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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專(zhuān)利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線(xiàn)建置

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專(zhuān)利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線(xiàn)建置

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最高的643D NAND芯片。據(jù)techweb的消息顯示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,明年開(kāi)始逐步提升產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模。
2019-08-27 09:32:512187

長(zhǎng)江存儲(chǔ)643D NAND閃存量產(chǎn)

9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND存儲(chǔ)研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231529

PK三星閃存 紫光2019年將量產(chǎn)643D NAND閃存

國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁,把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少,但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠(chǎng)商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255

中芯國(guó)際14納米FinFET研發(fā)完成,良率達(dá)到95%

根據(jù)供應(yīng)鏈傳出的消息指出,中國(guó)大陸最大的晶圓代工廠(chǎng)中芯國(guó)際,目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)。因此,距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)了。
2018-06-15 14:09:468507

Xtacking? 架構(gòu)取得三大技術(shù)突破,643D NAND預(yù)計(jì)明年批量出貨

集微網(wǎng)消息,9月19日,2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)在深圳舉行,長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu):釋放3D NAND潛能”為主題,介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075376

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn),拉開(kāi)國(guó)產(chǎn)閃存產(chǎn)品大幕!

2018年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開(kāi)創(chuàng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517026

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND 芯片導(dǎo)入江波龍 U 盤(pán),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)一條龍

中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)處于自研有成、發(fā)奮追趕的位置,對(duì)應(yīng)到下游存儲(chǔ)模組產(chǎn)業(yè),也協(xié)同上游芯片產(chǎn)業(yè)正在成形中,其中,深圳江波龍絕對(duì)占有一席之地。 日前江波龍已采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3DNAND芯片生產(chǎn)U盤(pán),期待新一代
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出致鈦3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案

,重量輕,強(qiáng)度高,定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質(zhì)3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案,讓記憶承載夢(mèng)想。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在未來(lái)推出致鈦品牌的SSD產(chǎn)品。根據(jù)官方發(fā)布的海報(bào)來(lái)看,這款產(chǎn)品應(yīng)該是一款采用M.2接口的SSD硬盤(pán)。它
2020-08-28 18:24:142934

加速“去美化”,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量

近期,加快芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程已經(jīng)成為中國(guó)科技企業(yè)最重要的議題之一,中國(guó)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)與制造公司——長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速生產(chǎn)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量,以爭(zhēng)取更多的市場(chǎng)份額。
2020-09-23 10:05:432655

3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?

什么是3D NAND?什么是4D NAND3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
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3D NAND及PCIe NVMe SSD為什么能晉升巿場(chǎng)主流?

3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)?如何提升SSD壽命及效能?3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么?
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3D NAND技術(shù)資料:器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
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3D Experience產(chǎn)品協(xié)同研發(fā)平臺(tái)介紹

3D Experience — 產(chǎn)品協(xié)同研發(fā)平臺(tái)
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3D線(xiàn)激光位移傳感器專(zhuān)業(yè)應(yīng)用于工業(yè)“機(jī)器視覺(jué)”

速率,可以滿(mǎn)足工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)高CT節(jié)拍的生產(chǎn)需求。得益于機(jī)器視覺(jué)技術(shù)的創(chuàng)新和研發(fā)團(tuán)隊(duì)的默契配合,立儀再度攻克技術(shù)難關(guān),研發(fā)出第二款3D線(xiàn)激光位移傳感器LS-4000系列,此款產(chǎn)品基于市場(chǎng)需求作出改進(jìn)和升級(jí)
2022-04-21 16:42:05

3d全息風(fēng)扇燈條|3D全息風(fēng)扇方案|3d全息風(fēng)扇PCBA

我公司專(zhuān)業(yè)從事3D全息風(fēng)扇研發(fā)生產(chǎn),主要生產(chǎn)供應(yīng)3D全息風(fēng)扇PCBA,也可出售整機(jī),其他配件可免費(fèi)提供供應(yīng)商信息或者代購(gòu),歡迎咨詢(xún) 劉先生:*** 微信同號(hào)3d全息風(fēng)扇燈條3d全息風(fēng)扇PCBA3D全息風(fēng)扇方案本廣告長(zhǎng)期有效
2019-08-02 09:50:26

NAND FLASH的現(xiàn)狀與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

產(chǎn)品,如今正在量產(chǎn)中,19nm生產(chǎn)96256Mb的3D NAND Flash,將在明年實(shí)現(xiàn)。疫情帶來(lái)的影響還在持續(xù),遠(yuǎn)程服務(wù)的諸多應(yīng)用持續(xù)帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心需求,而消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的平板、筆記本電腦等也因遠(yuǎn)程
2020-11-19 09:09:58

芯片3D化歷程

128甚至更高,外圍電路可能會(huì)占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)643D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
2020-03-19 14:04:57

Altium designer 3D封裝位于機(jī)械線(xiàn)在PCB生產(chǎn)時(shí)是否有影響?

請(qǐng)教大家一個(gè)問(wèn)題: Altium designer 的3D封裝在機(jī)械是有線(xiàn)的,我的板子在機(jī)械也畫(huà)了線(xiàn)來(lái)切掉一部分。那么在PCB的生產(chǎn)加工中,3D封裝位于機(jī)械線(xiàn)是否會(huì)影響加工效果。請(qǐng)實(shí)際操作過(guò)的回答下,非常感謝。如下圖:
2016-07-22 14:05:18

PYNQ框架下如何快速完成3D數(shù)據(jù)重建

`  3D視覺(jué)數(shù)據(jù)與我們的生活已經(jīng)密不可分,在無(wú)人機(jī)測(cè)繪、實(shí)時(shí)攝影測(cè)量、AR/VR等領(lǐng)域有許多應(yīng)用。視頻的實(shí)時(shí)處理需要大量的計(jì)算,而無(wú)人機(jī)等移動(dòng)應(yīng)用需要低功耗便攜式設(shè)備。PYNQ平臺(tái)提供了正確的工具
2021-01-07 17:25:42

ZN-MPS5A自動(dòng)生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)訓(xùn)考核裝備

ZN-MPS5A自動(dòng)生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)訓(xùn)考核裝備一、自動(dòng)生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)訓(xùn)考核裝備(西門(mén)子)1、整體要求:自動(dòng)生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)訓(xùn)考核裝備系統(tǒng)集成,由1)、供料單元2)、加工單元3)、裝配單元4)、分揀單元5)、輸送單元等組成
2021-09-02 08:19:30

smt生產(chǎn)線(xiàn)有輻射嗎

`  誰(shuí)來(lái)闡述一下smt生產(chǎn)線(xiàn)有輻射嗎?`
2020-04-01 17:19:35

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

2.5V NAND,有效降低功耗,未來(lái)EDSFF將在散熱方面會(huì)有更杰出的表現(xiàn),同時(shí)也希望對(duì)NAND進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化。長(zhǎng)江存儲(chǔ):2019年量產(chǎn)643D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05

世界首款 BeSang 3D芯片誕生

利用低溫制造存儲(chǔ)電路完成。在同一個(gè)3D芯片的不同放上邏輯和存儲(chǔ)電路,BeSang的工藝中每個(gè)晶圓包含了更多的裸片,這使得單位裸片的成本也降低了。  BeSang CEO Sang-YunLee說(shuō)
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醫(yī)療3D打印機(jī)到底有多厲害?

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2019-08-02 07:04:30

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

、美光等國(guó)際NAND廠(chǎng)商形成競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的323DNAND已順利問(wèn)世,并進(jìn)入小量生產(chǎn),但32堆疊工藝缺乏競(jìng)爭(zhēng)力,日前長(zhǎng)江存儲(chǔ)采取Xtacking架構(gòu)的64NAND樣品,已送交給相關(guān)供應(yīng)鏈
2021-07-13 06:38:27

浩辰3D的「3D打印」你會(huì)用嗎?3D打印教程

3D打印技術(shù)是綜合了三維數(shù)字技術(shù)、控制技術(shù)、信息技術(shù)眾多技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)技術(shù),具有設(shè)計(jì)樣式多元化、試制成本低、制作材料豐富等特點(diǎn)。通過(guò)數(shù)字化設(shè)計(jì)工具+3D打印技術(shù)相結(jié)的模式,可以幫助企業(yè)高效實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新
2021-05-27 19:05:15

龍芯3D5000完成初樣芯片驗(yàn)證,國(guó)產(chǎn)服務(wù)器芯片即將誕生

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3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲(chǔ)技術(shù)

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成都研發(fā)完成全球最大單體鋰電池

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傳SK海力士72層3D NAND存儲(chǔ)明年量產(chǎn)

SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開(kāi)始量產(chǎn),韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的M14 廠(chǎng)將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)
2016-12-27 14:15:111032

長(zhǎng)江存儲(chǔ)備戰(zhàn)2年,發(fā)布324G 3D NAND芯片,明年可量產(chǎn)

紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)近日在第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)表示,近年來(lái),紫光集團(tuán)把企業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)聚焦在了集成電路上。在移動(dòng)領(lǐng)域,紫光現(xiàn)在每年向全球提供的手機(jī)芯片超過(guò)7億部套片;在存儲(chǔ)領(lǐng)域,紫光已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的三維閃存芯片明年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2017-12-07 11:31:101823

長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤(pán)等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片,國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴(lài)進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:003750

長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式裝機(jī):3D NAND量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)?

4月11日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江,智儲(chǔ)未來(lái)為主題,慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠(chǎng)房實(shí)現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進(jìn)行廠(chǎng)內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備,預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:009280

長(zhǎng)江儲(chǔ)存量產(chǎn)NAND Flash芯片 打響中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的第一槍

日前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以“芯存長(zhǎng)江,智儲(chǔ)未來(lái)”為主題,慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的廠(chǎng)房已經(jīng)完成廠(chǎng)內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后,就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片,打響中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:007739

長(zhǎng)鑫發(fā)布首個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,國(guó)產(chǎn)DRAM跨出重要一步

國(guó)內(nèi)目前有三大存儲(chǔ)芯片基地,紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)以武漢為基地,主要生產(chǎn)3D NAND閃存,預(yù)計(jì)明年正式投產(chǎn)32層堆棧的64Gb閃存,選擇DRAM內(nèi)存芯片作為重點(diǎn)的有兩大陣營(yíng),福建晉華集團(tuán)聯(lián)合臺(tái)聯(lián)
2018-07-20 17:48:198429

看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)新型架構(gòu)為3D NAND帶來(lái)哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))今年將首次參加閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu) 挑戰(zhàn)三星存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司表示,盡管仍采用3D分層,但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:163466

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):長(zhǎng)江存儲(chǔ))昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:273366

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎(jiǎng)”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講,我們之前也做過(guò)簡(jiǎn)單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以一窺長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885

紫光成都建設(shè)基地,打造12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線(xiàn)

根據(jù)紫光官方的消息,10月12日,紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開(kāi)工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱(chēng)紫光成都存儲(chǔ)器制造基地占地面積約1200畝,將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線(xiàn),并開(kāi)展存儲(chǔ)芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷(xiāo)售。
2018-10-16 15:58:402365

SK海力士研發(fā)完成基于1Ynm工藝的DDR4 DRAM芯片

11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片
2018-11-13 09:50:353097

64層/72層3D NAND開(kāi)始出貨 SSD市場(chǎng)將迎來(lái)新的局面

推出64層/72層3D NAND預(yù)計(jì)從下半年開(kāi)始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段,屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571115

紫光宏茂微電子宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)

在2017年年底舉行的第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)上透露,紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)透露,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的3D NAND芯片;2018年4月的長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)進(jìn)場(chǎng)安裝儀式上,趙偉國(guó)指出,他們的32層芯片會(huì)在2018年年底實(shí)現(xiàn)芯片量產(chǎn);
2019-01-15 14:01:108103

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃量產(chǎn)643D NAND閃存芯片 閃存市場(chǎng)將迎來(lái)一波沖擊

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱(chēng),中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)643D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582

與DRAM領(lǐng)域不同 長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND領(lǐng)域取得了進(jìn)展

紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522080

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠(chǎng)商長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在第三季度量產(chǎn)643D閃存

據(jù)Digitimes報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)將于年底前投入643D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng),目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:442618

長(zhǎng)江存儲(chǔ)直追國(guó)際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開(kāi)始生產(chǎn)新一代的643D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對(duì)比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn)長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠(chǎng)的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281277

基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪(fǎng)時(shí)表示,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263

江波龍牽手長(zhǎng)江存儲(chǔ),推動(dòng)國(guó)內(nèi)自研存儲(chǔ)芯片進(jìn)入終端消費(fèi)市場(chǎng)

江波龍已經(jīng)導(dǎo)入長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層的 3D NAND 芯片,用于 8GB 的 U 盤(pán)等產(chǎn)品上
2019-06-14 10:25:105191

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶(hù)提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002164

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)643D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)
2019-09-03 10:07:021051

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)國(guó)產(chǎn)高性能第三代閃存

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:451585

基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專(zhuān)有Xtacking架構(gòu)的643D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)643D NAND閃存芯片首次公開(kāi)亮相

據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612

中國(guó)首次量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682

中國(guó)量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會(huì)帶來(lái)什么影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028

長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)64層堆棧3D閃存 將在年底提高產(chǎn)能到6萬(wàn)片

今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:33824

明年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠(chǎng)正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道,今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243065

美光第四代3D NAND芯片將量產(chǎn) 計(jì)劃繼續(xù)沿用CMOS陣列

存儲(chǔ)行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨也迎來(lái)了一波新的發(fā)展機(jī)遇,近日,根據(jù)最新消息顯示,美系存儲(chǔ)巨頭,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu),將于明年開(kāi)始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:47718

長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849

百度首款A(yù)I芯片昆侖完成研發(fā) 將由三星代工生產(chǎn)

今日據(jù)外媒報(bào)道,百度和三星宣布,百度首款A(yù)I芯片昆侖已經(jīng)完成研發(fā),將由三星代工生產(chǎn)。該芯片使用的是三星14nm工藝技術(shù),封裝解決方案采用的是I-Cube TM。明年年初,昆侖芯片將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-12-18 10:55:201378

長(zhǎng)江存儲(chǔ)643D NAND實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 意圖打破全球壟斷局面

1 月 16 日訊,據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 副董事長(zhǎng)楊道虹表示,2019 年,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)64 層三維閃存產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:02905

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

根據(jù)國(guó)科微官方的消息,國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495053

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪(fǎng)時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

2020年4月13日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠(chǎng)商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:415557

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821

長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠(chǎng)商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問(wèn)世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠(chǎng)商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002648

群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的643D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過(guò)了96層

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠(chǎng)商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:224866

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首發(fā)128層QLC閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191922

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:341883

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

176層3D NAND預(yù)計(jì)明年4月量產(chǎn)

從全球范圍來(lái)看,NAND Flash廠(chǎng)商主要有三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數(shù)據(jù)、SK海力士,以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的旺宏,以及國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新、東芯半導(dǎo)體、北京君正(收購(gòu)北京矽成)、南京揚(yáng)賀揚(yáng)微電子。
2020-10-22 17:11:262205

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已打入華為供應(yīng)鏈

楊士寧表示,很多人反映很少看到國(guó)產(chǎn)內(nèi)存, 實(shí)際上華為Mate 40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)643D NAND閃存。 他強(qiáng)調(diào),與國(guó)際存儲(chǔ)大廠(chǎng)6年的路程相比, 長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅用了短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。 會(huì)議上, 他還展示了長(zhǎng)江存儲(chǔ) 先進(jìn)的Xt
2020-11-23 11:59:264351

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來(lái)答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2014年,開(kāi)始3D NAND flash的研發(fā),技術(shù)團(tuán)隊(duì)從最初開(kāi)始研發(fā)相關(guān)技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時(shí)間,并在,2016年注冊(cè)公司,短短的時(shí)間內(nèi)就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:483572

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:314014

蘋(píng)果汽研發(fā)完成預(yù)定明年9月份正式發(fā)布?

車(chē) ”。當(dāng)時(shí)剛傳來(lái)這個(gè)消息的時(shí)候,無(wú)數(shù)汽車(chē)巨頭都出了一身冷汗。 然而,一直等啊、等啊,等了幾年,大家都沒(méi)看到任何蘋(píng)果汽車(chē)的影子;就在大家都幾乎快遺忘的時(shí)候,市場(chǎng)突然傳出一條超級(jí)重磅新聞!!! 蘋(píng)果汽車(chē),已經(jīng)研發(fā)完成!預(yù)定于明年9月份正式發(fā)布。。。
2020-12-28 10:32:311380

旌存KS3400P控制器已通過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)驗(yàn)證,或明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

2020年12月25日,廈門(mén)旌存半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研制的旌存KS3400P SSD控制器完成了與長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D TLC NAND的適配,順利通過(guò)了兼容性、穩(wěn)定性、可靠性等多重驗(yàn)證,預(yù)計(jì)明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-12-28 16:35:301903

回顧長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前,有媒體報(bào)道稱(chēng),消息人士透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬(wàn)片晶圓,并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片,不過(guò)為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:274468

長(zhǎng)江存儲(chǔ)即將試產(chǎn)第一批 192 層 3D NAND 閃存芯片

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍,計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到 10 萬(wàn)片晶圓,約占全球總產(chǎn)量的 7%。并準(zhǔn)備試產(chǎn) 192 層 NAND 快閃記憶體晶片。這將有助于長(zhǎng)江存儲(chǔ)縮小與全球先進(jìn)制造商之間的差距。據(jù)悉,三星電子目前每月約生產(chǎn) 48 萬(wàn)片晶圓,而美光的月產(chǎn)能約為 18 萬(wàn)片。
2021-02-14 09:21:008753

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,并已在多家控制器廠(chǎng)商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。這標(biāo)志著國(guó)內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)水平。
2021-01-17 10:19:202851

盤(pán)點(diǎn)2020年存儲(chǔ)行業(yè)十大事件

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362093

長(zhǎng)江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)年底量產(chǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:216521

對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù),長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī),同年11月開(kāi)始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:251662

友達(dá)與錼創(chuàng)合作建置6吋Micro LED COC生產(chǎn)線(xiàn)

10月31日,友達(dá)董事會(huì)通過(guò),擬與錼創(chuàng)簽訂產(chǎn)線(xiàn)建置合約,由錼創(chuàng)協(xié)助友達(dá)于龍?zhí)稄S(chǎng)區(qū)建置1條6吋Micro LED Chip on Carrier(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“COC”)生產(chǎn)線(xiàn),并提供Turnkey Solution(統(tǒng)包解決方案)。
2023-11-02 14:02:05287

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美起訴美光 指控侵犯8項(xiàng)3D NAND專(zhuān)利

長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利侵害訴訟場(chǎng)主張說(shuō):“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無(wú)許可地使用長(zhǎng)江低利的專(zhuān)利革新。”長(zhǎng)江存儲(chǔ)訴訟稱(chēng),美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利技術(shù),從與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)中防御,確保和保護(hù)市場(chǎng)占有率。
2023-11-12 14:26:45314

起訴美光!長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問(wèn)題的一個(gè)方面:美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光 涉及專(zhuān)利侵權(quán)

在起訴書(shū)中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聲稱(chēng)自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量,推動(dòng)了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新。
2023-11-13 16:03:05369

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光!

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:04531

8項(xiàng)專(zhuān)利被侵權(quán)!美光與長(zhǎng)江存儲(chǔ)陷入專(zhuān)利之爭(zhēng)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專(zhuān)利
2023-11-13 17:24:51547

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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