女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Chiplet混合鍵合難題取得新突破

旺材芯片 ? 來(lái)源:半導(dǎo)體芯聞 ? 2023-06-20 16:45 ? 次閱讀

小芯片為工程師們提供了半導(dǎo)體領(lǐng)域的新機(jī)遇,但當(dāng)前的鍵合技術(shù)帶來(lái)了許多挑戰(zhàn)。現(xiàn)在,IBM 和 ASMPT 之間的一家合資企業(yè)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種用于封裝芯片的新型混合鍵合技術(shù),可以在原子尺度上直接鍵合芯片,從而減小觸點(diǎn)尺寸。

chiplet 面臨哪些挑戰(zhàn),合資企業(yè)開(kāi)發(fā)了什么,這將如何幫助加速未來(lái)的 chiplet 設(shè)計(jì)?

小芯片面臨哪些挑戰(zhàn)?

隨著半導(dǎo)體制造商努力縮小單個(gè)晶體管的尺寸,研究人員也在不斷尋找提高現(xiàn)代設(shè)備性能的新方法。雖然一種選擇是使通用處理器更強(qiáng)大(具有更快的計(jì)算速度和更大的內(nèi)存大小),但另一種選擇是識(shí)別資源密集型的特定任務(wù)并創(chuàng)建專用硬件加速器。這種硬件加速器的使用已經(jīng)得到廣泛使用,例如處理圖形例程的 GPU、針對(duì)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化的 AI 加速器,以及允許在不影響性能的情況下進(jìn)行即時(shí)加密的加密加速器。

然而,對(duì)于加速器提供的所有好處,將加速器放置在芯片外部會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)帶寬產(chǎn)生巨大影響,但嘗試將加速器集成到單個(gè)單片半導(dǎo)體中會(huì)減少可用于其他硬件(例如處理器內(nèi)核和內(nèi)存)的總面積。為了解決這一挑戰(zhàn),工程師們正在轉(zhuǎn)向小芯片,即具有特定用途的小型獨(dú)立半導(dǎo)體芯片,并將這些小芯片連接在一起以創(chuàng)建封裝模塊。

這不僅讓工程師能夠充分利用任何一個(gè)裸片上的硅空間,而且還允許定制,小芯片可以換成不同的設(shè)備,從而實(shí)現(xiàn) SoC 的完全定制。但是,盡管小芯片帶來(lái)了所有優(yōu)勢(shì),但工程師們正在努力應(yīng)對(duì)一個(gè)主要缺點(diǎn):芯片互連。

在 IBM Research 最近的一篇博客文章中,他們深入探討了小芯片的概念以及它們?nèi)绾螏椭朔@些挑戰(zhàn)。小芯片本質(zhì)上是復(fù)雜功能芯片的更小的功能塊,它可以包括獨(dú)立的計(jì)算處理器、圖形單元、AI 加速器和 I/O 功能。通過(guò)打破片上系統(tǒng)模型,chiplet 可以帶來(lái)更節(jié)能的系統(tǒng),縮短系統(tǒng)開(kāi)發(fā)周期,并以比現(xiàn)在更低的成本構(gòu)建專用計(jì)算機(jī)。

一種解決方案是將小芯片倒裝到類似于 PCB 的基板上,并將裸片焊接到基板上。然而,由于目前焊接技術(shù)的限制,芯片上的焊盤尺寸必須大于幾十微米,這就限制了互連密度。同時(shí),焊料可能難以控制,導(dǎo)致帶寬受限的低質(zhì)量連接。

IBM 的第二代納米片技術(shù)為在 300 毫米晶圓上生產(chǎn)的 2 納米節(jié)點(diǎn)鋪平了道路。這項(xiàng)技術(shù)允許在指甲蓋大小的空間內(nèi)安裝 500 億個(gè)晶體管。用于 2 納米芯片節(jié)點(diǎn)的納米片晶體管是對(duì)幾個(gè)較小的里程碑的驗(yàn)證,這些里程碑證明了這是可以做到的,也是 IBM 跨學(xué)科專家團(tuán)隊(duì)在材料、光刻、集成、設(shè)備、表征和建模方面的辛勤工作和奉獻(xiàn)精神的驗(yàn)證。

另一種選擇是將裸片安裝到基板上并在裸片之間使用金線。雖然這通常用于芯片鍵合,但它是一種昂貴的工藝,可能不適合定制小芯片設(shè)計(jì)的小批量生產(chǎn)。還有一些實(shí)際限制可能會(huì)使芯片的鍵合線變得復(fù)雜(因?yàn)榻Y(jié)束鍵合線會(huì)留下尾巴,尾巴會(huì)四處移動(dòng)并可能導(dǎo)致短路)。

IBM 和 ASMPT 開(kāi)發(fā)了

一種新的小芯片鍵合技術(shù)

認(rèn)識(shí)到小芯片鍵合面臨的挑戰(zhàn),IBM和ASMPT的研究人員聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一種新的解決方案,可以幫助加速小芯片的部署。這種用于封裝芯片的新型混合鍵合允許芯片在原子尺度上直接鍵合。

IBM 和 ASMPT 在 chiplet bonding 技術(shù)上取得了重大突破。他們開(kāi)發(fā)了一種混合鍵合技術(shù),可以大大減少兩個(gè)小芯片之間所需的鍵合尺寸。這是通過(guò)在原子尺度上利用銅和氧化物層來(lái)實(shí)現(xiàn)的,鍵本身只有幾個(gè)原子厚。這一發(fā)展可能會(huì)徹底改變小芯片的封裝方式,并加速小芯片技術(shù)的部署。

為了幫助粘合小芯片,該研究機(jī)構(gòu)開(kāi)發(fā)了一種混合技術(shù),該技術(shù)在原子尺度上利用銅和氧化物層(粘合本身只有幾個(gè)原子厚)。然而,為了使粘合起作用,必須去除兩個(gè)表面之間的所有水分和碎屑,因?yàn)榧词故菐讉€(gè)水分子也足以影響兩個(gè)觸點(diǎn)之間的電氣連續(xù)性。這也適用于可能在兩個(gè)表面之間形成的潛在氣泡,因?yàn)樾馀菘梢院苋菀椎赝ㄟ^(guò)靜電力容納氣體分子。

a01cb1bc-0c29-11ee-962d-dac502259ad0.png

一張圖片展示了通過(guò)該團(tuán)隊(duì)的方法實(shí)現(xiàn)的兩層之間的微小結(jié)合。

IBM 和 ASMPT 開(kāi)發(fā)的混合鍵合技術(shù)改變了半導(dǎo)體行業(yè)的游戲規(guī)則。通過(guò)將兩個(gè)小芯片之間所需的鍵合尺寸減小到僅幾個(gè)原子,該技術(shù)可以顯著增加兩個(gè)不同芯片之間的連接密度。這反過(guò)來(lái)又會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)帶寬的大幅增加,為半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和性能開(kāi)辟新的可能性。

據(jù)研究人員稱,所開(kāi)發(fā)的方法與現(xiàn)有的不同小芯片之間使用的芯片接合方法極為相似,但規(guī)模要小得多。此外,該合資企業(yè)能夠?qū)崿F(xiàn)與 ASMPT 提供的現(xiàn)有機(jī)械的結(jié)合,這意味著這項(xiàng)新技術(shù)有可能在未來(lái)幾年內(nèi)得到部署。

這種貼片技術(shù)如何改變未來(lái)的技術(shù)?

到目前為止,新開(kāi)發(fā)的鍵合技術(shù)提供的最大優(yōu)勢(shì)是它顯著增加了兩個(gè)不同芯片之間的連接密度,從而增加了數(shù)據(jù)帶寬。然而,增加連接密度也允許工程師將復(fù)雜的設(shè)計(jì)拆分到多個(gè)芯片上,這不僅有助于提高晶圓良率,而且會(huì)顯著增加設(shè)計(jì)的尺寸。反過(guò)來(lái),這會(huì)增加大型半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管數(shù)量,從而導(dǎo)致具有更高處理器和內(nèi)存容量的指數(shù)級(jí)更強(qiáng)大的系統(tǒng)。

此外,新的鍵合技術(shù)還有助于加速工程師的半導(dǎo)體定制。雖然仍處于起步階段,但如果 chiplet 行業(yè)與 PCB 行業(yè)有任何相似之處,那么用不了多久,工程師就能夠以近乎相同的方式設(shè)計(jì)自己的 SoC,以提供組裝服務(wù)的定制 PCB。此類服務(wù)將允許工程師創(chuàng)建適合其應(yīng)用的 SoC,為關(guān)鍵任務(wù)集成加速器,同時(shí)利用低能耗選項(xiàng)來(lái)降低功耗。

總體而言,IBM 和 ASMPT 開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品令 chiplet 行業(yè)興奮不已。雖然需要做更多的研究來(lái)確保鍵合技術(shù)的可靠性和可重復(fù)性,但這種用于封裝芯片的新型混合鍵合可能會(huì)徹底改變半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造方式。

這種新的混合鍵合技術(shù)的開(kāi)發(fā)證明了IBM和ASMPT的研究人員正在進(jìn)行的創(chuàng)新工作。這是小芯片技術(shù)領(lǐng)域的一個(gè)重要里程碑,對(duì)未來(lái)充滿希望。隨著這項(xiàng)技術(shù)的不斷發(fā)展,我們可以期待在半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造方式上看到更多激動(dòng)人心的發(fā)展。

IBM 對(duì)小芯片的研究已經(jīng)顯示出可喜的成果。他們正在根據(jù)行業(yè)小芯片標(biāo)準(zhǔn)的兩個(gè)主要競(jìng)爭(zhēng)者通用小芯片互連快速 (UCIe) 聯(lián)盟和開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目的線束規(guī)范的方向探索小芯片I/O 的各種設(shè)計(jì)。IBM 研究人員參與了這兩項(xiàng)計(jì)劃,在潛在的未來(lái)小芯片封裝解決方案的背景下研究信號(hào)映射策略。這種主動(dòng)方法可確保 IBM 在標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成一致后立即準(zhǔn)備好構(gòu)建小芯片。





審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 加速器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    823

    瀏覽量

    38918
  • SoC芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    636

    瀏覽量

    35657
  • 封裝芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    18

    瀏覽量

    8651
  • chiplet
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    453

    瀏覽量

    12866
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    混合工藝介紹

    所謂混合(hybrid bonding),指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過(guò)金屬互連的混合
    的頭像 發(fā)表于 06-03 11:35 ?300次閱讀
    <b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>工藝介紹

    混合市場(chǎng)空間巨大,這些設(shè)備有機(jī)會(huì)迎來(lái)爆發(fā)

    電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 ?作為HBM和3D NAND的核心技術(shù)之一,混合合在近期受到很多關(guān)注,相關(guān)設(shè)備廠商尤其是國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商的市場(chǎng)前景巨大。那么混合
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:02 ?1318次閱讀

    什么是金屬共晶

    金屬共晶是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng),在較低溫度下通過(guò)低溫相變而實(shí)現(xiàn)的后的金屬化合物熔點(diǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-04 14:14 ?593次閱讀
    什么是金屬共晶<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>

    閃存沖擊400層+,混合技術(shù)傳來(lái)消息

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,據(jù)韓媒報(bào)道,三星近日與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了3D NAND混合專利許可協(xié)議,從第10代V-NAND開(kāi)始,將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù),特別是在“混合
    發(fā)表于 02-27 01:56 ?654次閱讀
    閃存沖擊400層+,<b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術(shù)傳來(lái)消息

    Cu-Cu混合的原理是什么

    本文介紹了Cu-Cu混合主要用在哪方面以及原理是什么。
    的頭像 發(fā)表于 02-26 17:35 ?528次閱讀
    Cu-Cu<b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>的原理是什么

    混合合在先進(jìn)封裝領(lǐng)域取得進(jìn)展

    的更好的縮放性。但是,盡管一些芯片制造商確實(shí)在大批量制造 (HVM) 中采用了混合,但目前該工藝的成本太高,無(wú)法大規(guī)模采用。而且由于混合
    的頭像 發(fā)表于 11-27 09:55 ?863次閱讀
    <b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>鍵</b>合在先進(jìn)封裝領(lǐng)域<b class='flag-5'>取得</b>進(jìn)展

    從發(fā)展歷史、研究進(jìn)展和前景預(yù)測(cè)三個(gè)方面對(duì)混合(HB)技術(shù)進(jìn)行分析

    摘要: 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)倒裝焊( FC) 已難以滿足高密度、高可靠性的三維( 3D) 互連技術(shù)的需求。混合( HB) 技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 11-22 11:14 ?2662次閱讀
    從發(fā)展歷史、研究進(jìn)展和前景預(yù)測(cè)三個(gè)方面對(duì)<b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>(HB)技術(shù)進(jìn)行分析

    微流控多層技術(shù)

    一、超聲鍵合輔助的多層技術(shù) 基于微導(dǎo)能陣列的超聲鍵合多層技術(shù): 在超聲
    的頭像 發(fā)表于 11-19 13:58 ?538次閱讀
    微流控多層<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術(shù)

    晶圓膠的與解方式

    晶圓是十分重要的一步工藝,本文對(duì)其詳細(xì)介紹。???????????????????????????? ? 什么是晶圓膠? 晶圓
    的頭像 發(fā)表于 11-14 17:04 ?1719次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>膠的<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>與解<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>方式

    三維堆疊封裝新突破混合技術(shù)揭秘!

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片的性能需求不斷提升,傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下,混合(Hybrid Bonding)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,并迅速成為三維
    的頭像 發(fā)表于 11-13 13:01 ?2021次閱讀
    三維堆疊封裝新<b class='flag-5'>突破</b>:<b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術(shù)揭秘!

    混合的基本原理和優(yōu)勢(shì)

    混合(Hybrid Bonding)是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成,無(wú)需傳統(tǒng)的焊料凸點(diǎn)。本文探討混合
    的頭像 發(fā)表于 10-30 09:54 ?2308次閱讀
    <b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>的基本原理和優(yōu)勢(shì)

    混合,成為“芯”寵

    要求,傳統(tǒng)互聯(lián)技術(shù)如引線鍵合、倒裝芯片和硅通孔(TSV)等,正逐步顯露其局限。在這種背景下,混合
    的頭像 發(fā)表于 10-18 17:54 ?947次閱讀
    <b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>,成為“芯”寵

    SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合技術(shù)

    在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計(jì)劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過(guò)程中引入混合技術(shù),這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在
    的頭像 發(fā)表于 07-17 09:58 ?1015次閱讀

    金絲強(qiáng)度測(cè)試儀試驗(yàn)方法:拉脫、引線拉力、剪切力

    金絲強(qiáng)度測(cè)試儀是測(cè)量引線鍵合強(qiáng)度,評(píng)估強(qiáng)度分布或測(cè)定
    的頭像 發(fā)表于 07-06 11:18 ?1109次閱讀
    金絲<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>強(qiáng)度測(cè)試儀試驗(yàn)方法:<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>拉脫、引線拉力、<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>剪切力

    銅線焊接一致性:如何突破技術(shù)瓶頸?

    在微電子封裝領(lǐng)域,銅線技術(shù)以其低成本、高效率和良好的電氣性能等優(yōu)勢(shì),逐漸成為芯片與基板連接的主流方式。然而,銅線過(guò)程中的焊接一致性問(wèn)題是制約其進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用的關(guān)鍵
    的頭像 發(fā)表于 07-04 10:12 ?2358次閱讀
    銅線<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>焊接一致性:如何<b class='flag-5'>突破</b>技術(shù)瓶頸?