氮化鎵功率器件多用于充電器領域，出貨量很大。并陸續(xù)擴展到車載OBC、數(shù)據(jù)中心的電源、分布式電源等應用。最近羅姆發(fā)布EcoGaN? Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。該產(chǎn)品可以替代現(xiàn)有的Si MOSFET，器件體積減少99%，功率損耗降低55%，可應用于服務器和AC適配器等。在羅姆半導體的媒體交流上，羅姆技術高管分享了羅姆氮化鎵新產(chǎn)品的特點和對氮化鎵市場的預期。

羅姆半導體(上海)有限公司技術中心High Power Solution部門負責人周勁介紹，與硅相比，氮化鎵的禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和速度高出三倍左右，具有更優(yōu)異的物理性能，特別是在高頻率工作、高速開關的狀態(tài)下，比硅甚至碳化硅都有更好的表現(xiàn)。HEMT指高電子遷移率晶體管，具有平面結構，用來控制器件開關，GaN HEMT的開關速度非常高。

周勁解析，氮化鎵的使用通常會面臨兩個問題，一是驅動電壓（Vth）比較低，通常是1.5到1.8V左右，有噪音的時候會誤開啟，即便不一定壞，但會導致?lián)p耗比較高。

二是柵極耐壓比較低，通常氮化鎵器件的標定是5V驅動電壓，4.5V以下可以導通但不徹底，到了6V以上則面臨柵極損壞的風險。最佳驅動電壓范圍窄，柵極處理起來很難。氮化鎵器件通常工作在很高的頻率，噪音和脈沖情況都比較復雜，通常必須與專門的驅動電路或者驅動器配合使用，但是這樣外置元器件數(shù)量多，通路的寄生參數(shù)的影響在工作的200K以上或者是1兆更高，這種寄生參數(shù)影響就越來越明顯。

羅姆新推出的Power Stage IC，將柵極驅動器和GaN HEMT一體化封裝，可輕松替代Si MOSFET。這兩者將FET性能最大化，GnA決定效率值，組合在一起實現(xiàn)高速開關，更加充分地發(fā)揮氮化鎵器件的性能。



相比Si MOSFET，開關損耗大幅度降低，外圍電路更簡單，僅需一個外置器件，另外，相比Si MOSFET+散熱片，器件體積顯著減小。 有助于應用產(chǎn)品的小型化。



新產(chǎn)品為VQFN封裝，8×8mm，厚度是1毫米的IC，一體化的封裝，驅動電壓可實現(xiàn)跟現(xiàn)在的DC-DC控制器一樣的水準，啟動時間也大幅縮短，傳輸延遲11納秒到15納秒，這個是基于氮化鎵本身的高速特性。

從產(chǎn)品的框圖來看，柵極驅動器內置電壓范圍接口，通過這個接口使原來的很窄的驅動電壓要求可以達到5V到30V，羅姆發(fā)揮在模擬方面的技術優(yōu)勢，加入Power GaN的系列，豐富了產(chǎn)品陣容。



同時，芯片內置EMI控制，優(yōu)化驅動的波形，在不影響速度的情況下，能夠控制EMI，還有相應的電源、溫度保護等等電路。在把這款氮化鎵器件替代到現(xiàn)有方案中時，不需要大幅調整驅動電壓，不用擔心噪聲影響，從而簡化設計工程師的工作。

該產(chǎn)品支持各種一次側電源電路。可以應用在各種AC-DC的電路中，包括反激式、半橋、交錯式和圖騰等，驅動范圍寬、啟動時間短，傳輸延遲時間短，整個環(huán)路等的設計更簡單。

新產(chǎn)品目前有兩款，包括BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，導通電阻分別是70毫歐和150毫歐。此外，還備有三款評估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用來評估芯片的整體方案性能，另外兩款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客戶現(xiàn)有方案進行測試。



羅姆自2006年開始研發(fā)氮化鎵相關產(chǎn)品，在2021年確立150V GaN器件技術，普通氮化鎵產(chǎn)品是6V耐壓，羅姆產(chǎn)品可以做到8V。

2023年4月開始量產(chǎn)650V耐壓產(chǎn)品，此次又發(fā)布650V Power Stage IC。今后還將不斷改進驅動技術和控制技術，與EcoGaN系列GaN器件相結合，便于客戶選擇。

另外，Power Stage IC的下一代產(chǎn)品，準偕振AC-DC+GaN的器件預計在2024年一季度量產(chǎn)，功率因數(shù)改善+GaN的器件也是2024年第一季度量產(chǎn)，半橋+GaN的器件預計在2024年第二季度量產(chǎn)。

如今隨著快充的廣泛應用，氮化鎵的成本也隨之下降。預計在工業(yè)系統(tǒng)應用、新能源氣汽車等應用的推動下，2025年后氮化鎵將迎來下一波增長。而羅姆也將不斷擴充氮化鎵產(chǎn)品線，滿足市場所需。