9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 ，只有一層的2D NAND不能在不增加芯片管芯尺寸的情況下增加容量。然而，在像高層建筑物中那樣允許單元（NAND的最小單位）沿3D方向存儲的3D NAND中，容量可以隨著
2019-10-04 01:41:004991 三星最近打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:14:521059 西數(shù)公司日前表示今年會試產(chǎn)512Gb核心容量的64層堆棧3D NAND閃存，單顆核心容量就達(dá)到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盤更容易了。
2017-02-07 14:21:31750 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128497 
據(jù)外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401507 據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371380 
提升, 已成為閃存市場的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。慧榮科技身為SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:292569 作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551390 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
128GB容量。并且?guī)淼某杀緝?yōu)勢開始減弱，16nm制程后，繼續(xù)采用2D 微縮工藝的難度和成本已超過3D技術(shù)，因此3D NAND開始成為主流。比如旺宏也計劃跟進(jìn)在2020年下半年實現(xiàn)48層128Mb的19nm
2020-11-19 09:09:58
。s3c2410_nand_inithw //去初始化硬件相關(guān)的部分，主要是關(guān)于時鐘頻率的計算，以及啟用nand flash控制器，使得硬件初始化好了，后面才能正常工作。3. 需要多解釋一下的，是這部分代碼：for (setno = 0
2018-07-17 15:00:00
閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。此外，鎧俠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片，同樣是基于東芝BiCS 3D存儲技術(shù)打造，設(shè)計容量包括128GB、256GB
2020-03-19 14:04:57
上，對CPU的接口要求低；有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。但不同容量的NorFlash的地址線需求不一樣，Nor Flash芯片容量升級不便。 （3）Nand Flash和Nor
2023-02-17 14:06:29
，主要有兩種存儲芯片：NOR Flash和NAND Flash。對于大容量需求，通常會選擇NAND Flash。然而，使用NAND Flash會引發(fā)一些問題：
NAND Flash存在壞塊，需要壞塊
2024-01-24 18:30:00
。請幫我確認(rèn)一下。3、我們的PCB為了節(jié)省空間，只想用兩片16bit的內(nèi)存，也就是只連接DDRC0控制器，總容量為1GB，另外一個DDRC1不連接，請問將來跑linux系統(tǒng)和DSP算法同時運行，這樣設(shè)計能否滿足要求？希望大家給予幫助，謝謝大家了。
2018-05-28 13:30:39
DTDUO3C/32GB/64GB閃存硬盤DTDUO3C/128GB全球記憶體模塊龍頭金士頓 (Kingston)亞太區(qū)Flash Memory業(yè)務(wù)總監(jiān)蘇治源表示，該公司NAND Flash產(chǎn)品去年
2022-02-10 12:26:44
在臺投資的公司包括封測廠力成、華泰，控制芯片業(yè)者群聯(lián)、鑫創(chuàng)、擎泰等，在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的上下游布局相當(dāng)完整。KF318LS11IB/4KF318LS11IB/8KF318LS11IBK2/16EMMC04G-M627EMMC04G-MK27EMMC04G-M657EMMC08G-ML36EMMC16G-TB29EMMC32G-TX29EMMC64G-TX29EMMC128-TX29EMMC04G-W627EMMC16G-IB29EMMC32G-IX29EMMC64G-IX29EMMC128-IX2904EMCP04-NL3DM62708EMCP04-NL3DT22708EMCP08-NL3DT22716EMCP08-NL3DTB2816EMCP16-EL3GTB2916EMCP16-ML4ATB2932EMCP16-EL3GTB2932EMCP16-ML4ATB2932EMCP24-EL3JTB2932EMCP32-ML4BTB2964EMCP24-EL3JTA2964EMCP32-EL3HTA2964EMCP32-ML4BTA2904EPOP08-NL3DM62704EPOP04-NL3DM62708EPOP04-NL3DT22708EPOP08-NL3DT227D1216ECMDXGJDD2568ECMDPGJDD2516ECMDXGJDD5128ECMDPGJDD2516ECMDXGMEB5116ECMDXGJDD1216ECMDXGJDID2568ECMDPGJDID2516ECMDXGJDID5128ECMDPGJDIB5116ECMDXGJDI
2022-02-08 11:05:15
NAND制程的M10Pe和M9V SSD。除原廠之外，下游的SSD品牌廠已陸續(xù)進(jìn)入了新的制程階段，相較于64層3D NAND，96層3D NAND使單顆Die容量向1Tb普及，不僅將推動SSD容量
2022-02-06 15:39:12
-2P/256GB-2PDTKN/32GB/64GBDTKN/128GB/256GBDT80/32GB/64GBDT80/128GB/256GBDT100G3/32GB/64GBDT100G3/128GB/256GB
2022-02-10 12:13:59
LS1012AXN7EKB是否支持128GB容量的SD卡（SDXC）？
2023-03-22 07:06:21
行業(yè)資本支出的增加，以及美光176層3D NAND產(chǎn)能正在提升，因此對行業(yè)保持謹(jǐn)慎樂觀的態(tài)度，但同時也看到了NAND行業(yè)需求正在改善，需要繼續(xù)關(guān)注NAND行業(yè)的資本支出和供應(yīng)增長情況。另外，對于主控
2021-12-27 16:04:03
采用BiCS4技術(shù)的96層3D NAND已經(jīng)出貨給零售商，早在6月底時我們已經(jīng)了解到西部數(shù)據(jù)的BiCS 4 NAND不僅會有TLC類型，而且會有QLC。使用BiCS 4技術(shù)的TLC NAND芯片和采用
2022-02-03 11:41:35
64層3D TLC NAND的512Gb，容量翻倍，這使得總GB當(dāng)量的NAND Flash供應(yīng)增加。在需求方面，雖然三星、蘋果、華為等高端旗艦機(jī)容量向512GB升級，但是全球智能型手機(jī)出貨放緩，尤其是
2022-02-01 23:19:53
，西部數(shù)據(jù)早2017年宣布成功研發(fā)出96層3D 和QLC NAND，單Die容量最高可達(dá)1.33Tb。隨著新一代96層3D NAND技術(shù)的成熟，西部數(shù)據(jù)正在積極導(dǎo)入嵌入式產(chǎn)品中應(yīng)用，滿足移動設(shè)備不斷
2022-02-02 08:45:13
S34MS16G202BHI000閃存芯片S34ML08G101TFB003 西部數(shù)據(jù)宣布成功開發(fā)了4-Bits-Per-Cell(X4）架構(gòu)的64層3D NAND（BiCS3）。在以前的2D
2022-02-04 10:27:01
` CS品牌創(chuàng)世SD NAND內(nèi)置的控制器可以支持3D TLC的管理，功能非常強(qiáng)大，讀寫速度最高支持到10MB/S，滿足物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備的需求，并且兼容市面主流主控?！ ≈С諷DIO接口訪問
2019-09-29 16:45:07
-2P1ASDCS2/128GB-2P1ASDCS2/256GB-2P1ASDCS2/512GB-2P1ASDCS2/32GB-3P1ASDCS2/64GB-3P1ASDCS2/128GB-3
2022-02-08 11:17:32
)，MLC (Multi-Level Cell), TLC (Triple-Level Cell), QLC (Quad-Level Cell) 和3D NAND Flash。他們的區(qū)別在于每個cell
2022-07-01 10:28:37
這是我的nand flash測試的結(jié)果，第五個是0xbc位值如下bit3/2是11表示plane number是8，bit6/5/4是011表示plane size是512Mb。那么這款芯片的容量
2019-03-07 07:45:07
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
，大數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達(dá)40%-45%，而美光NAND技術(shù)從40nm到16nm，再到64層3D技術(shù)，一直為市場提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個月前美
2018-09-20 17:57:05
數(shù)以百萬計的柱形晶體管來控制每個存儲單元。最后連接每個獨立的存儲單元，把3D晶圓連到金屬層?！ ze預(yù)測：“BeSang 3D芯片的成本可非常低，因為可以在一個工藝中將所有邏輯電路加到晶圓底部，而在另一個
2008-08-18 16:37:37
4個插槽，我們可以容納128GB內(nèi)存，但CPU只支持64GB內(nèi)存。DELL 7730也是如此非常感謝以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi everyone,I wonder how can Lenovo
2018-10-26 14:58:40
的指令效率以及代碼密度比傳統(tǒng)的8位單片機(jī)高。內(nèi)置的集成模擬運放和模擬比較器，還有可編程的運放反饋回路使得單顆EFM32芯片即可實現(xiàn)了完整的信號鏈，只要EFM32 + 3D眼鏡專業(yè)芯片共2個芯片即可完成
2012-12-12 17:43:37
最新的e.MMCTM標(biāo)準(zhǔn)，適用于各種廣泛的數(shù)字消費產(chǎn)品，包括智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備。16GB產(chǎn)品樣品出貨即日啟動，8GB、32GB、64GB和128GB產(chǎn)品將稍后出貨。新產(chǎn)品在單一封裝內(nèi)整合了
2018-09-13 14:36:33
的96層3D閃存使用的是新一代BiCS4技術(shù)，QLC類型的核心容量高達(dá)1．33Tb，比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)水平提升了33％，東芝已經(jīng)開發(fā)出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2．66TB。 國內(nèi)崛起撬動全球
2021-07-13 06:38:27
創(chuàng)始人J.Wong在魅族論壇中回應(yīng)網(wǎng)友質(zhì)疑時，也確認(rèn)了這就是Flyme 3.0系統(tǒng)。 另外，據(jù)消息人士透露，魅族MX3將會推出128GB版本，屆時MX3將可能出現(xiàn)16GB、32GB、64GB
2013-08-27 17:01:40
適應(yīng)NAND FLASH陣列應(yīng)用，并且可以適應(yīng)各種各樣的NAND FLASH芯片型號。8x8(8行8列:8個片選,64位數(shù)據(jù)總線) NAND FLASH陣列的存儲速度可達(dá)380MB/S。FPGA內(nèi)部
2014-03-01 18:49:08
復(fù)雜（很多就是2層板），SD NAND的這種封裝可以產(chǎn)品的PCB板繼續(xù)簡單且小巧?！ S品牌SD NAND容量是128MB、512MB，后期會推出1GB和4GB容量的SD NAND.客戶可以根據(jù)自己
2019-10-10 16:55:02
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機(jī)掉電測試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質(zhì)都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
我使用TMS320C6657芯片，NAND Flash容量需要做到16GB(128Gb)，需要外接兩個8GB的NAND Flash芯片，我想使用EMIF16接口的EMIFCE0/1
2018-07-25 07:55:57
筆者有個筆記本使用的三星Samsung BGND3R 32GB eMMC字庫，想升級一下，請問可以更換那些字庫？可以更換128GB的哪些型號？N3150 Braswell平臺
2020-06-09 06:36:04
三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:04713 2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化
NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有
2010-01-27 09:47:59483 Intel 公司和Micron Technology公司今日宣布推出NAND閃存技術(shù)新基準(zhǔn) flash technology – 世界第一款20納米、128Gb的多層單元(MLC)器件。
2011-12-07 10:02:541875 SanDisk NAND閃存部門今天宣布公司將開始生產(chǎn)128Gb，也就是16GB容量的閃存芯片，該芯片將采用19納米制程，每單元三層結(jié)構(gòu)，尺寸為0.26平方英寸，比一個一便士硬幣還要小，而傳輸速率可
2012-02-23 10:44:06847 
云端的存儲解決方案并不是適用于所有的移動平臺用戶。最近，三星打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。
2012-09-21 10:11:25879 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 東芝日前發(fā)布了全球首個基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片，64層堆疊封裝，單顆容量可以做到768Gb(32GB)，可以帶來容量更大、成本更低的SSD產(chǎn)品。
2017-07-04 14:43:502633 iPhone7/7Plus剛上市時，最受追捧的亮黑色不僅沒有64GB版本，連32GB都沒有?，F(xiàn)在最受關(guān)注的蘋果10周年紀(jì)念版iPhoneX只有64G和256G，沒有中間最合適的128GB，那么蘋果砍掉128GB是為什么？
2017-09-27 16:35:1837929 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00667 隨著上游NAND Flash原廠的64層3D NAND產(chǎn)能持續(xù)開出，且被大量應(yīng)用在SSD產(chǎn)品線，今年以來高容量SSD價格持續(xù)下滑，6月中旬主流的240GB TLC SSD現(xiàn)貨價已降至40～43美元
2018-06-26 15:39:493933 
隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161227 7月20日，東芝/西部數(shù)據(jù)宣布成功開發(fā)采用96層BiCS4架構(gòu)的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），單Die容量最高可達(dá)1.33Tb，預(yù)計將在2018下半年開始批量出貨，并優(yōu)先用于SanDisk品牌下銷售的消費級閃存產(chǎn)品。
2018-08-08 15:10:01724 
原廠全面轉(zhuǎn)向3D NAND供應(yīng)出貨，QLC（4bit）新架構(gòu)的助攻下，2018年NAND Flash Bit市場供應(yīng)量增幅將超過40%。
2018-08-11 09:35:002864 
紫光集團(tuán)旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462115 隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAND普及，美光預(yù)計2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:431607 隨著64層/72層3D NAND產(chǎn)出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術(shù)快速發(fā)展，NAND Flash在經(jīng)歷2年漲價后，2018年市場行情從缺貨轉(zhuǎn)向供應(yīng)過剩，再加上成本下滑，以及供需雙方博弈刺激下，預(yù)計2018年全球SSD出貨量將超過1.9億臺，甚至有望沖刺2億臺。
2018-08-31 16:15:002324 Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代，帶動消費性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級，加上長江存儲發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車追趕國際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586 ，也意味著成本更低。?東芝和閃迪是戰(zhàn)略合作伙伴，雙方在NAND領(lǐng)域是共享技術(shù)的，他們的BiCS閃存去年開始量產(chǎn)，目前的堆棧層數(shù)是48層，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達(dá)256Gb
2018-10-08 15:52:39395 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:52935 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三種容量選擇。
2019-02-18 15:33:373673 今日援引自產(chǎn)業(yè)鏈消息透露，蘋果將要發(fā)布的新iPhone手機(jī)，起售價格或超1萬元。原因在于新iPhone將取消64GB存儲版本，直接128GB起跳。
2019-07-22 09:39:422501 5G超級SIM卡有SIM卡有完整通訊功能的同時，它也是一張超大容量的存儲卡。目前有32GB、64GB和128GB三個版本，未來還將推出512GB和1TB版本。
2019-08-26 16:50:123312 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 在近日于韓國首爾舉行的存儲開放日活動中，Intel推出了使用QLC閃存的新款固態(tài)硬盤665P，繼續(xù)使用了660P所采用的慧榮SM2263主控，但閃存顆粒升級為96層3D QLC，但單Die依舊維持1024Gb容量（128GB）。
2019-09-27 15:22:293276 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481156 日前，@Redmi紅米手機(jī) 正式官宣，Redmi K30 5G的6GB+64GB/128GB版將于明天上午10點正式開售，售價分別為1999元和2298元，不過這兩個內(nèi)存版本只有“深海微光”一種顏色可選。
2020-01-13 11:45:25940 SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存儲設(shè)備包含一個128Gb的48針TSOP封裝。所有可能的配置可能不可用。有關(guān)當(dāng)前零件號的列表，請參見第0頁的“市場營銷零件
2020-07-01 08:00:00
6 兩年前，美光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD，型號為5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級，可以作為機(jī)械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:14:412476 今日（4月13日），長江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場SSD等終端產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 09:23:09805 首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC
2020-04-13 09:29:415557 2020年4月13日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:522653 4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲科技有限責(zé)任公司（長江存儲）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491128 長江儲存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:062793 長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:002648 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032 長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-12 09:54:014145 長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功。同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421372 ，已成為閃存市場的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:161889 ，已成為閃存市場的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:191922 ，已成為閃存市場的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:341883 Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
特斯拉在中國官網(wǎng)上架128GB U盤。
2020-11-27 09:35:204103 指出，在 2020 年 Q3，華為大量備貨，對消費性、低容量的 MLC eMMC 以及元件端的 NAND wafer 也有影響，推升了 Q3 NAND Flash 的位元出貨量。 IT之家了解到，根據(jù)
2020-12-01 10:30:271575 了解到，670p 是繼 660p 和 665p 之后的一款全新的 3D QLC NAND SSD，采用了新的主控，支持 PCIe Gen3。容量可選 512GB 到 2TB，具體的讀寫速度還沒公布。另外
2020-12-17 09:30:222364 Flash ROM NAND Flash ROM 應(yīng)該是目前最熱門的存儲芯片了。因為我們生活中經(jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會涉及到它。比如你買手機(jī)，肯定會考慮64GB，還是256GB？
2024-03-01 17:08:45160 
在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019
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