碳化硅MOSFET模塊全球市場總體規模
Source: Infineon
據QYResearch調研團隊最新報告“全球碳化硅MOSFET模塊市場報告2023-2029”顯示,2023年全球碳化硅MOSFET模塊市場規模大約為1693百萬美元,預計2029年將達到9218.2百萬美元,未來幾年年復合增長率CAGR為32.6%。
圖. 碳化硅MOSFET模塊,全球市場總體規模,預計2029年達到92億美元
如上圖表/數據,摘自QYResearch最新報告“全球碳化硅MOSFET模塊市場研究報告2023-2029.
電動汽車碳化硅SiC模塊是最大的應用領域,主要是電動汽車主驅逆變器、車載充電系統(OBC)和車載DC/DC。
新能源汽車是該行業重要的驅動因素之一。全球電動汽車持續快速增長,2022年全球新能源汽車總銷量突破了1000萬輛,同步增長61%。中國和歐洲成為推動全球電動汽車銷量強勁增長的主要動力。2022年,中國新能源汽車產銷量分別達到705.8萬輛和688.7萬輛,同比增長96.9%和93.4%,新能源汽車產銷量已連續8年位居全球第一。其中,純電動汽車銷量536.5萬輛,同比增長81.6%。2022年,歐洲純電動汽車銷量同比上漲29%,至158萬輛。
圖. 碳化硅MOSFET模塊,全球市場主要廠商排名
碳化硅MOSFET模塊,全球市場總體規模,前二十大廠商排名及份額
如上圖表/數據,摘自QYResearch最新報告“全球碳化硅MOSFET模塊市場研究報告2023-2029.
目前全球碳化硅SiC模塊主要生產商包括STMicroelectronics、英飛凌、Wolfspeed、Rohm、Onsemi、比亞迪、Microchip (Microsemi)、Mitsubishi Electric和Semikron Danfoss等,全球前五大產生占有大約70%的市場份額。
本文作者
楊軍平 –本文主要分析師 | |
Email: yangjunpi[email protected] | |
楊先生,具有9年行業研究經驗,專注于半導體產業鏈相關領域的研究,包括半導體設備及零部件、半導體材料、集成電路、功率器件等。部分研究課題如CMP拋光耗材、IC載板、陶瓷基板(HTCC、LTCC、DBC、AMB、DPC、DBA)、濺射靶材、光刻膠、晶圓傳輸機器人、EFEM/Sorter、晶圓加熱器、光刻設備、陶瓷材料、化合物半導體(SiC碳化硅、GaN氮化鎵,襯底、耗材等)、功率器件(IGBT、MOSFET、二極管、SiC模塊及分立器件、RF等。 |
QYResearch企業簡介
QYResearch(北京恒州博智國際信息咨詢有限公司)成立于2007年,總部位于美國洛杉磯和中國北京。經過連續16年多的沉淀,QYResearch已成長為全球知名的、面向全球客戶提供細分行業調研服務的領先咨詢機構;業務遍及世界160多個國家,在全球30多個國家有固定營銷合作伙伴,在美國、日本、韓國、印度等有分支機構,在國內主要城市北京、廣州、長沙、石家莊、重慶、武漢、成都、山西大同、太原、昆明、日照等地設有辦公室和專業研究團隊。
QYResearch是全球知名的大型咨詢公司,行業涵蓋各高科技行業產業鏈細分市場,橫跨如半導體產業鏈(半導體設備及零部件、半導體材料、集成電路、制造、封測、分立器件、傳感器、光電器件)、光伏產業鏈(設備、硅料/硅片、電池片、組件、輔料支架、逆變器、電站終端)、新能源汽車產業鏈(動力電池及材料、電驅電控、汽車半導體/電子、整車、充電樁)、通信產業鏈(通信系統設備、終端設備、電子元器件、射頻前端、光模塊、4G/5G/6G、寬帶、IoT、數字經濟、AI)、先進材料產業鏈(金屬材料、高分子材料、陶瓷材料、納米材料等)、機械制造產業鏈(數控機床、工程機械、電氣機械、3C自動化、工業機器人、激光、工控、無人機)、食品藥品、醫療器械、農業等。
審核編輯 黃宇
-
電動汽車
+關注
關注
156文章
12373瀏覽量
234102 -
MOSFET
+關注
關注
150文章
8252瀏覽量
218471 -
SiC
+關注
關注
31文章
3156瀏覽量
64439 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
3016瀏覽量
50055
發布評論請先 登錄
基于國產碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統解決方案

國產SiC碳化硅MOSFET廠商柵氧可靠性危機與破局分析

全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起
碳化硅MOSFET的優勢有哪些
BASiC基本股份國產SiC碳化硅MOSFET產品線概述

橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結MOSFET技術注意事項

高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

評論