來源：DeepTech深科技

隨著晶體管技術逐漸邁向后摩爾時代，越來越多的新材料與新器件對半導體器件的理論建模提出了新的需求和挑戰，特別是基于二維體系的場效應晶體管。近年來，二維材料場效應晶體管愈加受到研究人員的關注，被看作是下一代芯片技術的候選者之一。

需要注意的是，二維材料場效應晶體管與傳統體材料不同，其載流子類型更易受到柵極電場的調控，因而無法利用傳統體材料的近似技術來完成相應開發。當前，如何針對性地開發適用于二維材料場效應晶體管的高效計算模型，是學術界和工業界共同關心的話題。

近日，清華大學集成電路學院任天令教授團隊根據二維體系的原子層薄特性，提出準費米能級相空間(Quasi-Fermi-Level Phase Space，簡稱 QFLPS)理論方法，并運用該理論在保持良好精度的前提下，將二維場效應晶體管穩態電流的的計算速度相比傳統求解肖克利(Shockley)方程組提升近 3 個數量級，適應于實際的電路設計需求。此外，QFLPS 理論還能統一描述單極型輸運和雙極型輸運情兩種集成電路電流控制模式。

相關研究論文以《準費米能級相空間及其在雙極型二維場效應晶體管中的應用》 (Quasi-Fermi-Level Phase Space and its Applications in Ambipolar Two-Dimensional Field-Effect Transistors)為題發表在Physical Review Applied上，并入選該刊當期的 Editors’ Suggestion，在首頁獲得展示，清華大學集成電路學院任天令教授和華中科技大學光學與電子信息學院薛堪豪教授擔任共同通訊作者，清華大學集成電路學院博士生鄢詔譯為第一作者。

據了解，智能手機、計算機等數碼產品中大規模使用的芯片，是由被稱為場效應晶體管的半導體器件組建而成的。從基本物理學角度出發，構建這些半導體器件的快速、準確計算模型是開展芯片設計活動的先導環節，更是撬動整個半導體芯片產業的重要底層基礎。

為從理論上可靠地描述半導體中電荷的流動，美國物理學家威廉·肖克利(William Shockley)提出了準費米能級這一物理學概念，隨后以此為基礎的肖克利方程組則成為半導體器件物理的標準模型。不過，要嚴格求解這一模型還需要模擬復雜的微分方程，因此只適用于研究單個器件的情形。

此次研究中，該團隊基于提出的 QFLPS 理論以及針對二維材料特性開發的近似技術，大大加速了原本需要求解肖克利方程組的模型計算過程，并將這一概念拓展到了電路層面的應用演示。

研究表明，二維體系中限制模型計算效率的突出問題在于準費米能級存在耦合，本次提出的 QFLPS 理論可將這一耦合強度量化為一種等效二維場的旋度指標。根據該指標，該團隊給出了準費米能級可近似解耦的判據以及方法，從而建立了漏極電流的全局快速計算公式。

研究人員稱，“QFLPS 不僅是快速評估漏極電流的理論基礎，而且還為雙極型二維場效應晶體管的器件行為分析提供了通用平臺。實際上，該理論也適用于單極型的場效應晶體管。”

值得一提的是，該團隊還基于準平衡近似的電流公式演示了 QFLPS 理論的在分析典型功能電路方面的應用，展示出其成果在基于雙極型場效應晶體管電路設計中的發展前景。

通過 QFLPS 理論，他們證明提出的理論公式滿足若干必要的對稱性，并利用這些對稱性依次研究了雙極型晶體管及基于此的邏輯反相器工作模式，首次從理論上導出了基于二維材料晶體管的邏輯反相器的最大電壓傳輸增益。

此外，研究人員還通過 QFLPS 理論設計了一種基于雙極型二維場效應晶體管的閾值反相器量化電路，可以作為全并行數模轉換器的核心組件。與傳統 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)方案提供的二次相關性相比，該元件實現了元件芯片面積與量化電平數目的準線性相關性，有望在全并行模/數轉換器方面形成更有競爭力的面積和功耗優勢。

據了解，該團隊長期以來致力于二維材料器件技術的研究，并先后在Nature、Nature Electronics與Nature Communications等知名期刊及國際學術會議上發表多篇論文。

而這次他們帶來的研究成果，有望為基于新型二維材料體系的場效應晶體管提供更全面、綜合的模型分析框架，并為開發下一代適用于二維材料晶體管的電子設計自動化(Electronic Design Automation，簡稱 EDA)工具提供理論基礎。

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