,到2024年第一季度為止,該公司已陸續(xù)向多個特定客戶發(fā)出了多個離子注入機訂單,單季度就完成了八臺離子注入機的客戶端上線工作,呈現(xiàn)出迅猛增長的發(fā)展態(tài)勢,取得了良好開局。

作為電子信息行業(yè)的基石,集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)系著國家發(fā)展大局。而離子注入機、光刻機、刻蝕機及薄膜沉積設(shè)備被譽為芯片加工的關(guān)鍵設(shè)備。

然而,國內(nèi)在此領(lǐng)域存在國產(chǎn)化程度低的問題,只有不到五成的設(shè)備來自于本土企業(yè)。因此,凱世通以市場需求和前沿科技創(chuàng)新為導向,現(xiàn)已成功推出多種類型的離子注入機,并滿足了頻繁且大規(guī)模的訂單需求。

此舉成功挑戰(zhàn)了極具技術(shù)難度的CIS大束流離子注入機,再次證明其在關(guān)鍵技術(shù)上堅守自主研發(fā)與創(chuàng)新的決心。

未來,凱世通將繼續(xù)深入開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品,擴展產(chǎn)品線,力求以更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品回饋客戶,為推動集成電路行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展獻力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5420

    文章

    11956

    瀏覽量

    367236
  • 半導體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28625

    瀏覽量

    232870
  • CIS
    CIS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    207

    瀏覽量

    30021
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    芯片離子注入后退火會引入的工藝問題

    本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題:射程末端(EOR)缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。
    的頭像 發(fā)表于 04-23 10:54 ?423次閱讀
    芯片<b class='flag-5'>離子注入</b>后退火會引入的工藝問題

    【「芯片通識課:一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗】了解芯片怎樣制造

    TSMC,中芯國際SMIC 組成:核心:生產(chǎn)線,服務(wù):技術(shù)部門,生產(chǎn)管理部門,動力站(雙路保障),廢水處理站(環(huán)保,循環(huán)利用)等。生產(chǎn)線主要設(shè)備: 外延爐,薄膜設(shè)備,光刻,蝕刻離子注入機,擴散爐
    發(fā)表于 03-27 16:38

    聚焦離子束與掃描電鏡聯(lián)用技術(shù)

    技術(shù)概述聚焦離子束與掃描電鏡聯(lián)用系統(tǒng)(FIB-SEM)是一種融合高分辨率成像與微納加工能力的前沿設(shè)備,主要由掃描電鏡(SEM)、聚焦離子束(FIB)和氣體注入系統(tǒng)(GIS)構(gòu)成。聚焦離子束
    的頭像 發(fā)表于 02-25 17:29 ?423次閱讀
    聚焦<b class='flag-5'>離子束</b>與掃描電鏡聯(lián)用技術(shù)

    聚焦離子束顯微鏡(FIB):原理揭秘與應用實例

    工作原理聚焦離子束顯微鏡的原理是通過將離子束聚焦到納米尺度,并探測離子與樣品之間的相互作用來實現(xiàn)成像。離子束可以是氬離子、鎵
    的頭像 發(fā)表于 02-14 12:49 ?600次閱讀
    聚焦<b class='flag-5'>離子束</b>顯微鏡(FIB):原理揭秘與應用實例

    什么是聚焦離子束(FIB)?

    ,憑借其獨特的原理、廣泛的應用場景以及顯著的優(yōu)勢,成為現(xiàn)代科學研究與工業(yè)生產(chǎn)中不可或缺的重要工具。基本原理聚焦離子束顯微鏡系統(tǒng)的核心在于其精妙的離子束產(chǎn)生與調(diào)控
    的頭像 發(fā)表于 02-13 17:09 ?520次閱讀
    什么是聚焦<b class='flag-5'>離子束</b>(FIB)?

    離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

    涵蓋了離子源的類型、注入劑量、注入能量、注入角度以及硅片的旋轉(zhuǎn)等因素。 離子注入工藝參數(shù) 1)注入
    的頭像 發(fā)表于 01-21 10:52 ?1107次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入</b>工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

    TRCX:摻雜過程分析

    在 LTPS 制造過程中,使用自對準掩模通過離子注入來金屬化有源層。當通過 TRCX 計算電容時,應用與實際工藝相同的原理。工程師可以根據(jù)真實的 3D 結(jié)構(gòu)提取準確的電容,并分析有源層離子注入前后的電位分布,如下圖所示。 (a)FIB (b) 摻雜前后對比
    發(fā)表于 01-08 08:46

    一文了解半導體離子注入技術(shù)

    離子注入是一種將所需要的摻雜劑注入到半導體或其他材料中的一種技術(shù)手段,本文詳細介紹了離子注入技術(shù)的原理、設(shè)備和優(yōu)缺點。 ? 常見半導體晶圓材料是單晶硅,在元素周期表中,硅排列在第14位,硅原子最外層
    的頭像 發(fā)表于 01-06 10:47 ?1168次閱讀
    一文了解半導體<b class='flag-5'>離子注入</b>技術(shù)

    離子注入的目的及退火過程

    離子注入后退火是半導體器件制造中的一個關(guān)鍵步驟,它影響著器件的性能和可靠性。 離子注入是將摻雜劑離子加速并注入到硅晶圓中,以改變其電學性質(zhì)的過程。而退火是一個熱處理過程,通過加熱晶圓來
    的頭像 發(fā)表于 01-02 10:22 ?1136次閱讀

    一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

    本文介紹了一種在MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)特征尺寸縮小至深亞微米級別、短溝道效應顯著時采用的一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)。 ? 離子注入 在半導體制造工藝中指的是離子注入(Ion
    的頭像 發(fā)表于 12-31 11:49 ?1350次閱讀
    一種<b class='flag-5'>離子注入</b>技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

    聚焦離子束系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)、工作原理及聚焦離子束系統(tǒng)

    尺度的測量與制造納米技術(shù),作為全球科研的熱點,關(guān)鍵在于其能夠在納米級別進行精確的測量和制造。納米測量技術(shù)負責收集和處理數(shù)據(jù),而納米加工技術(shù)則是實現(xiàn)微觀制造目標的核心工具。電子離子束技術(shù)是這一
    的頭像 發(fā)表于 12-17 15:08 ?1166次閱讀
    聚焦<b class='flag-5'>離子束</b>系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)、工作原理及聚焦<b class='flag-5'>離子束</b>雙<b class='flag-5'>束</b>系統(tǒng)

    聚焦離子束技術(shù)的歷史發(fā)展

    。FIB技術(shù)的起源FIB技術(shù)的歷史可以追溯到20紀60年代,當時科學家們開始探索使用離子束對樣品進行分析和加工的可能性。在隨后的幾十年里,這項技術(shù)經(jīng)歷了從實驗室原
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:32 ?598次閱讀
    聚焦<b class='flag-5'>離子束</b>技術(shù)的歷史發(fā)展

    SiC的離子注入工藝及其注意事項

    離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤1疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 11:09 ?966次閱讀

    源漏離子注入工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重摻雜的工藝,降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻,提高器件的速度。同時源漏離子注入也會形成n型和p型阱接觸的有源區(qū),或者n型和p型有源區(qū)電阻,以及n型和p型多晶硅電阻。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 10:04 ?985次閱讀
    源漏<b class='flag-5'>離子注入</b>工藝的制造流程

    萬業(yè)企業(yè)旗下通半導體:離子注入機基本自主可控!

    零部件本土化新質(zhì)生產(chǎn)力研討會暨協(xié)同創(chuàng)新戰(zhàn)略合作簽約儀式在上海浦東成功舉辦。萬業(yè)企業(yè)旗下上海通半導體股份有限公司(以下簡稱通)攜手國內(nèi)頂尖的集成電路制造企業(yè)、中國科學院合肥物質(zhì)
    的頭像 發(fā)表于 09-13 18:03 ?646次閱讀