大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能的興起，通信基站、數(shù)據(jù)中心及自動駕駛等終端應(yīng)用都需要耗電更大的CPU、GPU及ASIC來支持更強(qiáng)勁的算力需求。這對供電電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，包括：更高的效率、更高的功率密度，同時滿足極高的瞬態(tài)響應(yīng)要求。多相Buck電源（多相控制器+DrMOS）正是低壓、高功耗應(yīng)用場景的最佳解決方案。

DrMOS

矽力杰DrMOS方案

矽力杰SQ29670是一顆單芯片SPS/DrMOS，芯片內(nèi)部集成解耦電容，MOSFET，驅(qū)動及控制單元，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝。通過優(yōu)化的驅(qū)動和死區(qū)控制邏輯，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。通過使用AutoZero運(yùn)放，提供了高精度，快速響應(yīng)的IMON波形。嚴(yán)密的控制和保護(hù)邏輯使其能輕松兼容主流的前級控制器，適用于CPU，GPU以及POL的電源設(shè)計(jì)。

SQ29670

16V/70A集成功率級DrMOS

◆70A連續(xù)電流輸出能力

◆集成功率MOS和驅(qū)動電路

◆開關(guān)頻率高達(dá)2.0MHz

◆內(nèi)部集成的解耦電容

◆3.3V PWM輸入，兼容三態(tài)邏輯

◆5uA/A 精確電流采樣上報(bào)

◆8mV/℃ 內(nèi)部溫度采樣上報(bào)

◆VDRV/VCC/VBST/VIN 欠壓保護(hù)

◆過熱保護(hù)

◆可編程的逐周期峰值電流保護(hù)和谷值電流保護(hù)

◆負(fù)電流保護(hù)

◆三態(tài)中自舉電容充電功能

◆基于TMON和IMON引腳的故障上報(bào)功能

◆業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的LGA5x6-41和LGA4*6-34封裝

DrMOS

典型應(yīng)用

SQ29670典型應(yīng)用框圖

SQ29670支持5V~16V的Vin電壓范圍。支持3.3V電平的PWM輸入信號并兼容三態(tài)輸入信號。死區(qū)時間，傳播延遲和驅(qū)動邊沿的調(diào)整使其可以高效安全運(yùn)行。

SQ29670內(nèi)部集成了8mV/℃的溫度傳感器并可通過TMON實(shí)時報(bào)告溫度，25℃下典型輸出電壓為800mV。TMON內(nèi)部可上拉或下拉用作故障標(biāo)志位，同時IMON內(nèi)部可在故障時上拉或下拉到固定電平用于指示故障類型。

SQ29670可以實(shí)時采樣內(nèi)部MOSFET的電流信息并重建為與電感電流成正比的三角波，內(nèi)建的溫度補(bǔ)償使其能達(dá)到5uA/A ±5%的精度輸出。SQ29670支持包括OCP，NOCP，OTP等多種保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)安全可靠運(yùn)行。

SQ29670 IMON 波形

SQ29670 IMON精度曲線

SQ29670 效率曲線

SQ29670 開關(guān)波形

Silergy

Computing Power

隨著多核架構(gòu)處理器的普及，微處理器（CPU/GPU等）所需的功率急劇增加，對電壓調(diào)節(jié)模塊（VRM）提出了更高的要求，傳統(tǒng)方案中，采用分立的上管，下管MOSFET與驅(qū)動器來搭建電路，SPS/DrMOS將MOSFET與其驅(qū)動器集成到單個芯片上，從而實(shí)現(xiàn)了電源的高效率和高功率密度。

SQ29670通過高度集成，與優(yōu)化設(shè)計(jì)，提供了高效率的DrMOS方案，為提高電源整體效率，減小系統(tǒng)尺寸提供了幫助。