圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉換器、功率負載開關以及筆記本電池管理等領域。

SGMNQ36430 的主要特性包括低導通電阻和低柵極電荷。在 VGS= 10V 時，其導通電阻典型值為 2.9mΩ，最大值為 3.6mΩ，能夠有效減少功率損耗。同時，總柵極電荷僅為 22.7nC（VGS= 10V），有助于降低開關過程中的能量損失。此外，其封裝尺寸為 3.3×3.3mm2，較為緊湊，適合在有限的 PCB 空間內使用。產品符合 RoHS 標準且無鹵素，滿足環保要求。

在性能參數方面，SGMNQ36430 的最大漏源電壓為 30V，最大漏極電流在外殼溫度 25℃ 時可達 75A，在 100℃ 時為 47A。脈沖漏極電流最高為 160A，適用于短時高電流脈沖場景。其雪崩電流為 38A，雪崩能量為 72.2mJ，能夠在一定程度上承受反向恢復過程中的能量沖擊。SGMNQ36430 采用符合環保理念的 PDFN-3.3×3.3-8L 綠色封裝，工作溫度范圍為 -55℃ 至 +150℃，存儲溫度范圍相同，適應多種工作環境。

電氣特性方面，器件的漏源擊穿電壓不低于 30V，零柵極電壓時漏極電流小于等于 1μA，柵極漏電流在 ±20V 的 VGS下小于等于 100nA。柵極閾值電壓在 1.2V 至 2.2V 之間，確保穩定的開關控制。動態特性上，輸入電容為 1028pF，輸出電容為 876pF，反向轉移電容為 57pF，這些參數決定了其在高頻開關應用中的性能表現。

圖 1 SGMNQ36430 等效電路

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