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      VCSEL制造工藝全流程

      1770176343 ? 來源：半導體封裝工程師之家 ? 作者：半導體封裝工程師 ? 2023-05-24 10:02 ? 次閱讀

      作為自動駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術(shù)的光源，半導體激光器的市場變得活躍起來。其中之一是具有小型化、節(jié)能等優(yōu)點的VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），下面介紹面向VCSEL的干法工藝。

      VCSEL制造工藝

      1. 外延生長
      在GaAs（砷化鎵）襯底上，通過分子束外延生長由
      多個周期的AlGaAs(砷化鋁鎵)/GaAs層堆疊在一起的
      AlGaAs/GaAs系DBR（分布反射型Distributed
      Bragg Reflector）。
      2. Patterning＆Mask形成
      為了將外延層做成被稱為 Mesa 的圓柱形，制作一個掩模圖案。
      3. Mesa加工
      用干法蝕刻進行Mesa加工。
      4. 氧化狹窄＆保護膜形成
      活性層附近設(shè)計的特定AlGaAs層通過濕法氧化而氧化狹窄
      （氧化狹窄層作為電流和光的封閉結(jié)構(gòu)，
      成為影響VCSEL特性的非常重要的層）。另外，沉積Mesa側(cè)壁保護膜。
      5. 電極形成
      n型、p型電極形成。

      審核編輯：湯梓紅

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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      原文標題：VCSEL制造工藝全流程

      文章出處：【微信號：半導體封裝工程師之家，微信公眾號：半導體封裝工程師之家】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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