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紫光國芯成功研發基于DDR4的NVDIMM-N

lhl545545 ? 來源:快科技 ? 作者:上方文Q ? 2021-02-19 09:33 ? 次閱讀

我們知道,傳統的DDR DIMM內存是易失性的,也就是必須維持通電才能保持數據,一旦斷電就都沒了。

Intel創造了Optane傲騰持久內存,做到了非易失性,也兼容DDR DIMM,但僅用于數據中心,和普通用戶無關。

現在,JEDEC固態技術標準協會發布了DDR4 NVDIMM-P非易失內存標準規范,序列編號JESD304-4.01,也可以在斷電后不丟失數據,而且完全兼容DDR4內存標準。

根據規范,這種新內存兼容普通的DIMM內存標準、固件,可以最大程度減少對于現有設備、平臺的更改,同時為新內存提供了低延遲接口,提高了易用性,未來也會兼容支持DDR5。

NVDIMM-P的新功能:

- 持久性:操作系統能夠低延遲、高帶寬訪問非易失內存。

- 虛擬化的內存:在DDR通道啟用盡可能多的內存容量。

- 大容量:支持擴展的內存尋址功能。

- 支持即插即用:在電腦開機時可以直接插入標準的雙列內存插槽,并立刻與同一總線上的DDR內存交互操作。

NVDIMM-P的主要特征:

- 與現有DDR通道完全兼容,包括物理接口、電氣性能、協議、時鐘

- 保證為下一代CPU插槽增加的針腳盡可能少。

- 協議支持數據讀取時的不確定延遲。

- 確保數據在非易失內存中的事務性操作。

- 從NAND到DRAM多種延遲模式的支持(在模塊級別)。

- 內存本身具備高可靠性、鏈路錯誤保護功能。

事實上,NVDIMM是一個系列標準,除了這里說的NVDIMM-P,還有NVDIMM-F、NVDIMM-N、NVDIMM-H。

NVDIMM-F本質上就是DDR接口的SSD固態盤,只使用NAND閃存,優點是延遲低(納秒級別)、帶寬高(DDR4可超過200GT/s),不怕斷電,也不需要外接供電,但性能和DRAM仍然遠不是一個級別。

NVDIMM-N混合使用DRAM、DRAM,在內存條上集成NAND閃存,外接電源供電,斷電時將數據轉移保存到NAND閃存中,重新來電后恢復到DRAM,但閃存只是個備份,正常工作時閑置無法使用。

有消息稱,紫光集團旗下西安紫光國芯也成功研發出了一看基于DDR4的NVDIMM-N。

NVDIMM-P則是以上二者的結合,三星主導DDR4版本,美光主導DDR5版本。

NVDIMM-H正在研發,美國Netlist公司主導,類似NVDIMM-N,也是DRAM、NAND混合體,但硬件結構差異較大。
責任編輯:pj

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