Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器,從而減少了元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。可編程的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
Texas Instruments LMG3614支持突發(fā)模式運(yùn)行和轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求,具有快速啟動(dòng)時(shí)間和低靜態(tài)電流。保護(hù)特性包括過(guò)熱保護(hù)和欠壓閉鎖 (UVLO),通過(guò)開漏FLT引腳進(jìn)行報(bào)告。
特性
- 650V 170m? GaN功率FET
- 集成柵極驅(qū)動(dòng)器,具有低傳播延遲和可調(diào)節(jié)的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率控制
- 通過(guò)FLT引腳報(bào)告實(shí)現(xiàn)過(guò)熱保護(hù)
- 輔助靜態(tài)電流:55μA
- 最大電源和輸入邏輯引腳電壓:26V
- 8mm × 5.3mm QFN封裝,帶導(dǎo)熱片
應(yīng)用
簡(jiǎn)化框圖
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