SK海力士研發(fā)完成基于1Ynm工藝的DDR4 DRAM芯片
11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。該芯片最高支持3200Mbps，即3200MHz頻率，號稱可以提供最佳的性能和容量密度。技術指標方面，相較于1Xnm，1Ynm芯片的生產(chǎn)率提高了20%，功耗降低了15%。
SK海力士還表示，新的1Ynm芯片還顯著提高了傳感器精準度、調(diào)整了晶體管結構，使得數(shù)據(jù)傳輸?shù)某鲥e率降低。
官方稱，1Ynm DDR4 DRAM芯片將于明年一季度出貨，率先用于服務器和PC產(chǎn)品上，最后向手機等領域推廣。
科普：
在存儲芯片從20+nm進入10+nm工藝之后，廠商對工藝的描述已經(jīng)不再使用具體的數(shù)字了，20nm之后是1x nm工藝，再往后則是1y nm工藝，還有1z nm工藝的說法，至于XYZ具體的含義，由于每家公司的工藝并不一樣，所以缺少詳細的解釋。
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原文標題：SK海力士1Ynm芯片研制完成！
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