【科普小貼士】MOSFET的性能：漏極電流和功耗
允許損耗和漏極電流是MOSFET的典型最大額定值，計(jì)算如下。
（有些產(chǎn)品采用了不同的電流表達(dá)式。）
通過(guò)熱阻和結(jié)溫來(lái)計(jì)算功耗。漏極電流將采用歐姆定律，由計(jì)算得出的功耗和導(dǎo)通電阻進(jìn)行計(jì)算。
PD：功耗
?器件指定溫度條件下允許的功耗
ID：漏極電流
?直流額定值：正向流動(dòng)的直流電流。（在室溫下定義）
IDp：脈沖漏極電流
?指定脈寬下的最大漏極電流。一般是直流電流的4倍。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
8247瀏覽量
218455 -
漏極電流
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
18瀏覽量
8174
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類(lèi)的MOSFET特性摘要
【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類(lèi)的MOSFET特性摘要
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：低RDS(ON)的解決方案
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：低RDS(ON)的解決方案
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論