mlcc簡(jiǎn)介

　　MLCC即多層陶瓷電容器，也可簡(jiǎn)稱為片式電容器、積層電容、疊層電容等，屬于陶瓷電容器的一種。MLCC是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過(guò)一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷電子元器件，再在電子元器件的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個(gè)類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，因此也可叫做“獨(dú)石電容器”。

　　簡(jiǎn)單的平行板電容器基本結(jié)構(gòu)是由一個(gè)絕緣的中間介質(zhì)層加上外部?jī)蓚€(gè)導(dǎo)電的金屬電極，而MLCC的結(jié)構(gòu)主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)，金屬內(nèi)電極，金屬外電極。從結(jié)構(gòu)上看，MLCC是多層疊合結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)單地說(shuō)它是由多個(gè)簡(jiǎn)單平行板電容器的并聯(lián)體。

　　mlcc特性

　　MLCC具有體積小、電容量大、高頻使用時(shí)損失率低、適合大量生產(chǎn)、價(jià)格低廉及穩(wěn)定性高等特性，在信息產(chǎn)品講求輕、薄、短、小的發(fā)展趨勢(shì)及表面貼裝技術(shù)（SMT）應(yīng)用日益普及的市場(chǎng)環(huán)境下，具有良好的發(fā)展前景。

　　mlcc工藝流程

　　1．配料：將陶瓷粉和粘合劑及溶劑等按一定比例經(jīng)過(guò)球磨一定時(shí)間，形成陶瓷漿料。

　　2．流延：將陶瓷漿料通過(guò)流延機(jī)的澆注口，使其涂布在繞行的PET膜上，從而形成一層均勻的漿料薄層，再通過(guò)熱風(fēng)區(qū)（將漿料中絕大部分溶劑揮發(fā)），經(jīng)干燥后可得到陶瓷膜片，一般膜片的厚度在10um-30um之間。

　　3．印刷：按照工藝要求，通過(guò)絲網(wǎng)印版將內(nèi)電極漿料印刷到陶瓷膜片上。

　　4．疊層：把印刷有內(nèi)電極的陶瓷膜片按設(shè)計(jì)的錯(cuò)位要求，疊壓在一起，使之形成MLCC的巴塊（Bar）。

　　5.制蓋：制作電容器的上下保護(hù)片。疊層時(shí)，底和頂面加上陶瓷保護(hù)片，以增加機(jī)械強(qiáng)度和提高絕緣性能。

　　6．層壓：疊層好的巴塊（Bar），用層壓袋將巴塊（Bar）裝好，抽真空包封后，用等靜壓方式加壓使巴塊（Bar）中的層與層之間結(jié)合更加緊密，嚴(yán)實(shí)。

　　7．切割：層壓好的巴塊（Bar）切割成獨(dú)立的電容器生坯。

　　8．排膠：將電容器生坯放置在承燒板上，按一定的溫度曲線（最高溫度一般在400度℃左右），經(jīng)高溫烘烤，去除芯片中的粘合劑等有機(jī)物質(zhì)。排膠作用：1）排除芯片中的粘合劑有機(jī)物質(zhì)，以避免燒成時(shí)有機(jī)物質(zhì)的快速揮發(fā)造成產(chǎn)品分層與開(kāi)裂，以保證燒出具有所需形狀的完好的瓷件。2）消除粘合劑在燒成時(shí)的還原作用。

　　9．燒結(jié)：排膠完成的芯片進(jìn)行高溫處理，一般燒結(jié)溫度在1140℃~1340℃之間，使其成為具有高機(jī)械強(qiáng)度，優(yōu)良的電氣性能的陶瓷體的工藝過(guò)程。

　　10．倒角：燒結(jié)成瓷的電容器與水和磨介裝在倒角罐，通過(guò)球磨、行星磨等方式運(yùn)動(dòng)，使之形成光潔的表面，以保證產(chǎn)品的內(nèi)電極充分暴露，保證內(nèi)外電極的連接。

　　11．端接：將端漿涂覆在經(jīng)倒角處理的芯片外露內(nèi)部電極的兩端上，將同側(cè)內(nèi)部電極連接起來(lái)，形成外部電極。

　　12．燒端：端接后產(chǎn)品經(jīng)過(guò)低溫?zé)Y(jié)后才能確保內(nèi)外電極的連接。并使端頭與瓷體具有一定的結(jié)合強(qiáng)度。

　　13．端頭處理：表面處理過(guò)程是一種電沉積過(guò)程，它是指電解液中的金屬離子（或絡(luò)合離子）在直流電作用下，在陰極表面還原成金屬（或合金）的過(guò)程。電容一般是在端頭（Ag端頭或Cu端頭）上鍍一層鎳后，再鍍層錫。

　　14．外觀挑選：借助放大鏡或顯微鏡將具有表面缺陷的產(chǎn)品挑選出來(lái)。

　　15．測(cè)試：對(duì)電容產(chǎn)品電性能方面進(jìn)行選別：容量、損耗、絕緣、電阻、耐壓進(jìn)行100%測(cè)量分檔，把不良品剔除。

　　16：編帶：將電容按照尺寸大小及數(shù)量要求包裝在紙帶或塑料袋內(nèi)。

　　MLCC的主要應(yīng)用領(lǐng)域

　　MLCC可適用于各種電路，如振蕩電路、定時(shí)或延時(shí)電路、耦合電路、往耦電路、平濾濾波電路、抑制高頻噪聲等。

　　MLCC在IC電源中的應(yīng)用

　　由于CPU的高速化和采用LTE通信，使得電力消耗變大，電池的容量也將隨之上升，因此安裝電子元器件的主要電路板將會(huì)出現(xiàn)越來(lái)越小的傾向。并且伴隨著多功能化，電路板上安裝的電子元器件的數(shù)量也會(huì)增加。特別是處理大容量數(shù)據(jù)的應(yīng)用處理器IC電源，一個(gè)IC電源要使用幾十個(gè)片狀多層陶瓷電容器（Multi-Layer Ceramic CaPACitor、以下稱MLCC）。

　　通過(guò)上述的背景和智能手機(jī)技術(shù)的趨勢(shì)來(lái)看，IC電源中使用的MLCC必須具備如下幾點(diǎn)要求：

　　小型、容量大

　　阻抗低

　　作為IC電源用的MLCC來(lái)說(shuō)如果正確使用于小型大容量的低ESL電容器中的話，可以減少M(fèi)LCC的1/2的使用量，同時(shí)也大幅度減少了MLCC所占據(jù)的使用面積。

　　使用低ESL電容器的目的

　　圖1所示的是IC/LSI的電源線與所使用的MLCC的連接方式。

　　IC/LSI開(kāi)關(guān)速度的高速化使IC/LSI本身很容易變成噪聲源，為了解決這種高頻噪聲和抑制電源電壓波動(dòng)，很多MLCC將被當(dāng)做旁路電容來(lái)使用。

　　圖1中，從IC/LSI的HOT端子流出，經(jīng)過(guò)MLCC，再回到IC/LSI的GND端子的電流回路的阻抗被稱為環(huán)路阻抗。IC/LSI的HOT-GND間發(fā)生的電源電壓波動(dòng)，很大程度依存于這種環(huán)路阻抗。因此，抑制電源電壓的變動(dòng)首先需要降低環(huán)路阻抗。此時(shí)， MLCC的阻抗就成為了環(huán)路阻抗的一部分了。

　　降低環(huán)路阻抗通常是并聯(lián)很多MLCC，總阻抗會(huì)因?yàn)椴⒙?lián)的效果而變小。這里使用的MLCC的結(jié)構(gòu)和等效電路如右下的圖1所示，我所說(shuō)的電容器是指因?yàn)榘惭b了等效串聯(lián)電阻（ESR）、等效串聯(lián)電感（ESL），當(dāng)中的ESL大大增加了高頻率的環(huán)路阻抗。