長期以來，我國芯片水平一直處于行業下游，面對國外技術壟斷卻無能為力。

為什么芯片很難做？

設計困難

設計是什么呢？這個設計是基于 Arm架構的，我們所熟知的高通驍龍，海思麒麟，三星獵戶座等等，當然還有蘋果的 A系列處理器。

盡管如此，同樣是基于 Arm指令集，蘋果和高通還是要更強一點，已經不再僅僅是使用，而是進行了一個神奇的改變。當然也只有這些老牌芯片廠商才有這一實力，目前華為還沒有這一能力，所以目前麒麟處理器的性能還是要弱一些。

制造困難二：

僅僅是設計出來并不能，還需要做出來。人們所熟知的頂級芯片代工廠是臺積電和三星，而臺積電的技術實力更強，已經攻克了5 nm工藝，今年蘋果的A14和華為的麒麟1020則是采用5 nm工藝制造，未來將向2 nm邁進。而且今年華為在美國的打壓下，最新的麒麟芯片幾乎要被淘汰了，這樣的打擊也不會少，因為國內沒有第二家能夠承擔這個重任。

為什么要這么說？由于巧婦難為無米之炊。目前只有 ASML能夠生產出芯片所需的頂級光刻機，而中芯國際因交貨延遲而大手筆采購的光刻機因交貨延遲而無法更進一步，可見設備的重要程度吧。

不過，在光刻機之外，還有一種設備在芯片的制造過程中同樣重要，即高能量離子注入。

令人欣喜的是，中國電子科技集團公司所屬裝備制造集團自主研發的高能量離子注入機日前成功實現了百萬電子伏特高能量離子技術，該級別已達到國際先進水平。由于它一直有著很高的行業壁壘，被稱為離子注入領域的“珠穆朗瑪峰”，可見其難度之大。

就其作用來說，和光刻機一樣，高能量離子注入機也是芯片制造過程中不可或缺的一環。事實上，長期以來，我國的離子注入機都是依靠進口的，當然不止于此，還有一些其它尖端設備。

眾所周知，指甲蓋大小的芯片都要集成上百億的晶體管，而且集成的晶體管越多，芯片的性能就越強，蘋果 A系列芯片被稱為最強的手機處理器，其主要原因在于蘋果將更多的晶體管不計成本地塞進芯片中。

高能量離子注入器的作用是向晶體管中注入離子砷，磷，銅，等，不同的注入量，角度，深度等等，都會影響芯片的性能，壽命以及成品率，而這一過程需要離子注入器的精確控制，否則一有差錯，整個芯片就會報廢。

因此這次國產百萬伏高能量離子注入機的研制成功，可以說是芯片制造業更進一步的里程碑，意義重大。

盡管值得欣喜，但也不可得意忘形。PRHEI6Me是目前世界上最先進的離子注入機，由德國PRHEI6Me公司制造，是世界上唯一一臺六百萬伏高能量離子注入機，也是世界上唯一一臺六百萬伏高能量離子注入機。

這樣對比之下，國產的高能量離子注入機雖然挺進了先進行列，但差距還不小，說到底還是要虛心學習，默默研發，終將會像華為5 G一樣，一鳴驚人。