聯華電子謀求擴大12英寸晶圓代工廠產能
12月18日消息，據英文媒體報道，在第一大芯片代工商臺積電取消2021年12英寸晶圓代工折扣，芯片代工產能緊張狀況有從8英寸晶圓廠延伸到12英寸晶圓廠的趨勢的消息出現之后，也有代工商在謀劃擴大12英寸晶圓代工廠的產能。
新出現的謀求擴大12英寸晶圓代工廠產能的，是聯華電子，他們旗下目前有4座12英寸晶圓代工廠。
英文媒體的報道顯示，聯華電子董事會，已經授權執行286.56億新臺幣的資本支出計劃，折合約10.17億美元，用于擴大產能。
在報道中，英文媒體指出，聯華電子董事會授權的近10.2億美元資本支出，將用于優化一座12英寸晶圓廠的產能，特別是28nm工藝的產能。
從英文媒體的報道來看，聯華電子此前已經披露了增加28nm工藝產能的計劃，在10月底的投資者會議上，聯華電子也表示他們將持續增加28nm工藝的產量。
責任編輯：YYX
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
晶圓
+關注
關注
52文章
5118瀏覽量
129160 -
聯華電子
+關注
關注
0文章
56瀏覽量
16896
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
12英寸SiC，再添新玩家
科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底；今年三月，天科合達、晶盛機電等也展出了其
韓國政府考慮成立政府資助晶圓代工廠
近日，據韓媒最新報道，盡管三星電子在晶圓代工領域已經擁有強大的業務實力，但韓國政府仍在積極考慮成立一家全新的政府資助晶
天域半導體8英寸SiC晶圓制備與外延應用
碳化硅（SiC）是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料之一，近20年來隨著SiC材料加工技術的不斷提升，其應用領域不斷擴大。目前SiC芯片的制備仍然以6英寸（1
碳化硅襯底，進化到12英寸！
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）碳化硅產業當前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規模往8英寸發展，在最上游的晶體、襯底，業界已經具備大量
世界先進將在新加坡建12英寸晶圓廠
近日，據最新報道，晶圓代工廠世界先進公司計劃在新加坡建設一座12英寸晶圓廠。為此，該公司已向金融業爭取籌組一筆高達600億元新臺幣(約合19
全球產能份額超72%,中國晶圓代工強勢崛起
。
目前，全球晶圓代工產能已達1，015萬片/月（以8寸當量計算），較2023年增長5.4%。預計到2026年，這一數字將突破1，
使用0.5英寸晶圓的代工廠
用電源。 使用超小型半導體制造設備的光刻工藝演示 眾所周知，半導體制造通常需要巨大的工廠和潔凈室來大規模生產 12 英寸晶圓。每座大型晶圓廠
IBM、富士通或投資Rapidus晶圓代工廠
近日，傳出美國IBM與日本富士通正考慮投資日本官民合作設立的晶圓代工廠Rapidus。Rapidus的目標是在2027年量產2納米芯片，以推動半導體產業的進一步發展。
又一企業官宣已成功制備8英寸SiC晶圓
近日，日本礙子株式會(NGK，下文簡稱日本礙子)在其官網宣布，已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC
增芯科技12英寸晶圓制造項目投產啟動，內含國內首條12英寸MEMS智能傳感器晶圓生產線
|?項目一期產能預計2025年底達到2萬片／月 2024年6月28日，增芯科技12英寸晶圓制造項目在廣州增城投產啟動，該項目建設有國內首條、
發表于 07-02 14:28
?1261次閱讀
增城12英寸智能傳感器晶圓制造產線項目投產
來源：芯榜 編輯：感知芯視界 Link 6月28日，增芯舉行國內首條12英寸智能傳感器晶圓制造產線項目投產啟動儀式。該項目位于增城經濟技術開發區核心區，一期投資70億元，預計今年年底實
三星否認晶圓代工廠生產缺陷傳聞
近日，韓國三星電子代工晶圓制造工廠的生產缺陷傳聞在業界引起了廣泛關注。有消息傳出，三星在第二代3納米工藝生產過程中，發生了高達2500批次的生產缺陷，這一規模相當于每月生產約6.5萬片
半導體行業供需分化，晶圓代工產能激增引價格上漲
變化不僅重塑了半導體行業的市場格局，也推動了晶圓代工廠產能利用率的顯著提升。根據行業觀察，自今年第二季度開始，晶
世界先進與恩智浦宣布在新加坡共建12英寸晶圓廠
近日，晶圓代工廠商世界先進（VIS）與恩智浦半導體（NXP）聯合宣布，雙方計劃在新加坡共同成立合資公司，名為VisionPower Semiconductor Manufacturing
工商網監
評論