一.前言

一般我們用保險(xiǎn)來實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的功能，簡單，成本低，但是保險(xiǎn)屬于物理保護(hù)，通過自爆的方式達(dá)到保護(hù)的目的，缺點(diǎn)就是只能保護(hù)一次，不可恢復(fù)，想要恢復(fù)功能就只能更換保險(xiǎn)，另一個缺點(diǎn)是只有當(dāng)負(fù)載電流明顯超過保險(xiǎn)欸的額定電流時，保險(xiǎn)絲才會斷開，更重要的是保險(xiǎn)的規(guī)格是不連續(xù)的，不是想要多少額定電流的保險(xiǎn)都會有的，所以今天我們來講一下基于運(yùn)放的過流保護(hù)電路，保護(hù)電流可設(shè)置，并且附帶延時保護(hù)功能，不然一提到運(yùn)放大家就覺得成本高，你要明白的是我們的目標(biāo)是過流保護(hù)，并不是采樣精確的電壓，所以選擇普通運(yùn)放就行，而普通運(yùn)放目前成本也不會太高。

二.電路原理以及構(gòu)成

MOS管Q1用于在正常或者過流時開關(guān)負(fù)載，電阻R1用于采樣負(fù)載電流，其實(shí)就是典型的分流電阻低邊采樣法。MOS管導(dǎo)通后，負(fù)載電流會流經(jīng)R1流入GND，根據(jù)歐姆定律從而在R1上產(chǎn)生壓降，比如1A的負(fù)載電流，采樣電阻是1歐姆，那么壓降就是1A*1Ω=1V。1V電壓會加載在運(yùn)放IC1A的負(fù)輸入端，運(yùn)放的正輸入端的電壓可以通過滑動變阻器VR1調(diào)整，LM358D在這起起到一個比較器的作用，比較電流采樣電壓值和預(yù)設(shè)的電壓值，如果采樣電壓小于預(yù)設(shè)電壓，運(yùn)放輸出高，MOS管保持導(dǎo)通狀態(tài)，如果采樣電壓低于預(yù)設(shè)電壓，運(yùn)放輸出低電平，MOS管就會斷開，從而實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的目的。

電路有一些注意點(diǎn)，總結(jié)一下：

1.VR1可以改成兩個電阻串聯(lián)分壓，因?yàn)榭烧{(diào)電阻器一般體積較大。

2.100K的反饋電阻一般不能省，可以增強(qiáng)環(huán)路穩(wěn)定性。

3.電阻R2的阻值可以根據(jù)會影響MOS關(guān)閉時間，可以結(jié)合MOS柵極寄生電容容值來計(jì)算。

4.電阻R3對地下拉，可以提高M(jìn)OS管驅(qū)動電路抗干擾性能，MOS管在受干擾失控導(dǎo)通。

三.總結(jié)

用運(yùn)放搭建過流保護(hù)電路，主要就是基于比較器電路，原理比較簡單，但是關(guān)于器件的設(shè)計(jì)選型需要注意，不然電路實(shí)際工作時可能不穩(wěn)定。

審核編輯：湯梓紅