雙極晶體管工藝流程

1.襯底:NPN雙極晶體管的基礎是p摻雜(硼)硅襯底，上面沉積了厚氧化層（600 nm）。

2.埋層注入：氧化物作為注入屏蔽層。由于使用了摻雜劑銻 (Sb)，其擴散系數低于磷，因此摻雜劑不會在后續工藝中擴散太多。高 n + 摻雜的掩埋集電極用作集電極端口的低電阻接觸表面。

3. 同質外延：在外延過程中，高阻抗（低n?摻雜）集電極沉積層（10微米）。

4. 基極注入：引入 p 摻雜基極，隨后的擴散步驟擴大了其尺寸。

5. 發射極和集電極注入：用磷引入了高度 n+ 摻雜的發射極和集電極結。

6. 金屬化和光刻：在濺射工藝中沉積鋁用于接觸，并在其頂部形成抗蝕劑層。

7. 蝕刻：最后，發射極、基極和集電極的連接器采用各向異性的干法蝕刻工藝構建。

雙極晶體管的基本結構由兩個 PN 結組成，產生三個連接端子，每個端子都有一個名稱，以將其與其他兩個端子區分開來。這三個端子是已知的，分別標記為發射器（E）、基極（B）和集電極（C）。

雙極晶體管是一種電流調節器件，它控制從發射極流過集電極端子的電流量，與施加到其基極的偏置電壓量成比例，因此其作用類似于電流控制開關。由于流入基極的小電流控制著更大的集電極電流，因此形成了晶體管動作的基礎。

PNP 和 NPN 兩種晶體管的工作原理完全相同，唯一的區別在于它們的偏置和每種類型的電源極性。

上面給出了PNP和NPN雙極晶體管的結構和電路符號，電路符號中的箭頭始終顯示基極和發射極之間的“常規電流”方向。對于兩種晶體管類型，箭頭的方向始終從正 P 型區域指向負 N 型區域，與標準二極管符號完全相同。

雙極晶體管配置

由于雙極晶體管是三端器件，因此在電子電路中基本上有三種可能的連接方式，其中一個端子是輸入和輸出信號的公共端子。由于晶體管的靜態特性隨電路布置而變化，因此每種連接方法對其電路中的輸入信號的響應都不同。

通用基本配置 – 具有電壓增益，但沒有電流增益。

共發射極配置 – 具有電流和電壓增益。

通用集電極配置 – 具有電流增益，但沒有電壓增益。

我們以npn晶體管為例，其中集電極電位高于發射極電位，基極電位大約比發射極電位高0.7 V。換言之，基極-發射極結是正向偏置的，而基極-集電極結是反向偏置的。

當基極-發射極結正向偏置時，小電流流入基極，將空穴注入p摻雜基極區域。這降低了基極和發射極之間的能量勢壘，允許發射極中的一些自由電子擴散到基極。由于發射極和基極之間的雜質濃度不同，與擴散電子相比，基極中的空穴數量很少。此外，基極非常薄。由于電子的數量大于空穴的數量，并且它們在基極中存在的時間很短，因此大多數擴散電子到達基極-集電極結并流入集電極而不會復合。這是集電極電流。

直流電流增益 hFE主要由基極和發射極之間雜質濃度的差異和基極寬度的厚度決定。BJT是一種集電極電流可以由基極電流控制的器件。

接下來，我們來考慮pnp晶體管。假設集電極電位低于發射極電位，基極電位比發射極電位低約0.7 V。在pnp晶體管的情況下，電子被注入n摻雜的基區。這降低了能量勢壘，并允許一些空穴從發射器擴散出來。其中一些空穴與注入基區的電子重新結合。剩余的空穴擴散到基底區域，到達收集器。