一、引言
隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高導熱率和高電子飽和遷移率,使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優點。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應用領域以及發展前景。
二、碳化硅功率器件的基本原理
碳化硅功率器件主要包括二極管、晶體管等,它們的工作原理與硅功率器件類似,主要依賴于半導體材料的能帶結構。然而,碳化硅的能帶結構與硅有所不同,這使得碳化硅功率器件具有一些獨特的性能。
碳化硅二極管
碳化硅二極管是一種具有整流作用的功率器件,其工作原理與硅二極管類似。當外加正向電壓時,碳化硅二極管中的電子從N區注入P區,形成正向電流。當外加反向電壓時,碳化硅二極管中的空穴從P區注入N區,形成反向電流。由于碳化硅的能帶結構具有高禁帶寬度和高電子飽和遷移率,使得碳化硅二極管具有高耐壓、高電流密度、高效率等優點。
碳化硅晶體管
碳化硅晶體管是一種具有放大作用的功率器件,其工作原理與硅晶體管類似。當外加電壓時,碳化硅晶體管中的電子和空穴在基區中形成電流,并通過集電區的收集作用形成輸出電流。由于碳化硅的能帶結構具有高禁帶寬度和高電子飽和遷移率,使得碳化硅晶體管具有高耐壓、高電流密度、高效率等優點。
三、碳化硅功率器件的應用領域
新能源汽車
隨著新能源汽車市場的不斷擴大,碳化硅功率器件在新能源汽車中的應用也越來越廣泛。碳化硅功率器件的高效率、高功率密度和高可靠性,使得它成為新能源汽車逆變器、電機控制器等核心部件的首選。
軌道交通
軌道交通對于電力電子設備的要求非常高,而碳化硅功率器件的高效率、高功率密度和高可靠性正好滿足這一要求。因此,碳化硅功率器件在軌道交通領域的應用也越來越廣泛,如牽引逆變器、輔助電源等。
智能電網是未來電力系統的必然趨勢,而碳化硅功率器件的高效率、高功率密度和高可靠性正好滿足智能電網的需求。因此,碳化硅功率器件在智能電網中的應用也越來越廣泛,如無功補償器、有源濾波器等。
四、發展前景
隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅功率器件的應用前景越來越廣闊。未來,隨著技術的不斷進步和成本的逐漸降低,碳化硅功率器件將在更多領域得到應用。同時,隨著新能源汽車、軌道交通、智能電網等領域的不斷發展,碳化硅功率器件的市場需求也將不斷增長。因此,碳化硅功率器件的發展前景非常廣闊。
五、結論
本文介紹了碳化硅功率器件的基本原理、應用領域以及發展前景。可以看出,碳化硅功率器件作為一種新型的半導體材料,具有高效率、高功率密度、高可靠性等優點,未來將在更多領域得到應用并實現更大發展。
無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規集成電路研發及產業化的高科技創新型企業,從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發區內,并在杭州、深圳和香港設有研發中心和銷售服務支持中心及辦事處。
公司具有國內領先的研發實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務,使客戶的系統性能優異、靈活可靠,并具有成本競爭力。
公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級、車規級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網、高頻電焊、軌道交通、工業控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現優異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統整體可靠性,可使電動汽車在續航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現設計用充電樁的高溫環境下安全、穩定運行。
特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業內領先的研發團隊。在國內創先設計開發了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。
公司核心研發團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發。公司建立了科技創新和知識產權管理的規范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發明專利。
“國之重器,從晶出發,自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業目標,我們為員工提供精彩的發展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:碳化硅功率器件:推動電力電子發展的新動力
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6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.1.1 選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

8.2.6 功率MOSFET 的實施:DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

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