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長江存儲趕超將為NAND Flash市場帶來新變量

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:未知 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-08-29 17:46 ? 次閱讀

2018年全球NAND Flash價格一路走跌,由于市場需求增長平緩,業者預期下半年將延續跌勢,隨著國際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時代技術堆疊,2019年QLC(Quad-Level Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代,帶動消費性固態硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級,加上長江存儲發布新一代3D NAND架構Xtacking,試圖超車追趕國際大廠,全球NAND Flash產量持續增加,戰火愈益激烈,2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。

美光(Micron)與英特爾(Intel)于5月發布全球首款QLC 3D NAND技術SSD,宣告2018年進入QLC量產元年,目標市場鎖定數據中心應用領域。近期三星電子(Samsung Electronics)宣布將針對消費性市場推出QLC SSD產品,采用64層3D NAND堆疊生產,最大容量將達到4TB,后續將再推出企業用QLC SSD。

存儲器業者指出,2018年以來NAND Flash價格走勢疲弱,消費性市場搭載大容量SSD產品需求與滲透率持續成長,盡管QLC具有更高容量和成本優勢,然因單位體積容量增加與存儲密度增大,廠商要確保產品速度和性能水平并不容易,三星聲稱已可實現QLC SSD與TLC同等級的性能,未來高容量SSD擁有價格優勢,可望提升ODM廠商搭載意愿,包括筆記本電腦(NB)搭載SSD主流規格將朝向1TB邁進。

由于SSD容量發展速度已明顯快于HDD,意味著SSD將加快取代HDD的腳步,尤其三星推出消費性QLC SSD搶市后,業界預期東芝(Toshiba)96層QLC 3D NAND亦可望跟進推出,2019年全球存儲器原廠QLC SSD產品相繼問世,存儲器模塊廠亦將推出新品上市,帶動SSD容量升級及價格競爭白熱化。

SK海力士則推出全球首款4D NAND TLC產品,芯片面積更小、處理工時縮短且成本降低,其采用96層堆疊技術,I/O接口速度為1.2Gbps,預計2018年第4季推出樣品,同時投入4D QLC研發,可望于2019年下半推出樣品。

值得注意的是,在國內發展存儲器國產化的聲浪下,長江存儲日前亦推出全新3D NAND架構Xtacking,首要特點在于大幅提升I/O接口速度,具備3D NAND多層堆疊的更高存儲密度,并可減少上市周期。

長江存儲指出,Xtacking可將I/O接口速度提升到3Gbps,相當于DRAM DDR4的速度,產品開發時間可縮短3個月,生產周期縮短20%,可加速3D NAND產品上市,Xtacking技術將應用于第二代3D NAND產品開發,預計2019年進入量產。

業界認為長江存儲積極超車趕上的態勢,加上第4季32層NAND將進入量產,2019年能否快速擴大量產及鋪貨將是觀察重點,即使目前長江存儲NAND技術仍落后國際大廠,但市場價格制約力量將逐漸形成,并為NAND Flash市場波動帶來新變量。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:【IC制造】存儲器大軍猛攻 長江存儲超車追趕 明年NAND Flash市場動蕩

文章出處:【微信號:DIGITIMES,微信公眾號:DIGITIMES】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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