臺積電將2024年獲高NA EUV光刻機(jī) 助于2nm工藝量產(chǎn)
最近，據(jù)報道，臺積電將于2024年收購下一代Asmail的最新極紫外光刻設(shè)備，為客戶開發(fā)相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和架構(gòu)解決方案。
據(jù)消息稱，臺積電可能會在2025年正式推出2nm工藝，而市場普遍樂觀地認(rèn)為，臺積電的2nm工藝技術(shù)正在全面領(lǐng)先三星和英特爾。根據(jù)數(shù)據(jù)，臺積電的2nm工藝將采用GAAFET架構(gòu)，在相同功耗下，該架構(gòu)比臺積電3nm工藝快10%至15%，在相同能耗下低25%至30%。應(yīng)用包括移動計算、高性能計算和完整的小芯片集成解決方案。
根據(jù)之前公布的信息，High NA EUV光刻設(shè)備的單價估計為4億美元（約28億元人民幣），是現(xiàn)有EUV光印設(shè)備的兩到三倍。據(jù)報道，這種新型EUV系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)0.55數(shù)值孔徑，與之前配備0.33數(shù)值孔徑透鏡（TWINSCAN NXE:3400B和NXE:3400C）的EUV系統(tǒng)相比，精度將得到提高，并且可以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖形。
預(yù)計N2工藝將于2024年底準(zhǔn)備好進(jìn)行風(fēng)險生產(chǎn)，并將于2025年底進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)，客戶將于2026年收到首批芯片。
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審核編輯：郭婷
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