SK海力士已開始安裝EUV光刻機，以量產10nm 1a DRAM
據etnews報道，SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機，以量產10nm 1a DRAM。
此前SK海力士宣布將在今年年內在M16廠建設產線以生產下一代DRAM，不過并未透露ASML EUV光刻機的引進方式、確切時間等。
因此業內人士有諸多揣測，包括將研究大樓R3的2臺EUV光刻機轉移至該產線，并計劃于今年2月開始安裝新購買的設備等。現在看來，SK海力士新設備的購買和安裝速度快于業界預期。
該報道指出，EUV光刻機的安裝時程需要3-6個月，因此SK海力士最快可以在今年上半年量產第一批產品。
據悉，ASML是EUV光刻機的獨家供應商，單臺的售價超過1.35億美元。
責任編輯：xj
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
40文章
2342瀏覽量
185165 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
990瀏覽量
39311 -
EUV光刻機
+關注
關注
2文章
129瀏覽量
15403
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率
%左右開始，隨著進入量產階段，良率會逐漸提高”。
星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內存芯片和 4
發表于 04-18 10:52
光刻機的分類與原理
本文主要介紹光刻機的分類與原理。 ? 光刻機分類 光刻機的分類方式很多。按半導體制造工序分類，光刻設備有前道和后道之分。前道光刻機包括芯片
SK海力士加速16Hi HBM3E內存量產準備
近日，SK海力士正全力加速其全球首創的16層堆疊(16Hi)HBM3E內存的量產準備工作。這一創新產品的全面生產測試已經正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規模量產與供
SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預計明年 1b DRAM 產能將擴大到 16~17 萬片
存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調整其
日本首臺EUV光刻機就位
據日經亞洲 12 月 19 日報道，Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設備的半導體公司，已經開始在北海道芯片制造廠內安裝極紫外
SK海力士開始先進人工智能芯片生產
SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段，批量生產業界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重
SK海力士開發出第六代10納米級DDR5 DRAM
SK海力士宣布了一項重大技術突破，成功開發出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著
SK海力士M16晶圓廠擴產，DRAM產能將增18%
SK 海力士，作為全球知名的半導體巨頭，近期宣布了一項重要的擴產計劃，旨在通過擴大M16晶圓廠的生產規模，顯著提升其DRAM內存產能。據韓媒報道，SK
SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本
SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發采用4F2結構（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK海力士在
SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導體技術的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D
SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產良率達到56.1%
）提交了一份關于3D DRAM（三維動態隨機存取存儲器）的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展，更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓
SK海力士擴大1b nm DRAM產能以應對HBM3E需求
據韓國媒體報道，為了應對市場對高性能HBM3E（高帶寬內存第三代增強版）內存的激增需求，全球知名半導體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程
SK海力士擴產1b DRAM,引領存儲行業新熱潮
在6月17日傳來的最新消息中，全球知名的半導體制造商SK海力士正積極布局，大力擴展其第5代1b DRAM的生產規模。這一舉措旨在應對日益增長的高帶寬內存（HBM）和DDR5
SK海力士加大1b DRAM產能以滿足市場需求
在全球半導體產業風起云涌的當下，SK海力士再次展現出其前瞻性和決斷力。據行業內部消息透露，該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產規模，以
工商網監
評論