現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來的幾年里,隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步,器件的溝道長(zhǎng)度將小于 10nm。在這么短的距離內(nèi),為使器件能夠工作,將采用非常高的摻雜濃度梯度。
發(fā)表于 06-18 11:43
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當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)
發(fā)表于 05-16 17:32
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請(qǐng)問各位專家,我是一名學(xué)生,做的pn結(jié)器件進(jìn)行電容-電壓測(cè)試時(shí),曲線的每一部分都能說明什么問題呢?(測(cè)試時(shí),p區(qū)從-3V變化到3V,n區(qū)為0V)感覺這個(gè)曲線和文獻(xiàn)中的形狀差別很大,在負(fù)偏壓區(qū)電容幾乎是定值,也沒找到類似的解釋。求教!
發(fā)表于 04-22 10:51
,有沒有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因?yàn)橥ㄟ^調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇,原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場(chǎng),通過外加電場(chǎng)來增大或減小
發(fā)表于 04-15 10:24
MDD整流二極管是電力電子和信號(hào)處理電路中的重要器件,其核心工作原理依賴于PN結(jié)的整流特性。PN結(jié)是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體構(gòu)成的基本結(jié)構(gòu),通過其單向?qū)щ娦裕瑢?shí)現(xiàn)交流到直流的轉(zhuǎn)換。MD
發(fā)表于 03-21 09:36
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-137:使用外部PN結(jié)的精確溫度檢測(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-12 11:11
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PN結(jié)是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體緊密接觸后形成的。在P型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是空穴,少數(shù)載流子是電子;而在N型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是電子,少數(shù)載流子是空穴。當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接觸時(shí),由于濃度差,空穴從P區(qū)向N區(qū)擴(kuò)散,電子從N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散。
發(fā)表于 10-09 15:05
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型半導(dǎo)體材料層來構(gòu)成 PN 結(jié),從而實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)平面 MOSFET 更低的導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) ) 和柵
發(fā)表于 10-02 17:51
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半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理及其主要特性是半導(dǎo)體物理學(xué)中的重要內(nèi)容,對(duì)于理解半導(dǎo)體器件的工作原理和應(yīng)用具有重要意義。以下是對(duì)半導(dǎo)體PN結(jié)形成原理和主要特性的詳細(xì)解析。
發(fā)表于 09-24 18:01
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)柵源極之間的PN結(jié)是其核心組成部分之一,對(duì)于理解JFET的工作原理和特性至關(guān)重要。以下是對(duì)該PN結(jié)的介紹: 一、
發(fā)表于 09-18 09:51
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晶體管是由 兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成 的。具體來說,晶體管內(nèi)部包含三個(gè)區(qū)域:發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū),這三個(gè)區(qū)域通過不同的摻雜方式在同一個(gè)硅片上制造而成,并形成了兩個(gè)PN結(jié)。這兩個(gè)PN
發(fā)表于 08-23 11:17
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華碩PN系列迷你主機(jī),可以看到PN40和PN41主要是奔騰賽揚(yáng)為主,這是代號(hào)的定位,而PN50和PN51分別是4800U和5700U,50系
發(fā)表于 08-13 18:28
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摻雜對(duì)PN結(jié)伏安特性的影響是半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個(gè)重要議題。PN結(jié)作為半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),其性能在很大程度上取決于摻雜濃度、摻雜類型以及摻雜分布等因素。以下將詳細(xì)探討摻雜對(duì)
發(fā)表于 07-25 14:27
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PN結(jié)的反向擊穿是半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個(gè)重要概念,它指的是在PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)時(shí),當(dāng)外加的反向電壓增加到一定程度時(shí),PN
發(fā)表于 07-25 11:48
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PN結(jié)正向偏置和反向偏置是半導(dǎo)體器件(如二極管、晶體管等)中非常重要的兩種工作狀態(tài),它們的工作原理基于PN結(jié)獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì)。以下將詳細(xì)闡述PN
發(fā)表于 07-25 11:28
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評(píng)論