女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

IGBT單管和模塊的對比和分析

話說科技 ? 來源:話說科技 ? 作者:話說科技 ? 2024-01-09 09:04 ? 次閱讀

最近很多朋友和我聊到IGBT單管和模塊的區別,優缺點對比等。本人從事電力電子產品研發十幾年有余,對單管和模塊都有一定的應用,開發過的產品包括工頻塔式機UPS、500KW光伏逆變器、模塊化UPS、充電模塊等,結合實際工作中經常和功率半導體廠家、業界的諸多逆變器硬件工程師交流,對單管和模塊進行簡單的總結,希望對大家的IGBT設計選型和逆變器選型有所幫助。

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor),其生產工藝主要包括晶體管材料的生長、切割、清洗、制備、封裝和測試等步驟,大家有興趣可以對其中的每一個生產環節進行深入了解。下面從以下幾個方面對單管和模塊IGBT進行對比分析。

一、IGBT單管和模塊制成過程

單管和模塊都經歷晶體管材料的生長、切割、清洗、制備過程,二者區別主要是在封測,IGBT單管是將IGBT晶圓芯片封裝在一個獨立的封裝中,常見的封裝類型包括TO-220、TO-247等。IGBT模塊是將多個IGBT晶圓芯片、二極管晶圓芯片等封裝在一起的模塊化設備,內部的IGBT晶圓芯片并聯工作,本質上也是多個IGBT單管并聯。

在IGBT模塊生產時,IGBT廠家會將同批次的晶圓并聯在一起組成模塊。而一般IGBT廠家出貨給逆變器廠家的單管IGBT一般也是同批次晶圓,IGBT單管用戶在使用過程中工藝中也會明確要求同廠家同批次并聯。因此從并聯角度來看,二者本質上沒有區別。之前很多朋友提到模塊一致性要比單管一致性好,其說法并不正確。

IGBT廠家單管和模塊出貨情況

來自英飛凌官網的數據,2021年單管銷售額約為模塊銷售額的1/2,其中模塊主要銷售來源于大功率塔式機應用,功率在200KVA以上。在200KVA以下,越來越多用戶選擇使用單管方案。從發貨量來對比,IGBT單管的出貨量遠大于IGBT模塊。

單管從2010光伏行業開始大規模使用,如今在UPS、充電模塊、光伏、OBC、電驅領域,基本以單管IGBT為主。業界主要風電變流器廠家禾望電氣,最近推出的逆變器已采用6個IGBT單管進行并聯,單模塊功率達到300Kvar。

深圳諸多逆變器廠家如華為、維諦、科華、英威騰、禾望等,一般模塊功率小于200KW基本使用單管IGBT方案,大功率塔式機一般沿用IGBT模塊方案。

從近幾年的出貨數據來看,IGBT單管的應用會越來越廣泛。

不用領域應用現狀

在技術競爭比較激烈的電力電子行業,如光伏逆變器、UPS、充電模塊等領域,在2014年以后很多新產品開始使用IGBT單管方案。在一些細分領域如APF/SVG、非標定制電源等,開始逐漸意識到單管的優勢,尤其是在功率密度、供貨方面,單管具有天然的優勢。

為什么單管IGBT得到越來越多用戶的青睞,我認為主要有以下幾個方面,首先是供貨問題,新冠疫情給很多廠家帶來的最大困難是IC買不到的問題,IGBT模塊同樣如此,由于其供貨廠家有限、封裝兼容性不強,導致很多逆變器廠家IGBT模塊買不到,導致不能發貨。對比起來,IGBT單管供貨廠家有幾十甚至上百家,封裝完全兼容,不存在供貨問題,而且替代起來不需要改板,這一點為逆變器廠家替代帶來了極大的便利。

其次單管IGBT容量越來越大,近兩年的IGBT單管247-plus封裝,基本已經做到650V/100A以上,采用交錯3*3并聯方案,功率基本可以達到300A,因此對于單模塊小于300A功率段的逆變器,采用單管方案很容易實現。

第三點我認為是單管IGBT體積小,有利于產品系統方案和結構設計,拓撲選用靈活,不同特性的IGBT搭配起來方便,能夠幫助提升效率和功率密度。以華為最新一代模塊化UPS為例,高度3U,功率已經做到125KW,可以過載150% 1分鐘,全部采用單管IGBT或MOS方案

可靠性對比

逆變器可靠性本質上并不取決于IGBT采用了單管還是模塊方案,從并聯均流、防護性

等角度二者無本質差異,逆變器可靠性更依賴于設計者設計能力、經驗等,特斯拉電動車設計之初電驅就采用SIC mos多管并聯方案,其產品是電動車領域最為可靠的產品。

因此簡單的采用模塊和單管來對比逆變器的可靠性,并不客觀。

總 結:

筆者認為逆變器設計選型采用模塊還是單管主要取決于功率段,大于200K以上逆變器,如果技術積累不足,建議采用模塊IGBT方案。小于200K功率逆變器,建議采用單管IGBT方案,無論從功率密度、產品性能等方面更具有優勢。


審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 晶圓
    +關注

    關注

    52

    文章

    5118

    瀏覽量

    129160
  • 逆變器
    +關注

    關注

    293

    文章

    4857

    瀏覽量

    210054
  • IGBT
    +關注

    關注

    1277

    文章

    4025

    瀏覽量

    253371
  • 晶體管
    +關注

    關注

    77

    文章

    9978

    瀏覽量

    140643
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    IGBT模塊吸收回路分析模型

    IGBT吸收電路的模型。在分析中均假定:所有二極的通態電壓降為零,開關器件T的拖尾電流為零,開關器件T的通態電壓降為零。
    的頭像 發表于 05-21 09:45 ?391次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>吸收回路<b class='flag-5'>分析</b>模型

    功率半導體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

    IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件,具有結構簡單、容量大、損耗低等優點,被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體IGBT)功率模塊
    的頭像 發表于 04-16 08:06 ?240次閱讀
    功率半導體器件<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>:PPS注塑加工案例

    中國電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊和SiC模塊

    中國電力電子客戶逐漸擺脫對國外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體)和SiC功率模塊供應商的依賴,轉向國產替代產品IGBT
    的頭像 發表于 03-28 09:50 ?244次閱讀

    英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價格戰策略的本質與深層危機分析

    英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價策略的本質與深層危機分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國市場掀起了降價超過30%的
    的頭像 發表于 03-21 13:18 ?408次閱讀
    英飛凌與富士等外資品牌<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>價格戰策略的本質與深層危機<b class='flag-5'>分析</b>

    陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT

    陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT,產品型號為YGK40N120TMA1。
    的頭像 發表于 03-11 16:17 ?393次閱讀
    陸芯科技推出1200V40A GEN3 <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>

    高頻感應電源國產SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻感應電源應用為例,分析BASiC基本股份國產SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動
    的頭像 發表于 02-10 09:41 ?324次閱讀
    高頻感應電源國產SiC碳化硅<b class='flag-5'>模塊</b>替代英飛凌<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>損耗計算<b class='flag-5'>對比</b>

    高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應用為例,分析BASiC基本股份國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比: 傾佳電子楊茜致力于推動
    的頭像 發表于 02-09 20:17 ?447次閱讀
    高頻電鍍電源國產SiC碳化硅<b class='flag-5'>模塊</b>替代富士<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>損耗<b class='flag-5'>對比</b>

    IGBT芯片//模塊/器件的區別

    在電力電子技術的快速中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體)技術以其高效、可靠的性能,成為眾多領域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復雜的IGBT器件,每一個組成部分都承載著推動電力電子技術
    的頭像 發表于 10-15 15:23 ?1528次閱讀

    飛虹半導體FHA60T65A IGBT在直流電焊機的應用

    IGBT因其能夠提供穩定的電流輸出以及提高能量效率的特點而常用于直流電焊機中。因此對于直流電焊機在使用IGBT
    的頭像 發表于 09-04 10:54 ?1028次閱讀

    飛虹半導體FHA75T65A IGBT在壓焊機的應用

    壓焊機的電流控制電路可以使用國產優質IGBTFHA75T65A來代換FGH75N65SHDT型號參數。
    的頭像 發表于 09-04 10:50 ?945次閱讀

    IGBT芯片與IGBT模塊有什么不同

    IGBT(絕緣柵雙極型晶體)芯片與IGBT模塊在電力電子領域中扮演著至關重要的角色,它們在結構、功能、應用及性能等方面存在顯著的差異。以下是對兩者區別的詳細探討,旨在全面而深入地解析
    的頭像 發表于 08-08 09:37 ?2387次閱讀

    igbt模塊的作用和功能有哪些

    Transistor)是一種絕緣柵雙極型晶體,它結合了MOSFET和BJT的優點,具有高輸入阻抗、低導通壓降、快速開關速度等特點。IGBT模塊則是將多個IGBT芯片封裝在一個
    的頭像 發表于 08-07 17:06 ?6181次閱讀

    IGBT關斷過程分析

    絕緣柵雙極型晶體IGBT)作為電力電子領域中至關重要的元件,其關斷過程的分析對于理解其性能和應用至關重要。IGBT結合了雙極型晶體(B
    的頭像 發表于 07-26 18:03 ?4473次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>關斷過程<b class='flag-5'>分析</b>

    影響IGBT功率模塊散熱的因素

    IGBT(絕緣柵雙極型晶體)功率模塊作為電力電子系統中的核心部件,其散熱問題直接影響到系統的穩定性、可靠性和效率。以下是對IGBT功率模塊
    的頭像 發表于 07-26 17:24 ?1703次閱讀

    igbt模塊igbt驅動有什么區別

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊IGBT驅動是電力電子領域中非常重要的兩個組成部分。它們在許多應用中發揮著關鍵作用,如電機驅動、電源轉換、太陽能
    的頭像 發表于 07-25 09:15 ?1739次閱讀