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      【科普小貼士】BJT和MOSFET的差異

      jf_pJlTbmA9 ? 來源：東芝半導體 ? 2023-12-13 14:21 ? 次閱讀
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      關于BJT和MOSFET開關操作差異的解釋。

      （1）基極電壓升高時，BJT的基極電流開始流動，集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發生電流流動。這個電壓被稱為基極-發射極閾值電壓（VBE）。為了使集電極電流流動，需要提供基極電流，并且需要連續的驅動功率。（需要低驅動電壓、連續驅動功率）

      （2）由于MOSFET根據柵極-源極電壓形成一個溝道，這個電壓必須是一定的或更高的電壓。一旦溝道形成，導通狀態繼續，漏極電流繼續流動，因此所需的驅動功率很小。通過釋放積聚在柵極中的電荷并移除溝道，它將轉變為關閉狀態。（驅動電壓高于BJT，驅動功率?。?/p>

      wKgZomVdmoKAEUTSAABdGbnLmi0134.png

      圖3-5（a）BJT的開關操作

      wKgZomVdmoqAESZIAABY2-FxSwU680.png

      圖3-5（b）MOSFET的開關操作

      本文轉載自：東芝半導體

      審核編輯：湯梓紅

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