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NP3433EHR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-12 10:11 ? 次閱讀

描述

NP3433EHR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和

工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備

適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

應(yīng)用程序。

一般特征

?VDS = -20v, id = -1a

RDS(上)(Typ) = 295Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 405Ω@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

?ESD額定電壓:2500V HBM

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開關(guān)

?ESOT-23-3L

poYBAGLM15uAVPPCAACJ9XpBWMY277.png

訂購(gòu)信息

poYBAGLM17eAQcQaAAA1KRhvjuo909.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLM1-iAaMrWAACrbJ2iTsg381.png

熱特性

poYBAGLM2ASAMF8SAABOD4YNLrc276.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLM2CGAAjcpAAIVV46RxV0722.png

審核編輯 黃昊宇

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