奧地利的EV集團(tuán)（EVG）演示了集體管芯對(duì)晶圓結(jié)合的端到端工藝流程，3D封裝的貼片精度低于2μm的集體裸片與晶圓（D2W）相結(jié)合。

該工藝使用EVG晶圓鍵合技術(shù)和工藝，以及現(xiàn)有的鍵合界面材料。EVG的異質(zhì)集成能力中心證明了這一突破，它代表了加快在下一代2.5D和3D半導(dǎo)體封裝中異質(zhì)集成（HI）部署的關(guān)鍵里程碑。

該中心是一個(gè)開放式創(chuàng)新孵化器，可幫助客戶加速技術(shù)開發(fā)，最大程度降低風(fēng)險(xiǎn)并通過高級(jí)包裝開發(fā)差異化的技術(shù)和產(chǎn)品。

人工智能，自動(dòng)駕駛，增強(qiáng)/虛擬現(xiàn)實(shí)和5G系統(tǒng)的開發(fā)人員都在尋求異構(gòu)集成（HI），以將具有不同特征尺寸和材料的多個(gè)不同組件或管芯的制造，組裝和封裝到單個(gè)設(shè)備或封裝上，提高新一代設(shè)備的性能。

集體D2W鍵合是重要的HI工藝步驟，可實(shí)現(xiàn)功能層和已知良好管芯（KGD）的轉(zhuǎn)移，以支持經(jīng)濟(jì)高效地制造新型3D-IC，小芯片以及分段和3D片上系統(tǒng)（SoC）器件。

“ 20多年來，EVG提供了工藝解決方案和專業(yè)知識(shí)來支持HI的發(fā)展，包括D2W接合，我們的技術(shù)已成功應(yīng)用于大批量制造應(yīng)用中，”企業(yè)技術(shù)開發(fā)和IP總監(jiān)Markus Wimplinger說。 EV Group。

他說：“我們的異構(gòu)集成能力中心得到了全球過程技術(shù)團(tuán)隊(duì)網(wǎng)絡(luò)的支持，通過為與EVG合作的客戶和合作伙伴提供基礎(chǔ)來開發(fā)新的3D / HI解決方案和產(chǎn)品，增強(qiáng)了我們?cè)谶@一關(guān)鍵領(lǐng)域的能力。” “其中包括我們新的集體D2W粘結(jié)方法，在此方法中，我們展示了使用現(xiàn)有的晶片粘結(jié)和解粘，計(jì)量和清潔工藝設(shè)備以及精選的設(shè)備，能夠以高的貼裝精度和轉(zhuǎn)移率在內(nèi)部執(zhí)行所有關(guān)鍵工藝步驟的能力我們開發(fā)中的第三方系統(tǒng)伙伴。我們要感謝我們的合作伙伴在實(shí)現(xiàn)這一重要成就方面所發(fā)揮的作用和提供的支持。特別感謝IRT Nanoelec和CEA-Leti，它們都提供了用于本演示的基板。”

在單個(gè)過程中將多個(gè)管芯鍵合到晶圓需要可靠的局部多管芯鍵合技術(shù)以及最新的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)精度。這必須為信號(hào)輸入和輸出，功率輸入和電壓控制以及散熱和物理保護(hù)提供電氣和光子連接，以提高產(chǎn)品的可靠性。

該工藝使用具有對(duì)齊功能的定制臨時(shí)載體將已知的合格芯片（KGD）放置在載體上，并在最終鍵合工藝之前進(jìn)行芯片加工。使用直接鍵合，混合鍵合，粘合劑鍵合和金屬鍵合成功地加工了此類帶有KGD的載體，使用包括硅和III-V半導(dǎo)體在內(nèi)的不同襯底材料作為鍵合伙伴。通過最終傳輸速率，掃描聲顯微鏡成像和TEM橫截面分析驗(yàn)證了該過程的成功。
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