3、特斯拉國(guó)產(chǎn)車型全系降價(jià)，并公布Model S / X 中國(guó)市場(chǎng)售價(jià)

4、比亞迪徐州基地奠基：總投資 100 億元，將建設(shè)刀片電池生產(chǎn)線

據(jù)報(bào)道，徐州日前舉行 2023 年全市重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目集中開工暨比亞迪新能源動(dòng)力電池徐州生產(chǎn)基地奠基活動(dòng)。本次奠基的比亞迪新能源動(dòng)力電池徐州生產(chǎn)基地項(xiàng)目位于徐州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資 100 億元。

其中，一期投資 50 億元（設(shè)備投資不低于 30 億元），用地約 706 畝，包括潔凈、組裝、配料、無(wú)塵、恒溫、干燥等車間，建設(shè)刀片電池生產(chǎn)線，計(jì)劃 2023 年 12 月部分產(chǎn)線投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。數(shù)據(jù)顯示，比亞迪汽車 2022 年銷售 1868543 輛，同比增長(zhǎng) 152.5%。

5、歐菲光：已有多個(gè) VR / AR 項(xiàng)目處于定點(diǎn)開發(fā)中，部分項(xiàng)目成功轉(zhuǎn)量產(chǎn)

歐菲光日前在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司在 2015 年布局 VR / AR 領(lǐng)域，并于 2022 年 4 月宣布整合元宇宙事業(yè)部，負(fù)責(zé) VR / AR 領(lǐng)域的光學(xué)鏡頭、影像模組、光機(jī)模組和整機(jī)組裝制造等業(yè)務(wù)。

據(jù)介紹，歐菲光目前已有多個(gè) VR / AR 項(xiàng)目處于定點(diǎn)開發(fā)中，并有部分項(xiàng)目成功實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)量產(chǎn)，客戶與合作伙伴涵蓋國(guó)內(nèi)外知名廠商。歐菲光指出，光學(xué)鏡頭方面，公司可以提供 VR 非球面透鏡、VR / AR 鏡頭組、VR 目鏡等產(chǎn)品。影像模組方面，公司憑借手機(jī)影像模組和 3D 感知模組的技術(shù)研發(fā)優(yōu)勢(shì)，拓展 FPV 攝像模組、SLAM 雙攝模組、VR 眼動(dòng)追蹤模組和 VR 定位攝像頭模組。VR / AR 光機(jī)方面，公司成立了專門團(tuán)隊(duì)，對(duì) LCOS 光波導(dǎo)模組、Bird Bath 雙目光機(jī)模組、LED 光波導(dǎo)模組和 Pancake 光機(jī)方案等技術(shù)路線進(jìn)行布局。

6、瀾起科技：PCIe 5.0/CXL 2.0 Retimer芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，PCIe 6.0 Retimer芯片正在研發(fā)中

瀾起科技宣布，其PCIe 5.0/CXL 2.0 Retimer芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該芯片是瀾起科技現(xiàn)有PCIe 4.0 Retimer產(chǎn)品的關(guān)鍵升級(jí)，可為業(yè)界提供穩(wěn)定可靠的高帶寬、低延遲PCIe 5.0/ CXL 2.0互連解決方案。

該芯片符合 PCI-SIG 和 CXL 行業(yè)組織的相關(guān)技術(shù)規(guī)范，采用業(yè)界主流封裝，傳輸速率達(dá) 32 GT / s，在業(yè)界率先支持低于 5 ns 的超低傳輸時(shí)延。支持 SRIS 和 Retimer 級(jí)聯(lián)等復(fù)雜系統(tǒng)拓?fù)洌菓?yīng)對(duì)下一代服務(wù)器、企業(yè)存儲(chǔ)、AI 加速系統(tǒng)中 PCIe / CXL 信號(hào)完整性挑戰(zhàn)的解決方案。瀾起科技與CPU、交換芯片、固態(tài)硬盤、GPU及網(wǎng)卡等領(lǐng)域的主要合作伙伴合作，完成了互操作測(cè)試。據(jù)瀾起科技透露，其正在進(jìn)行 PCIe 6.0 Retimer 芯片的研發(fā)。

7、三星新一代3D NAND發(fā)展藍(lán)圖曝光：第九代將達(dá)280層，2024年推出

據(jù)韓媒最新報(bào)道，傳三星近期制定新一代3D NAND發(fā)展藍(lán)圖，正積極投入產(chǎn)品研發(fā)。預(yù)計(jì)2024年推出的第九代3D NAND將達(dá)280層，第十代3D NAND將跳過(guò)300層區(qū)間，達(dá)430層，預(yù)計(jì)將于2025~2026年推出。

三星2021年量產(chǎn)的第七代3D NAND堆疊至176層，采用雙堆疊（double-stack）制程；2022年11月，三星宣布量產(chǎn)全球最高容量1Tb TLC 第八代3D NAND，雖未公開具體堆疊層數(shù)，但業(yè)界推測(cè)可能為238層。三星第九代及第十代3D NAND目前仍處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段，確切層數(shù)將根據(jù)三星實(shí)驗(yàn)結(jié)果及量產(chǎn)應(yīng)用評(píng)估調(diào)整。

8、中國(guó)首個(gè)用于量子芯片生產(chǎn)的設(shè)備研制成功

據(jù)合肥日?qǐng)?bào)報(bào)道，國(guó)內(nèi)首個(gè)專用于量子芯片生產(chǎn)的MLLAS-100激光退火儀（簡(jiǎn)稱“激光退火儀”）已研制成功。該激光退火儀可解決量子芯片位數(shù)增加時(shí)的工藝不穩(wěn)定因素，像“手術(shù)刀”一樣精準(zhǔn)剔除量子芯片中的“瑕疵”，增強(qiáng)量子芯片在向多比特?cái)U(kuò)展時(shí)的性能，從而進(jìn)一步提升量子芯片的良品率。

據(jù)介紹，該設(shè)備由合肥本源量子完全自主研發(fā)，可達(dá)到百納米級(jí)超高定位精度，對(duì)量子芯片中單個(gè)量子比特進(jìn)行局域激光退火，從而定向控制修飾量子比特的頻率參數(shù)，解決多比特?cái)U(kuò)展中比特頻率擁擠的問題，助力量子芯片向多位數(shù)擴(kuò)展。