近日,證監會正式披露了深圳市納設智能裝備股份有限公司(以下簡稱“納設智能”)的首次公開發行股票并上市輔導備案報告,這標志著納設智能正式啟動了上市進程。
納設智能自2018年10月成立以來,一直專注于第三代半導體碳化硅(SiC)外延設備、石墨烯等先進材料制造裝備的研發、生產、銷售和應用推廣。公司自主研發的第三代半導體SiC高溫化學氣相沉積外延設備,在工藝指標、耗材成本、維護頻率等方面表現優異,是國內首臺完全自主創新的SiC外延設備,對于提升我國第三代半導體產業的整體競爭力具有重要意義。
此次證監會披露的輔導備案報告,意味著納設智能已經具備了上市的條件和要求。未來,隨著公司業務的不斷拓展和市場需求的持續增長,納設智能有望通過公開發行股票籌集更多資金,進一步提升技術研發能力和市場競爭力,加速推動第三代半導體產業的發展。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
335文章
28600瀏覽量
232528 -
SiC
+關注
關注
31文章
3157瀏覽量
64442 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
3017瀏覽量
50059
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
全球最大碳化硅工廠頭銜易主?又有新8英寸碳化硅產線投產!
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)英飛凌在8月8日宣布,其位于馬來西亞的新工廠一期項目正式啟動運營,這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠,一期項目投資額高達20億歐元,重點生產碳化硅功率半導體
納微半導體氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈
近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。

碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法
引言
碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化學特性,在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領域具有廣泛應用。在SiC外延晶片的制備過程中,硅面貼膜是一道關鍵步驟,用于保護外延層免受機械損

碳化硅薄膜沉積技術介紹
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而

鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置
器件制造的關鍵。鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置作為一種先進的生長設備,以其獨特的結構和高效的生長性能,成為制備高質量SiC外延片的重要工具。本文將詳細介紹鐘罩式

天域半導體IPO:國內碳化硅外延片行業第一,2024年上半年陷入增收不增利困局
電子發燒友網報道(文/莫婷婷)2024年12月,天域半導體的港交所主板IPO申請獲受理。2023年6月,天域半導體向深交所提交上市申請,但在2024年8月,終止輔導機構協議。 ? ? 國內碳化硅

什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
發表于 01-04 12:37
高溫大面積碳化硅外延生長裝置及處理方法
碳化硅(SiC)作為一種具有優異物理和化學性質的半導體材料,在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域展現出巨大的應用潛力。高質量、大面積的SiC外延生長是實現高性能SiC器件制造的關鍵環節。然而

8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構
隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用,高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內的主流尺寸,其外延生長室的結構設計

ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機臺
全新推出的PE2O8碳化硅外延機臺是對行業領先的ASM單晶片碳化硅外延機臺產品組合(包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8)的進一步增強。該機臺采用獨立雙
發表于 10-17 14:21
?266次閱讀

ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機臺
全新推出的PE2O8碳化硅外延機臺是對行業領先的ASM單晶片碳化硅外延機臺產品組合(包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8)的進一步增強。該機臺采用獨立雙
發表于 10-17 14:11
?484次閱讀


納微半導體發布第三代快速碳化硅MOSFETs
納微半導體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體的行業領軍者,近日正式推出了其最新研發的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產品系列,包括650V和1200V兩大規格。
評論