飛思卡爾公司的MM912F634是S12 MagniV系列產(chǎn)品中一員，集成了繼電器驅(qū)動(dòng)以及LIN收發(fā)器。器件采用16位S12 CPU，具有32KB閃存和2.0KB RAM，背景調(diào)試（BDM）和調(diào)試模塊（DBG），帶SCI的LIN 2.1物理層接口，10位15通路的ADC，16位4通路的定時(shí)器模塊（TIM16B4C），8位2路PWM，六種高壓/叫醒輸入和三個(gè)低壓GPIO，主要用在汽車此處介紹了MM912F634主要特性，面板圖，簡化應(yīng)用電路以及評估板KIT912F634EVME主要特性，電路圖和材料清單（BOM）。

MM912F634是S12 MagniV產(chǎn)品組合的一部分，它通過易于使用的，專家級集成的混合信號微控制器（用于汽車應(yīng)用）簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該雙芯片解決方案基于成熟的S12技術(shù)構(gòu)建，可在整個(gè)產(chǎn)品組合中實(shí)現(xiàn)軟件和工具的兼容性。基于SMARTMOS的模擬芯片結(jié)合了系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片（SBC）功能和特定于應(yīng)用的功能，其中包括本地互連網(wǎng)絡(luò)（LIN）收發(fā)器，繼電器驅(qū)動(dòng)器，直流電動(dòng)機(jī)電流檢測電路以及各種高端和低端數(shù)字I / O。通過新的高性能內(nèi)部Die to Die接口（D2D）對模擬芯片進(jìn)行控制，該接口將模擬IC寄存器無縫集成到MCU寄存器映射中，從而提供了比基于SPI的系統(tǒng)更快的訪問速度。

MM912F634是集成的單封裝解決方案，將HCS12微控制器與SMARTMOS模擬控制IC集成在一起。芯片對芯片接口（D2D）控制的模擬芯片結(jié)合了系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片和特定于應(yīng)用的功能，包括LIN收發(fā)器。

MM912F634主要特性：

?16位S12 CPU，32 KB閃存，2.0 KB RAM

?后臺調(diào)試（BDM）和調(diào)試模塊（DBG）

?芯片到芯片總線接口，用于透明存儲器映射

?片上振蕩器和兩個(gè)獨(dú)立的看門狗

?帶有集成SCI的LIN 2.1物理層接口

?與SPI（PA5…0）共享的六個(gè)數(shù)字MCU GPIO

?10位15通道-模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）

?16位4通道-定時(shí)器模塊（TIM16B4C）

?8位2通道-脈寬調(diào)制模塊（PWM）

?六個(gè)高壓/喚醒輸入（L5.0）

?三個(gè)低壓GPIO（PB2.0）

?具有循環(huán)檢測和強(qiáng)制喚醒功能的低功耗模式向上

?具有可選增益的電流檢測模塊

?反向電池保護(hù)的電壓檢測模塊

?兩個(gè)受保護(hù)的低壓側(cè)輸出以驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載

?兩個(gè)受保護(hù)的高壓側(cè)輸出

?芯片溫度傳感器

?霍爾傳感器電源

?集成穩(wěn)壓器

MM912F634目標(biāo)應(yīng)用：

汽車：門，車窗升降器和座椅控制

連接：本地互連網(wǎng)絡(luò)（LIN）

圖1.MM912F634框圖

圖2.MM912F634電源電路圖

圖3.MM912F634簡化應(yīng)用

電路圖評估板

飛思卡爾半導(dǎo)體的KIT912F634EVME是一種系統(tǒng)解決方案，使用戶能夠輕松評估MM912F634提供的大多數(shù)功能-帶有嵌入式MCU的集成雙低側(cè)和雙高側(cè)開關(guān)以及用于繼電器驅(qū)動(dòng)器的LIN收發(fā)器。912F634在單個(gè)封裝中具有2個(gè)管芯。16位內(nèi)核和模擬芯片通過Die to Die接口連接，該接口提供對模擬芯片上寄存器的直接地址訪問。模擬管芯包含HS和LS開關(guān)，以及PWM模塊，ADC模塊，計(jì)時(shí)器模塊，SCI模塊，LIN物理接口和其他通用寄存器。所有外部信號都可以通過插頭連接器訪問，并且大多數(shù)信號也可以通過測試點(diǎn)進(jìn)行檢查。評估模塊板還包括TBDML編程/調(diào)試接口，因此不需要外部接口。該板可通過兩個(gè)4.0毫米香蕉連接器或LIN連接器供電。為了快速熟悉設(shè)備，該模塊還提供了基于FreeMASTER軟件的圖形用戶界面。借助GUI，用戶可以輕松評估外圍模塊，或直接訪問模擬芯片上的寄存器。

評估板KIT912F634EVME的主要特性：

?16位S12 CPU，32 KB閃存，2.0 KB RAM

?背景調(diào)試（BDM）和調(diào)試模塊（DBG）

?裸片對裸片總線接口，用于透明存儲器映射

?片內(nèi)振蕩器和兩個(gè)獨(dú)立看門狗

?帶集成SCI的LIN 2.1物理層接口

?與SPI（PA5…0）共享的六個(gè)數(shù)字MCU GPIO

?10位15通道-模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）

?16位4通道-定時(shí)器模塊（TIM16B4C） ）

?8位2通道-脈寬調(diào)制模塊（PWM）

?六個(gè)高壓/喚醒輸入（L5.0）

?三個(gè)低壓GPIO（PB2.0）

?具有循環(huán)檢測和強(qiáng)制喚醒功能的低功耗模式向上

?具有可選增益的電流檢測模塊

?反向電池保護(hù)電壓感測模塊

?兩個(gè)受保護(hù)的低壓側(cè)輸出以驅(qū)動(dòng)電感負(fù)載

?兩個(gè)受保護(hù)的高壓側(cè)輸出

?芯片溫度傳感器

?霍爾傳感器電源

?集成穩(wěn)壓器

圖4.評估板KIT912F634EVME尺寸圖

圖5.評估板KIT912F634EVME電路圖（1）

圖6.評估板KIT912F634EVME電路圖（2）

評估板KIT912F634EVME材料清單（BOM）：

圖7.評估板KIT912F634EVME元件布局圖

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