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半導(dǎo)體大廠資本支出將創(chuàng)新高

如意 ? 來源:中國電子報(bào) ? 作者:中國電子報(bào) ? 2021-01-22 15:34 ? 次閱讀

市場研究公司Linx Consulting的管理合伙人Mark Thirsk日前表示,半導(dǎo)體行業(yè)正在進(jìn)入一個(gè)“超級(jí)周期”。從現(xiàn)在起大約10年,半導(dǎo)體行業(yè)有望實(shí)現(xiàn)顯著增長,行業(yè)收入將達(dá)萬億美元。先進(jìn)工藝無疑是這一輪增長周期的競爭焦點(diǎn)。

為了取得領(lǐng)先優(yōu)勢,半導(dǎo)體巨頭開始著手先行布局。為強(qiáng)化在先進(jìn)工藝領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢,半導(dǎo)體巨頭紛紛加大2021年的資本支出額度。臺(tái)積電(TSM.US)2021年的資本支出將達(dá)250億~280億美元,較2020年增長45%~62%。三星電子2021年的投資有望超過300億美元。

半導(dǎo)體大廠資本支出將創(chuàng)新高

隨著半導(dǎo)體微縮技術(shù)難度的增加,設(shè)備投資與研發(fā)成本也在不斷提高。臺(tái)積電在近日召開的法說會(huì)上公布,2021年主要用于設(shè)備投資的資本支出將達(dá)250億~280億美元,較2020年資本支出172億美元,增長了45%~62%,其中80%將用于先進(jìn)工藝。

臺(tái)積電首席財(cái)務(wù)官黃仁昭表示,為應(yīng)對(duì)先進(jìn)工藝與特殊工藝技術(shù)發(fā)展,并順應(yīng)客戶需求的增長,上調(diào)2021年資本支出,其中80%將用于3nm、5nm及7nm等先進(jìn)工藝,10%用于先進(jìn)封裝技術(shù)量產(chǎn)需求,10%用于特殊工藝。

臺(tái)積電董事長劉德音也指出,過去幾年業(yè)績主要來自手機(jī)市場的驅(qū)動(dòng),從去年起高性能計(jì)算需求也加入進(jìn)來,再加上智能手機(jī)的季節(jié)性因素影響較為和緩,且客戶及應(yīng)用多元,5nm需求強(qiáng)勁,優(yōu)于3個(gè)月前的預(yù)期,因此大幅上調(diào)今年資本支出。

三星電子同樣也將大幅提高2021年的半導(dǎo)體資本支出。外界預(yù)估,該公司已制定了2021年的產(chǎn)能計(jì)劃。該計(jì)劃顯示,半導(dǎo)體資金投入將比2020年增加20%至30%。在公布第三季度財(cái)報(bào)時(shí),三星電子曾預(yù)估2020年對(duì)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的資本支出為28.9兆韓元(約265億美元)。那么,三星電子2021年面向半導(dǎo)體的資本支出有望超過300億美元,創(chuàng)歷史新高。

半導(dǎo)體大廠資本支出將創(chuàng)新高

英特爾(INTC.US)盡管目前已計(jì)劃將多種產(chǎn)品的生產(chǎn)外包給臺(tái)積電和三星電子,但并沒有停止在先進(jìn)制造工藝上的開發(fā)與資本支出。在近日召開的2021 CES上,英特爾宣布采用10nm工藝的第三代至強(qiáng)處理器(代號(hào)“Ice Lake”)將于2021年第一季度實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。英特爾2020年的資本支出在142億~145億美元之間。

筑起沉淀大量投資的“壟斷墻”

半導(dǎo)體巨頭之所以不斷增加資本支出,是希望通過投資于先進(jìn)工藝,筑起高高的、沉淀大量投資的壟斷墻,拉開與競爭對(duì)手的差距,坐擁市場優(yōu)勢地位。

根據(jù)臺(tái)積電2020年第四季度的財(cái)報(bào),采用5nm工藝平臺(tái)加工晶圓的銷售額占總晶圓收入的20%,7nm和12nm/16nm的銷售額分別占29%和13%。即領(lǐng)先的5nm和7nm節(jié)點(diǎn)占臺(tái)積電收入的49%,而高級(jí)節(jié)點(diǎn)(5nm、7nm、12nm/16nm)占該公司總收入的62%。

半導(dǎo)體大廠資本支出將創(chuàng)新高

對(duì)此,有半導(dǎo)體人士表示,臺(tái)積電創(chuàng)歷史新高的投資金額將開發(fā)先進(jìn)工藝的技術(shù)與資金門檻再度抬高。先前他們在7nm節(jié)點(diǎn)已卡掉聯(lián)電和格芯等對(duì)手,而三星在7nm、5nm工藝仍未回本,臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)大巨額投資,將對(duì)其形成更大的壓力。

三星電子同樣將臺(tái)積電作為邏輯芯片晶圓制造領(lǐng)域的競爭對(duì)手。為應(yīng)對(duì)隨著人工智能物聯(lián)網(wǎng),以及5G的普及而帶來的需求,三星設(shè)立了“半導(dǎo)體愿景2030”長期計(jì)劃,目標(biāo)是在未來10年里“稱霸”晶圓代工市場。雖然三星電子目前與臺(tái)積電在全球市場占有率上還有較大的差距。

據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù),在2020年第三季度,三星占據(jù)全球代工市場17.4%的份額,臺(tái)積電占據(jù)53.9%的市場份額。半導(dǎo)體專家莫大康指出,半導(dǎo)體生產(chǎn)是一項(xiàng)極其資本密集的業(yè)務(wù),并且隨著工藝技術(shù)的進(jìn)步和制造工具的價(jià)格越來越昂貴,芯片制造商不得不增加其資本支出預(yù)算。

莫大康認(rèn)為,三星電子未來在代工領(lǐng)域中可能釆用的策略包括持續(xù)加大投資,及搜羅優(yōu)秀人材,在技術(shù)方面要能保持與臺(tái)積電大致同步,以爭搶大客戶,如蘋果(AAPL.US)、高通(QCOM.US)及AMD(AMD.US)等。

半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入一個(gè)“超級(jí)周期”

5G、AI、云端運(yùn)算等高效運(yùn)算需求持續(xù)增加,驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體市場特別是先進(jìn)工藝領(lǐng)域的發(fā)展。同時(shí),半導(dǎo)體先進(jìn)工藝逐漸成為被少數(shù)IC制造廠壟斷的技術(shù),也驅(qū)動(dòng)了臺(tái)積電與三星電子,以及英特爾等展開競逐,以期在未來的長期競爭中占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

市場研究公司Linx Consulting的管理合伙人Mark Thirsk指出,半導(dǎo)體行業(yè)正在進(jìn)入一個(gè)“超級(jí)周期”。

IDC技術(shù)支持副總裁Mario Morales預(yù)測,到2024年,在5G無線部署和數(shù)據(jù)中心芯片持續(xù)強(qiáng)勁的帶動(dòng)下,半導(dǎo)體行業(yè)的收入將達(dá)到5000億美元大關(guān)。

VLSI Research市場研究副總裁Andrea Lati則給出了一個(gè)令人吃驚的長期數(shù)據(jù),他預(yù)測,到 2030年代初期,半導(dǎo)體行業(yè)的收入將達(dá)到萬億美元。

半導(dǎo)體大廠資本支出將創(chuàng)新高

在這一輪“超級(jí)周期”來臨之際,加大投資進(jìn)行卡位,無疑將使自身處于領(lǐng)先的優(yōu)勢位置。

臺(tái)積電(中國)副總經(jīng)理陳平指出,從技術(shù)發(fā)展趨勢來看,現(xiàn)代社會(huì)將有越來越多的數(shù)據(jù)產(chǎn)生,物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備采集數(shù)據(jù),5G傳輸數(shù)據(jù),云和AI處理數(shù)據(jù)。這些數(shù)據(jù)都需要更強(qiáng)處理能力、更多的晶體管。5G、 AI非常依賴先進(jìn)工藝,因?yàn)樗鼈儗?duì)性能、功耗和集成度要求非常高,物聯(lián)網(wǎng)則更多需要與傳統(tǒng)工藝相結(jié)合。無論是5G、 AI,還是IoT都將帶動(dòng)整體半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)一步發(fā)展。

目前能提供7納米及以下高階工藝的晶圓代工廠僅有臺(tái)積電、三星電子兩家。英特爾為IDM企業(yè),亦可進(jìn)行10納米(相當(dāng)于臺(tái)積電、三星電子的7納米)工藝制造。在自研芯片風(fēng)潮下,未來全球科技業(yè)對(duì)先進(jìn)工藝的需求會(huì)越來越多。對(duì)企業(yè)來說,長期商機(jī)擺在眼前,勢必將全力投資,以迎接市場的強(qiáng)勁需求。
責(zé)編AJX

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