摘要

提供了清潔覆蓋半導體襯底的金屬區域的方法。文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁從金屬區域去除材料的方法包括加熱金屬區域，由包含氫氣和二氧化碳的氣體形成等離子體，以及將金屬區域暴露于等離子體。

發明領域

本發明一般涉及半導體制造，更具體地涉及剝離光致抗蝕劑和/或清潔半導體結構的金屬或金屬硅化物區域的方法。

發明背景

電互連技術通常需要金屬或其他導電層或區域之間的電連接，這些導電層或區域位于半導體襯底內或覆蓋在半導體襯底上的不同高度處。這種互連通常部分地通過蝕刻穿過絕緣材料到較低高度金屬層或金屬化區域的溝槽和/或接觸開口來進行。例如，通常制造接觸開口以與金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的金屬硅化物區域形成導電接觸。溝槽和接觸開口也常規地制造到各種金屬層以最終將一個高度上的一個半導體器件元件連接到另一個高度上的另一個半導體器件元件。

審核編輯：符乾江